面向智能化和物聯(lián)網(wǎng)的電源解決方案

　　所謂數(shù)字電源，是在其中加入了數(shù)字的內(nèi)核(例如DSP和處理器)，有一個通信的接口和主處理器相連接，它可以和主處理器進(jìn)行雙向通信。而模擬電源使用的是模擬控制器。數(shù)字電源可能還有內(nèi)存，內(nèi)存事先儲存了多個預(yù)先設(shè)置的配置。和傳統(tǒng)的模擬的解決方案相比，它的效率更高，波紋更低，對瞬態(tài)響應(yīng)速度更快。

　　Altera在其FPGA Enpirion電源解決方案中增加了30A PowerSoC DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。30A EM1130是其集成數(shù)字DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器系列的第一款產(chǎn)品，為Altera的第10代FPGA提供電源管理功能，特別是Arria 10和Stratix 10 FPGA內(nèi)核以及收發(fā)器電源軌。Altera公司全球業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)Patrick Wadden稱，該產(chǎn)品也可以支持其他廠商的FPGA，還有一些高端的ASIC/SoC、嵌入式處理器、內(nèi)存和SSD廠商等。

　　TI：組合方案可滿足差異化需求

　　數(shù)字電源

　　談到數(shù)字電源，德州儀器(TI)非隔離電源全球市場總監(jiān)James MacDonald說，數(shù)字電源的優(yōu)勢是可實現(xiàn)復(fù)雜的電壓調(diào)節(jié)。一般分為數(shù)字電源控制器、帶數(shù)字接口的電源穩(wěn)壓器，數(shù)字電源時序器和數(shù)字熱插拔控制器等。TI的優(yōu)勢是有業(yè)內(nèi)廣泛的數(shù)字電源IC產(chǎn)品組合，并且有市場上唯一一款PMBus負(fù)載點穩(wěn)壓器，具有電流高達(dá)30A的集成式FET。

　　為了簡化數(shù)字電源設(shè)計，近日，TI推出了數(shù)字電源BoosterPack，與TI的F28069 LaunchPad開發(fā)套件組合使用，即可簡化對降壓轉(zhuǎn)換器的控制。其集成了C28x實時處理內(nèi)核以及精密控制外設(shè)的TI F2806x MCU，由9V電壓供電運(yùn)行，消除了高電壓系統(tǒng)開發(fā)的風(fēng)險，并由powerSUITE圖形化軟件工具提供支持，可助力功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源、AC/DC電源和太陽能逆變器等數(shù)字應(yīng)用。

　　寬Vin DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　另外，TI還在模擬電源技術(shù)上不斷突破，包括兩款新的寬Vin(輸入電壓) DC/DC轉(zhuǎn)換器。具體地，支持Fly-Buck™ 功能的65V同步降壓轉(zhuǎn)換器號稱業(yè)內(nèi)首款，它在無需光耦合器(因無需光耦，因此英文是“Fly”)的情況下，仍可提供高達(dá)15W的隔離式偏置電源。作為Fly-Buck電源產(chǎn)品組合的部件之一，LM5160A提升了功率密度，并且以更高效和可靠的方式解決了工業(yè)和汽車應(yīng)用中較高的功率需求。例如，LM5160A轉(zhuǎn)換器特有無需環(huán)路補(bǔ)償?shù)暮愣ń油〞r間控制，并用快速瞬變響應(yīng)支持高降壓比。此外，相對于傳統(tǒng)反激式解決方案，這款轉(zhuǎn)換器也簡化了設(shè)計工作。

　　零待機(jī)功耗：適合75W AC電源的PSR

　　電源適配器插在插座上，即使沒有給手機(jī)、平板電腦等用電器充電，仍在耗電。因此，在高功率AC/DC電源的低待機(jī)功耗PSR(初級側(cè)穩(wěn)壓)方案方面，現(xiàn)有初級側(cè)穩(wěn)壓電源的主要設(shè)計局限在于：如何在保持低待機(jī)功率的情況下仍然保證較高的瞬變響應(yīng)性能。為此，TI推出了業(yè)內(nèi)首款可應(yīng)用于75W功率的AC/DC反激式電源的零待機(jī)功耗控制器芯片集，待機(jī)功耗堪稱業(yè)內(nèi)最低。新的UCC28730初級側(cè)穩(wěn)壓 (PSR) 反激式控制器具有700V啟動開關(guān)和UCC24650喚醒監(jiān)視器，可將電源效率提升到全新水平。它還支持5~24V輸出電壓，能夠幫助設(shè)計人員為電視、家用電器、AC適配器、通風(fēng)供熱和空調(diào)系統(tǒng) (HVAC)，以及樓宇自動化系統(tǒng)創(chuàng)造更小巧、更高效的電源。

　　首款采用QFN封裝的GaN半橋功率級

　　GaN被稱為第三代半導(dǎo)體材料，相比于第一代Si和第二代GaAs等，GaN的優(yōu)勢是可以最大限度地提高功率密度。但是，過去基于GaN的電源設(shè)計面對的一大挑戰(zhàn)是與驅(qū)動GaN FET有關(guān)的不確定性，以及由封裝方式和設(shè)計布局布線所導(dǎo)致的寄生效應(yīng)。為此，TI近日發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊LMG5200，是全集成GaN FET功率級原型機(jī)，可幫助電源設(shè)計人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計，為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。

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