智原發(fā)表完整硅智財(cái)，擴(kuò)展聯(lián)華電子55納米eFlash制程平臺(tái)解決方案

　　聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技今日(12日)共同發(fā)表，在聯(lián)電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎(chǔ)硅智財(cái)組件庫(kù)(cell library)、內(nèi)存編譯程序(memory compiler)，以及關(guān)鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時(shí)滿足市場(chǎng)對(duì)低功耗與高密度的設(shè)計(jì)需求，尤其適用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應(yīng)用。

　　對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間待機(jī)的電子裝置，為了延長(zhǎng)電池續(xù)航力，低功耗的設(shè)計(jì)是首要門坎。為了滿足這樣的需求，智原透過低漏電內(nèi)存周邊的優(yōu)化設(shè)計(jì)，將內(nèi)存編譯程序的功耗大幅降低，甚至在待機(jī)模式(stand-by mode)時(shí)，降低幅度達(dá)70%以上。功能強(qiáng)大的I/O組件庫(kù)在數(shù)字與模擬接口都有提供，并有一套與5.0伏特接口兼容的高壓I/O組件庫(kù)可供選擇。這些IO組件庫(kù)都是采用聯(lián)電高臨界電壓HVT(high threshold voltage)的核心組件所設(shè)計(jì)完成， 以達(dá)到降低漏電的功能。除了基礎(chǔ)IP之外，智原也開發(fā)完成了一些關(guān)鍵接口IP，包含采HVT設(shè)計(jì)的低功耗USB 2.0 OTG PHY，在閑置狀態(tài)(idle mode)下，相較于傳統(tǒng)方法所設(shè)計(jì)出的OTG PHY，大幅降低了65%的功耗。

　　智原科技市場(chǎng)處處長(zhǎng)暨發(fā)言人顏昌盛表示：「針對(duì)低功耗的應(yīng)用產(chǎn)品，智原從0.18微米、0.11微米、到現(xiàn)在的55納米eFlash制程，與聯(lián)電始終保持非常密切的合作關(guān)系，以建構(gòu)強(qiáng)大的解決方案平臺(tái)，提供客戶采用。智原奠基于長(zhǎng)期以來所累積的IP開發(fā)實(shí)力以及對(duì)聯(lián)電制程的熟悉度，所以這次得以推出大幅降低功耗的硅智財(cái)。而隨著這項(xiàng)重大里程碑的達(dá)成，以及智原與聯(lián)電的持續(xù)合作，相信雙方的客戶都將能在最短的時(shí)間內(nèi)，攫取物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的新興商機(jī)。」

　　聯(lián)華電子硅智財(cái)研發(fā)暨設(shè)計(jì)支持資深處長(zhǎng)林世欽表示：「聯(lián)華電子持續(xù)致力于擴(kuò)大我們?cè)贗P數(shù)據(jù)庫(kù)上的建構(gòu)，以帶給物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)計(jì)人員更滿意的低功耗效益。我們的55納米低功耗SST eFlash技術(shù)是一個(gè)已經(jīng)被廣泛采用、有強(qiáng)大IP與設(shè)計(jì)資源投入、可供量產(chǎn)的制程。很高興能有智原加入聯(lián)電55納米制程平臺(tái)的解決方案，協(xié)助客戶進(jìn)一步擴(kuò)展功耗導(dǎo)向的應(yīng)用市場(chǎng)商機(jī)。聯(lián)華電子期待能和智原有更進(jìn)一步的合作，以滿足未來需求?！?/p>

　　智原的完整55納米低功耗SST eFlash IP包含有標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)、內(nèi)存編譯程序、可編程 diffusion ROM、Via ROM、IO組件以及低功耗USB 2.0 OTG PHY等。而因應(yīng)不同需求，有包含7軌的miniLib™、8軌的通用型組件庫(kù)，以及12軌的UHS-Lib™ 可供選擇。同時(shí)，全系列也都搭載了PowerSlash、多種電壓Vt組件等低功耗管理機(jī)制所需的組件庫(kù)。