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格芯面向IoT和汽車應(yīng)用推出業(yè)界首款基于22FDX平臺(tái)且可批量生產(chǎn)的eMRAM
- 通過(guò)在ECC-off模式下的較大工作溫度范圍(-40至125℃)內(nèi)實(shí)現(xiàn)封裝級(jí)產(chǎn)品功能和可靠性,我們展示了適用于工業(yè)級(jí)MCU和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用且可用于生產(chǎn)的22nm FD-SOI嵌入式MRAM (eMRAM)產(chǎn)品。我們對(duì)磁隧道結(jié)(MTJ)堆疊、集成和蝕刻工藝進(jìn)行了優(yōu)化,使其符合400℃ BEOL和HPD2后退火工藝要求,并實(shí)現(xiàn)MTJ性能,從而滿足所有產(chǎn)品要求。從封裝級(jí)數(shù)據(jù)可以確認(rèn),eMRAM產(chǎn)品通過(guò)了標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試,如LTOL(168小時(shí))、HTOL(500小時(shí))、1個(gè)月周期耐久性測(cè)試以及5次焊料回流測(cè)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體制造 eFlash
聯(lián)華電子採(cǎi)用晶圓專工業(yè)界第一個(gè)0.11微米eFlash製程,量產(chǎn)觸控IC
- 聯(lián)華電子今日(22日)宣佈已採(cǎi)用0.11微米eFlash製程量產(chǎn)觸控IC應(yīng)用產(chǎn)品。此特殊技術(shù)最初于2012年底于聯(lián)華電子推出,是為晶圓專工業(yè)界第一個(gè)結(jié)合12V與純鋁后段(BEoL)製程,以因應(yīng)次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM,以便用于各尺寸觸控螢?zāi)划a(chǎn)品的微控制器時(shí),0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件,并可達(dá)到更高效能。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處資深處長(zhǎng)黃克勤表示:「觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作介面。聯(lián)華電子觸控平臺(tái)解決方案其
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瑞薩電子開(kāi)發(fā)28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)
- 瑞薩電子(Renesas Electronics)已開(kāi)發(fā)全新快閃記憶體技術(shù),可達(dá)到更快的讀取與覆寫速度。這項(xiàng)新的技術(shù)是針對(duì)采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計(jì)。 為因應(yīng)近來(lái)的環(huán)境議題,世界各國(guó)對(duì)于汽車性能的法規(guī)(CO2排放、燃油效率及廢氣)皆日趨嚴(yán)格。因此,傳動(dòng)系統(tǒng)必須支援新的引擎控制方法。此外,先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)現(xiàn)在希望能創(chuàng)造安全、防護(hù)及舒適的汽車體驗(yàn)。為因應(yīng)上述市場(chǎng)需求,汽車MCU必須進(jìn)一步提升效能,甚至進(jìn)一步降低
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 eFlash
智原發(fā)表完整硅智財(cái),擴(kuò)展聯(lián)華電子55納米eFlash制程平臺(tái)解決方案
- 聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技今日(12日)共同發(fā)表,在聯(lián)電55納米低功耗嵌入式閃存(embedded flash, eFlash)制程的基礎(chǔ)硅智財(cái)組件庫(kù)(cell library)、內(nèi)存編譯程序(memory compiler),以及關(guān)鍵接口IP等。這套完整的55納米eFlash解決方案可同時(shí)滿足市場(chǎng)對(duì)低功耗與高密度的設(shè)計(jì)需求,尤其適用于各種物聯(lián)網(wǎng)(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應(yīng)用。 對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間待機(jī)的電子裝置,
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聯(lián)華電子驗(yàn)證晶圓專工業(yè)界第一個(gè)12V eFlash解決方案
- 聯(lián)華電子近日宣布,已順利驗(yàn)證晶圓專工業(yè)界第一個(gè)結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動(dòng)高壓,以及存放算法所需的eFlash,結(jié)合于同一顆高整合度的單芯片中,并且有效地改善信噪比(SNR)。
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