智原發(fā)表完整硅智財，擴展聯(lián)華電子55納米eFlash制程平臺解決方案

　　聯(lián)華電子與ASIC設計服務領導廠商智原科技今日(12日)共同發(fā)表，在聯(lián)電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎硅智財組件庫(cell library)、內(nèi)存編譯程序(memory compiler)，以及關鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求，尤其適用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應用。

　　對于需要長時間待機的電子裝置，為了延長電池續(xù)航力，低功耗的設計是首要門坎。為了滿足這樣的需求，智原透過低漏電內(nèi)存周邊的優(yōu)化設計，將內(nèi)存編譯程序的功耗大幅降低，甚至在待機模式(stand-by mode)時，降低幅度達70%以上。功能強大的I/O組件庫在數(shù)字與模擬接口都有提供，并有一套與5.0伏特接口兼容的高壓I/O組件庫可供選擇。這些IO組件庫都是采用聯(lián)電高臨界電壓HVT(high threshold voltage)的核心組件所設計完成， 以達到降低漏電的功能。除了基礎IP之外，智原也開發(fā)完成了一些關鍵接口IP，包含采HVT設計的低功耗USB 2.0 OTG PHY，在閑置狀態(tài)(idle mode)下，相較于傳統(tǒng)方法所設計出的OTG PHY，大幅降低了65%的功耗。

　　智原科技市場處處長暨發(fā)言人顏昌盛表示：「針對低功耗的應用產(chǎn)品，智原從0.18微米、0.11微米、到現(xiàn)在的55納米eFlash制程，與聯(lián)電始終保持非常密切的合作關系，以建構強大的解決方案平臺，提供客戶采用。智原奠基于長期以來所累積的IP開發(fā)實力以及對聯(lián)電制程的熟悉度，所以這次得以推出大幅降低功耗的硅智財。而隨著這項重大里程碑的達成，以及智原與聯(lián)電的持續(xù)合作，相信雙方的客戶都將能在最短的時間內(nèi)，攫取物聯(lián)網(wǎng)市場的新興商機?！?/p>

　　聯(lián)華電子硅智財研發(fā)暨設計支持資深處長林世欽表示：「聯(lián)華電子持續(xù)致力于擴大我們在IP數(shù)據(jù)庫上的建構，以帶給物聯(lián)網(wǎng)芯片設計人員更滿意的低功耗效益。我們的55納米低功耗SST eFlash技術是一個已經(jīng)被廣泛采用、有強大IP與設計資源投入、可供量產(chǎn)的制程。很高興能有智原加入聯(lián)電55納米制程平臺的解決方案，協(xié)助客戶進一步擴展功耗導向的應用市場商機。聯(lián)華電子期待能和智原有更進一步的合作，以滿足未來需求。」

　　智原的完整55納米低功耗SST eFlash IP包含有標準組件庫、內(nèi)存編譯程序、可編程 diffusion ROM、Via ROM、IO組件以及低功耗USB 2.0 OTG PHY等。而因應不同需求，有包含7軌的miniLib™、8軌的通用型組件庫，以及12軌的UHS-Lib™ 可供選擇。同時，全系列也都搭載了PowerSlash、多種電壓Vt組件等低功耗管理機制所需的組件庫。