東芝四日市新廠動土2015年起量產(chǎn)3D NAND

　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。

　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。

　　由于智能型手機與平板電腦需求使然，NAND Flash需求高漲，為東芝NAND事業(yè)帶來大量營收，2013年的全球市占第二，僅次于三星電子(Samsung Electronics);依美國市調(diào)機構(gòu)HIS Global調(diào)查顯示，全球NAND Flash 2014年4~6月市占，東芝甚至超過三星，位居首位。

　　對于NAND Flash的未來策略，東芝社長田中久雄表示，目標是營業(yè)收益超過2,000億日圓(約18.7億美元)。至于達成目標的方式，就是推出更新更好的 NAND Flash，先是將目前采用19納米(nm)制程的生產(chǎn)線，升級為更精細的15納米制程，然后再研發(fā)3D制程，進一步提升線路密度。

　　四日市工廠的第五工廠第二期工程，就是??15納米制程生產(chǎn)線;而第二工廠的新工程，則是3D制程的產(chǎn)品生產(chǎn)線。東芝預定將再投資至少2,000億日圓，從2015年夏季起，進行3D制程NAND Flash的生產(chǎn)，2016年起全面生產(chǎn)。

　　但是，三星的3D制程NAND Flash卻是從2013年起生產(chǎn)，在大陸西安的第二條生產(chǎn)線，則從2014年起量產(chǎn)，東芝在生產(chǎn)技術(shù)上，仍落后于三星，2014年4~6月的市占率領(lǐng)先，只是因為與存儲器大廠新帝(Sandisik)的合作成功，技術(shù)上則居于劣勢。

　　雖然市場分析師表示，三星的3D制程NAND Flash生產(chǎn)成本較高，產(chǎn)品良率也低，因此短時間內(nèi)市場影響力有限，但東芝在相關(guān)的技術(shù)研發(fā)上落后于三星也是事實，隨NAND Flash 3D制程的精進，快閃存儲器容量將很快可以增為現(xiàn)行產(chǎn)品的8倍，傳統(tǒng)制程產(chǎn)品屆時將無可與抗。

　　田中久雄表示，快閃存儲器的2020年全球市場規(guī)模，將為2013年的10倍。因此東芝積極投資提升技術(shù)，以追趕三星，希望2016年來得及與三星重新站在相同起跑線上。