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英特爾新技術(shù):存儲(chǔ)器耗電至少降低25倍

作者: 時(shí)間:2014-11-19 來(lái)源:ithome 收藏


本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/265602.htm


  副總裁暨實(shí)驗(yàn)室執(zhí)行總監(jiān)王文漢展示與工研院合作開(kāi)發(fā)的新陣列記憶體原型。

  在臺(tái)舉辦亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會(huì),展示和工研院合作開(kāi)發(fā)的新記憶體技術(shù),較現(xiàn)有DDR DRAM記憶體更省電,耗電降低至少25倍,未來(lái)可望為行動(dòng)運(yùn)算裝置延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

  是在2011年宣布將分5年投入500萬(wàn)美元,由英特爾實(shí)驗(yàn)室和工研院共同開(kāi)發(fā)新的記憶體技術(shù),以改善現(xiàn)有記憶體速度與耗電??蛇\(yùn)用于手機(jī)、平板電腦、PC,到超級(jí)運(yùn)算或大型資料中心。今天的亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會(huì)上英特爾則宣布和臺(tái)灣產(chǎn)官學(xué)界合作的初步研發(fā)成果。

  英特爾副總裁暨實(shí)驗(yàn)室執(zhí)行總監(jiān)王文漢現(xiàn)場(chǎng)展示了和工研院合作開(kāi)發(fā)的陣列式記憶體原型,新記憶體技術(shù)較現(xiàn)有DRAM傳輸延遲減少4倍,耗電上降低至少25倍,傳輸頻寬則比DDR3記憶體提升3到4倍。

  新的陣列記憶體運(yùn)用3-D堆疊技術(shù),以矽穿孔(through silicon via, TSV)在邏輯元件晶粒上堆疊出3D結(jié)構(gòu),達(dá)到提升頻寬、降低耗電的目的。英特爾指出,陣列記憶體的原型技術(shù)未來(lái)可用在行動(dòng)裝置的SoC系統(tǒng)單晶片或資料中心大型陣列記憶體的控制器。

  對(duì)于該技術(shù)何時(shí)步入商品化,王文漢表示,這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)階段仍在實(shí)驗(yàn)階段,距離商品化仍有段距離,希望進(jìn)一步優(yōu)化技術(shù),降低生產(chǎn)的成本,在適當(dāng)時(shí)機(jī)商品化。

  英特爾實(shí)驗(yàn)室為英特爾內(nèi)部的研究單位,過(guò)去孕育許多技術(shù)并已推向市場(chǎng),例如高速傳輸介面Thunderbolt、低功耗處理器Atom、Wireless Display無(wú)線(xiàn)顯示技術(shù),還有今年在CES發(fā)表的小型晶片Edison,大小與郵票相當(dāng),內(nèi)建Atom處理器及簡(jiǎn)單的I/O、通訊功能,希望催生出更多物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置的創(chuàng)新產(chǎn)品。

  英特爾今天也展示人機(jī)互動(dòng)介面、IoT物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電等領(lǐng)域與各方合作的研究成果。

  ↓英特爾以Quark處理器推出的Galileo開(kāi)發(fā)板,以推動(dòng)各界開(kāi)發(fā)低功耗的裝置,現(xiàn)場(chǎng)展示一臺(tái)自動(dòng)調(diào)酒機(jī)器,機(jī)器連結(jié)了果汁、汽水等多種飲科,使用者只要在前方平板電腦上選擇想要的飲料后,機(jī)器就會(huì)自動(dòng)制作調(diào)配。



  ↓具有心跳偵測(cè)功能的耳機(jī)。



  ↓穿戴裝置市場(chǎng)正快速發(fā)展,英特爾并購(gòu)專(zhuān)門(mén)推出個(gè)人健康、保健產(chǎn)品的BASIS,現(xiàn)場(chǎng)展出BASIS的智慧表,可測(cè)量使用者心跳、步行距離。



  ↓無(wú)線(xiàn)充電未來(lái)可能大舉走入人們生活,現(xiàn)場(chǎng)展示一款無(wú)線(xiàn)充電碗,采用A4WP的無(wú)線(xiàn)充電技術(shù),只要將支援無(wú)線(xiàn)充電的裝置放入碗中,裝置不需要連接實(shí)體的線(xiàn)纜就會(huì)自動(dòng)充電。


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