集成電路芯片熱機械應(yīng)力特征研究
摘要:本文在試驗和理論兩個方面,系統(tǒng)研究了芯片熱機械應(yīng)力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系,發(fā)現(xiàn)芯片熱機械應(yīng)力隨工作電流呈對數(shù)增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應(yīng)力在不同電流密度下與總工作電流的關(guān)系,從而驗證了上述實驗結(jié)論,并發(fā)現(xiàn)隨著電流密度增加芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力上升速率變快。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/264522.htm引言
隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,電路元件集成度不斷提高,盡管芯片總功耗在降低,由于芯片面積和元件尺寸不斷減小,導致芯片的熱功耗密度不斷增大,芯片內(nèi)部溫度和熱機械應(yīng)力隨之變得異常復雜[1]。在正常工作條件下,芯片產(chǎn)生非均勻交變溫度場,芯片中元件組成部分間熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion) 的不同而導致產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生熱機械應(yīng)力及熱機械應(yīng)力不均勻問題,當芯片局域熱機械應(yīng)力達到一定程度會對芯片可靠性造成嚴重影響。目前研究人員主要關(guān)注封裝對芯片熱應(yīng)力的影響,王宏偉研究發(fā)現(xiàn)基于熱力學理論,針對典型塑料方形扁平封裝體PQFP在工作過程中的受熱失效問題,研究發(fā)現(xiàn)非均勻溫度場和材料熱膨脹系數(shù)的不匹配的綜合作用,使各層接觸的邊角處,芯片和粘結(jié)層以及芯片和外殼之間存在較大熱應(yīng)力[2];孫炳華利用有限元方法給出了在穩(wěn)態(tài)情況下,CSP結(jié)構(gòu)的熱應(yīng)力分布狀況[3];研究發(fā)現(xiàn)在芯片工作過程中內(nèi)部局域熱機械應(yīng)力達到一定值會導致芯片失效[4-5]。對集成電路芯片熱機械應(yīng)力研究相對較少,研究人員利用GDSM方法(Gradient Direction Sensor Method)對大規(guī)模集成電路芯片的熱機械應(yīng)力進行了研究,給出了降低芯片局域熱峰值的可能措施[6-7]。
本文作者設(shè)計了一款芯片模型,在實驗上測得了芯片工作電流密度與熱機械應(yīng)力的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)芯片熱機械應(yīng)力隨電流密度呈對數(shù)增加,在理論上利用有限元方法驗證了上述結(jié)論。
1 芯片模型及有限元計算描述
為了精確考核芯片熱機械應(yīng)力特征,作者專門設(shè)計了一款芯片,示意圖如圖1(a)所示。芯片中最底下是GaAs基襯底,厚度為100μm,中間是PN結(jié)外延層,厚度為3μm。為了最大程度模擬芯片局域熱機械應(yīng)力狀況,在最上面設(shè)置了五條金屬窗口,電路可以通過此窗口加載到芯片上,稱之為“熱源”,其寬度為10μm,間距為100μm。
有限元模擬計算模型建立如圖1(b)所示,基于三維有限元方法,芯片溫度分布通過解熱傳導方程得到:
熱應(yīng)力應(yīng)變分布可以根據(jù)下面公式由溫度分布轉(zhuǎn)換而得到:
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