NOVELLUS力推用于65-NM以及更小規(guī)格技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)平面化系統(tǒng)
Novellus Systems總裁 Sass Somekh博士表示:“我們深信Xceda所提供的核心技術(shù)將引領(lǐng)我們擴(kuò)展到32-nm技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),而無(wú)需對(duì)平臺(tái)進(jìn)行分裂性的改進(jìn)。事實(shí)上,近期來(lái)自領(lǐng)先半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)表明:Novellus的CMP技術(shù)方法完全可以應(yīng)用于多孔滲水的超低k值(ULK)材料,生成令人滿意的平面化結(jié)果,其中材料的k值低于2.0。此外,Xceda過(guò)程還被加以優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)有效的除銅,同時(shí)確保超低k值(ULK)材料能夠保持其完整性,不產(chǎn)生水印/缺陷?!?/P>
與傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)設(shè)備相比,Xceda 通過(guò)配備4個(gè)獨(dú)立的拋光模塊,建立了全新的生產(chǎn)率基準(zhǔn),這四個(gè)獨(dú)立拋光模塊對(duì)形成業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能是至關(guān)重要的。該設(shè)備獨(dú)特的經(jīng)由襯墊的溶劑管理連同其獲專利的襯墊設(shè)計(jì),形成了晶圓表面均衡的溶劑流,從而改善了一致性,同時(shí)減少了特征的凹陷和侵蝕。談到此設(shè)備,Novellus 化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)事業(yè)部的副總裁兼總經(jīng)理Damo Srinivas 評(píng)價(jià)如下:“Xceda將幫助我們的客戶實(shí)現(xiàn)他們的技術(shù)目標(biāo),而無(wú)需犧牲對(duì)整體生產(chǎn)效率有重要影響的生產(chǎn)率和可靠性。從根本上講,Xceda代表了一種全新的化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)(CMP)-即將煩瑣的工藝過(guò)程轉(zhuǎn)變?yōu)楦?jiǎn)單、更有效的步驟的技術(shù)?!?/P>
VLSI調(diào)查公司認(rèn)為在快速增長(zhǎng)的銅化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)空間中,Xceda是引人注目的新產(chǎn)品,公司的首席執(zhí)行官(CEO)兼總裁G. Dan Hutcheson 表示道:“Novellus正在再次實(shí)現(xiàn)這樣一個(gè)目標(biāo)-為了滿足層出不窮的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)技術(shù)和產(chǎn)能的需求而進(jìn)行的平臺(tái)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)技術(shù)、生產(chǎn)率、成本和可靠性等困擾化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝過(guò)程的各個(gè)方面?!?Hutcheson 進(jìn)一步補(bǔ)充說(shuō):“當(dāng)設(shè)備的創(chuàng)新特性被賦予了Novellus久經(jīng)考驗(yàn)的銅專家技術(shù)時(shí),它將為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)可以信賴的、用于解決65納米以及更小規(guī)格銅饋線問(wèn)題的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)領(lǐng)域的全新競(jìng)爭(zhēng)者?!?
銅化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)(CMP)市場(chǎng)是增長(zhǎng)最快的工藝過(guò)程細(xì)分之一。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司Dataquest 統(tǒng)計(jì),2003年全球CMP市場(chǎng)總額為7億2千8百萬(wàn)美元,預(yù)計(jì)到2008年這一數(shù)字將達(dá)到8億4千3百萬(wàn)美元。分項(xiàng)跟蹤統(tǒng)計(jì)表明,到2008年,銅化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)(CMP)的市場(chǎng)總額將達(dá)到4億7千3百萬(wàn)美元-其增長(zhǎng)速度是全部化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)市場(chǎng)增長(zhǎng)速度的5倍之多。
Xceda 的技術(shù)和生產(chǎn)率優(yōu)勢(shì)還能夠用于其它膜層的平面化。依托于產(chǎn)品久經(jīng)考驗(yàn)的產(chǎn)能績(jī)效和較低的耗材利用,Novellus 已經(jīng)收到了來(lái)自幾個(gè)客戶的第一個(gè)生產(chǎn)單元的制造委托
Xceda 于2004年6月12-14日期間,在美國(guó)舊金山召開(kāi)的SEMICON West 上展出,展臺(tái)位于舊金山的Yerba Buena Center for the Arts。
XCEDA實(shí)質(zhì)
技術(shù)優(yōu)勢(shì):
獲得專利的拋光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低k值和超低k值材料的整合
經(jīng)由襯墊的直接溶劑分配改善了一致性,減少了溶劑的使用
有效的壓盤(pán)設(shè)計(jì)形成了一個(gè)嵌入式的微通道分配,實(shí)現(xiàn)了一致性和跨整只晶圓的溶劑高目標(biāo)化分配
具備專利技術(shù)的襯墊凹槽的全新襯墊配置實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶圓溶劑的精確控制,從而改善了一致性
多區(qū)域負(fù)載Multi-zone carrier(拋光頭)最大化了對(duì)拋光性能的控制
先進(jìn)的蒸氣干燥機(jī)實(shí)現(xiàn)了防水電介質(zhì)的無(wú)水印干燥
帶電刷的或兆頻超聲波的可配置清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)了工藝過(guò)程的靈活性
生產(chǎn)率優(yōu)勢(shì):
高產(chǎn)能的4個(gè)拋光模塊架構(gòu)
專門(mén)的裝載杯和調(diào)節(jié)裝置實(shí)現(xiàn)了更快的、可靠的晶圓處理
可配置的清洗機(jī)支持了工藝的靈活性
緊湊、簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),便于維護(hù)
工藝過(guò)程中和線上的度量控制實(shí)現(xiàn)了晶圓上100%的實(shí)時(shí)銅特征管理
比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品少18%的處理步驟
成本優(yōu)勢(shì):Cost Advantages:
襯墊尺寸減小了百分之七十70
單只晶圓的襯墊成本降低了百分之50
溶劑的利用率提高到了百分之 40
(在任意模塊組合下獨(dú)立地使用任意損耗材料組合)
空間占用節(jié)約了百分之22
可擴(kuò)展到未來(lái)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)-無(wú)需高成本、復(fù)雜的平臺(tái)變化
評(píng)論