中芯國際進軍閃存,自主研發(fā)38nm NAND來了
雖然規(guī)模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭,不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯,28nm工藝年初也正式量產了,還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單,現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存,而且是中芯國際自主研發(fā)的技術。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/263284.htmNAND閃存的重要性不必說,目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存,目前全球主要的NAND產能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合資的IMFT這四大豪門中,剩下的則由臺系半導體廠商等瓜分,擠進NAND市場可不容易。
中芯國際以往發(fā)展過130nm到65nm制程的NOR閃存,不過NOR閃存現(xiàn)在屬于過時的產品了,轉向NAND閃存也是自然而然的事了。中芯國際推出的NAND閃存制程為38nm,與目前主流的20/19nm差了一代,而且東芝、美光新一代的16/15nm制程年底就會量產,所以中芯國際與國際大廠還有一定的差距。
據官網所說,這種NAND制程完全是中芯國際自主研發(fā)的,38nm工藝對于降低NAND成本、提高產量來顯然不如更先進的25、20nm,不過制程低了也有好處,那就是NAND的可靠性更好,P/E擦寫次數更高,只不過現(xiàn)在還不清楚中芯國際的38nm NAND的細節(jié)。
對中芯國際來說,38nm NAND其實也是個過渡,官方新聞中也提到了這是他們升級到更先進的2x/1xnm及3D閃存的基礎,由此看來新工藝其實也是在研發(fā)中了。
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