中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了
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雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/263284.htm
NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合資的IMFT這四大豪門中，剩下的則由臺(tái)系半導(dǎo)體廠商等瓜分，擠進(jìn)NAND市場(chǎng)可不容易。
中芯國(guó)際以往發(fā)展過(guò)130nm到65nm制程的NOR閃存，不過(guò)NOR閃存現(xiàn)在屬于過(guò)時(shí)的產(chǎn)品了，轉(zhuǎn)向NAND閃存也是自然而然的事了。中芯國(guó)際推出的NAND閃存制程為38nm，與目前主流的20/19nm差了一代，而且東芝、美光新一代的16/15nm制程年底就會(huì)量產(chǎn)，所以中芯國(guó)際與國(guó)際大廠還有一定的差距。
據(jù)官網(wǎng)所說(shuō)，這種NAND制程完全是中芯國(guó)際自主研發(fā)的，38nm工藝對(duì)于降低NAND成本、提高產(chǎn)量來(lái)顯然不如更先進(jìn)的25、20nm，不過(guò)制程低了也有好處，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦寫(xiě)次數(shù)更高，只不過(guò)現(xiàn)在還不清楚中芯國(guó)際的38nm NAND的細(xì)節(jié)。
對(duì)中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)，38nm NAND其實(shí)也是個(gè)過(guò)渡，官方新聞中也提到了這是他們升級(jí)到更先進(jìn)的2x/1xnm及3D閃存的基礎(chǔ)，由此看來(lái)新工藝其實(shí)也是在研發(fā)中了。
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