新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > 10kW全橋移相ZVSPWM整流模塊的設(shè)計

10kW全橋移相ZVSPWM整流模塊的設(shè)計

作者: 時間:2014-10-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  0 引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/264223.htm

  在大型發(fā)電廠中,由于需要的直流負荷比較大,蓄電池的容量通常都在2000A·h以上。若采用常規(guī)的10A或20A的開關(guān),一般需要20個或10個以上的模塊并聯(lián),并聯(lián)數(shù)過多,對模塊之間的均流會帶來一定的影響,而且可靠性并不隨著模塊并聯(lián)數(shù)的增加而增加,一般并聯(lián)數(shù)最好在10個以下。目前,在電廠中大容量的直流充電電源采用相控電源的比較多,因此,很有必要開發(fā)針對電廠用戶的大容量開關(guān)整流充電電源。本文介紹的10kW全橋移相正是考慮了這種要求,它采用了加鉗位二極管的ZVS-FBPWM直流變換技術(shù),控制電路采用專用全橋移相控制芯片,同時在輕載時采用了降低開關(guān)頻率等技術(shù),具有重量輕,效率高等優(yōu)點。

  1 主電路設(shè)計與參數(shù)計算

  整流模塊的主電路原理框圖如圖1所示,由輸入EMI濾波器,整流濾波,ZVS全橋變換器,輸出整流濾波和輸出EMI濾波器等組成。

  

主電路原理框圖

 

  圖1 主電路原理框圖

  圖1中由開關(guān)管S1~S4,鉗位二極管D1及D2,諧振電感Lr,隔直電容Cb,主變壓器T1以及吸收電阻和電容等組成全橋移相ZVS變換器,其中S1及S3為超前管,S2及S4為滯后管。S1(S3)超前S4(S2)一定的角度,即移相角。S1~S4采用IGBT單管并聯(lián)組成,開關(guān)頻率為25kHz左右。

  1.1 變壓器參數(shù)的設(shè)計

  由于設(shè)計的全橋移相整流模塊的最大輸出功率接近10kW,若采用常規(guī)的鐵氧體磁芯,由于功率比較大,磁芯不太好選擇,實際設(shè)計中磁芯采用了超微晶磁環(huán)。和鐵氧體相比,超微晶材質(zhì)具有較高的飽和磁密(可達1.2~1.6T)和較低損耗和優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)點,非常適宜用作大功率開關(guān)電源的主變壓器的磁芯。

  本模塊的輸入輸出指標(biāo)為輸入304~456V,輸出198~286V/35A。

  1)直流母線的最低電壓Vdmin

  Vdmin≈Vinmin×1.35=410.4V(1)

  式中:Vinmin為三相輸入電壓最低值304V。

  2)變壓器副邊的最低電壓V2min

  V2min=(Vomax+VD+Vr)/Dmax=(286+3+2)/0.95=306.3V(2)

  式中:Vomax為模塊輸出電壓最高值,取為286V;VD為整流二極管的壓降,取為3V;Vr為變壓器副邊繞組內(nèi)阻壓降和線路壓降,取為2V;Dmax為最大占空比,取為0.95。

  3)變壓器的變比n

  n=Vdmin/V2min=410.4/306.3=1.33

  實際變壓器原邊取為21匝,副邊為16匝,變比為21/16=1.3125。

  1.2 諧振電感Lr參數(shù)的設(shè)計

  在全橋移相ZVS變換器中,在超前管S1(S3)的開關(guān)過程中,由于輸出濾波電感L1與諧振電感Lr是串聯(lián)的,而L1和諧振電感相比一般比較大,因此超前管很容易實現(xiàn)ZVS;而在滯后管S2(S4)的開關(guān)過程中,由于變壓器副邊是短路的,此時依靠諧振電感Lr的能量來實現(xiàn)ZVS,因此滯后管實現(xiàn)ZVS比較困難,一般設(shè)計在1/3滿載負載以上實現(xiàn)零電壓開關(guān)。

  Lr=8CmosVdmax2/3I12[2](3)

  式中:Cmos為開關(guān)管漏源極電容(包括外并電容),實際中取為3300pF;Vdmax為直流母線電壓的最大值,取為

  1.35×456=615.6V;

  I1為滯后臂開關(guān)管關(guān)斷時原邊電流。

  I1=(Iomax/3+ΔI1f/2)/n(4)

  式中:Iomax為輸出電流最大值,取為35A;ΔI1f為允許輸出電感電流的脈動值,取為0.2×35=7.0A。

  由以上數(shù)據(jù)計算可得Lr=24.7μH。

  2 控制電路設(shè)計

  控制電路采用了專用移相控制器件,原理框圖如圖2所示。

  

控制電路框圖

 

  圖2 控制電框圖

  圖2中ISET為電流限流設(shè)定值,VSET為電壓設(shè)定值,分別由微處理器產(chǎn)生;IO為輸出電流值,VFB為輸出電壓反饋值;SHT為故障關(guān)機信號,IPR為原邊電流采樣值。

  采用電流型PWM控制方式,把變壓器原邊電流引入到芯片內(nèi)部,提高了模塊的瞬態(tài)響應(yīng)速度。UC3879輸出的OA,OB,OC,OD4路信號再通過TLP250光耦組成了驅(qū)動電路,分別驅(qū)動S1~S4 4組開關(guān)管。OA/OB,OC/OD相位互補,OA(OB)分別超前OC(OD)一定的移相角。

  由于本全橋移相開關(guān)管采用IGBT,電流關(guān)斷時存在拖尾現(xiàn)象,開關(guān)管兩端并聯(lián)的電容比較大,導(dǎo)致空載損耗比較大。因此,在設(shè)計中采用了模塊輕載時降低開關(guān)頻率的方法,即在輸出電流<0.5A時,使開關(guān)頻率適當(dāng)降低;而當(dāng)輸出電流>0.5A時,使模塊開關(guān)頻率恢復(fù)正常值。降頻的實際電路如圖3所示,IO′為輸出電流值,IREF為設(shè)置的電流閾值。當(dāng)輸出電流超過設(shè)置的電流閾值時,Q1導(dǎo)通,UC3879的振蕩電阻變?yōu)镽28和R17(R17見圖2)并聯(lián);而當(dāng)輸出電流小于設(shè)置的電流閾值時,Q1關(guān)斷,UC3879的振蕩電阻為R17。

  

降頻控制電路

 

  圖3 降頻控制電路

  實測樣機在交流輸入440V時,不降頻的情況下,空載損耗有220W左右,而采用降頻控制技術(shù)后,空載損耗只有130W左右。

  3 實驗結(jié)果

  按照上述設(shè)計思想制作了2臺試驗樣機,表1為其中一臺實測的效率數(shù)據(jù)。

  表1 實測效率

  

 實測效率

 

  輸入電壓380V,輸出電壓240V。

  圖4為2A負載時超前管S1的驅(qū)動波形(CH1)和漏源極波形(CH2);

  

2A負載時S1驅(qū)動波形與漏源極波形

 

  圖4 2A負載時S1驅(qū)動波形與漏源極波形

  圖5為2A負載時滯后管S2的驅(qū)動波形(CH2)和漏源極波形(CH1),從圖5可以看出滯后管還沒有實現(xiàn)ZVS;

  

2A負載時S2驅(qū)動波形與漏源極波形

 

  圖5 2A負載時S2驅(qū)動波形與漏源極波形

  圖6為15A負載時滯后管S2的驅(qū)動波形(CH2)和漏源極波形(CH1),從圖6可以看到滯后管已實現(xiàn)ZVS;

  

15A負載時S2驅(qū)動波形與漏源極波形

 

  圖6 15A負載時S2驅(qū)動波形與漏源極波形

  圖7為35A負載時變壓器的原邊波形(20A/div)。

  

35A負載時變壓器原邊電流波形

 

  圖7 35A負載時變壓器原邊電流波形

  4 結(jié)語

  本文介紹的全橋移相整流模塊的開關(guān)管實現(xiàn)了ZVS,輸出240V、35A時效率達到93.4%;而且由于采用了輕載變頻的技術(shù),使得空載損耗大為降低,具有廣泛的應(yīng)用前景。

光耦相關(guān)文章:光耦原理


dc相關(guān)文章:dc是什么


pwm相關(guān)文章:pwm是什么


pwm相關(guān)文章:pwm原理




關(guān)鍵詞: 整流模塊 ZVSPWM UC3879

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉