新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > 賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁,具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世

賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁,具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世

作者: 時間:2015-04-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  靜態(tài)隨機存取存儲器()市場領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體公司日前宣布,其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步正在出樣。這些新款的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性,而無需額外的錯誤校正芯片,從而簡化了設(shè)計,并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費及汽車等應(yīng)用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/272926.htm

  由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容,造成重要數(shù)據(jù)的遺失。新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能,而無需用戶干預(yù),能達(dá)到業(yè)界最佳的小于0.1 FIT/Mb的軟錯誤率(SER)性能(一個FIT等于器件每工作十億小時發(fā)生一次錯誤)。這些新款器件與現(xiàn)有的快速異步和低功耗SRAM管腳兼容,客戶無需改變電路板設(shè)計,即可提高系統(tǒng)的可靠性。這些4Mb SRAM還有可選的錯誤指示信號,可指示單比特錯誤的校正。

  異步SRAM業(yè)務(wù)部高級總監(jiān)Sunil Thamaran說:“去年我們推出了首款具有片上ECC功能的16Mb異步SRAM,客戶反響強烈。增加一款不同容量的產(chǎn)品,可使片上ECC技術(shù)造福于更多的應(yīng)用。賽普拉斯一直致力于開發(fā)新的SRAM技術(shù),為客戶更好地服務(wù),同時鞏固我們在市場中不可撼動的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

  賽普拉斯4Mb異步SRAM有三款可選——快速4Mb SRAM、MoBL(更長電池壽命)4Mb SRAM、帶PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠節(jié)能模式,該模式下最大電流僅為15 uA)。每款均為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的x8或x16配置。這些器件可在多種電壓下工作(1.8V、3V和5V),溫度范圍是-40°C 到 +85°C(工業(yè)級)和-40°C 到 +125°C(汽車E級)。

  供貨情況

  這些新款SRAM的工業(yè)級溫度范圍產(chǎn)品目前正在出樣,預(yù)計2015年7月量產(chǎn)。封裝方式為符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。



關(guān)鍵詞: 賽普拉斯 SRAM

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉