淺談集成電路對(duì)EMI設(shè)計(jì)的影響

　　電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù)，一般來(lái)說(shuō)，越接近EMI源，實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡(jiǎn)化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。

　　在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類(lèi)型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。

　　集成電路EMl來(lái)源

　　PCB中集成電路EMI的來(lái)源主要有：數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過(guò)程中，輸出端產(chǎn)生的方波信號(hào)頻率導(dǎo)致的EMl信號(hào)電壓和信號(hào)電流電場(chǎng)和磁場(chǎng)芯片自身的電容和電感等。

　　集成電路芯片輸出端產(chǎn)生的方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。最高EMI頻率也稱(chēng)為EMI發(fā)射帶寬，它是信號(hào)上升時(shí)間(而不是信號(hào)頻率)的函數(shù)。

　　計(jì)算EMI發(fā)射帶寬的公式為：f=0.35/Tr

　　式中，廠是頻率，單位是GHz;7r是信號(hào)上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns.

　　從、L：述么：式中可以看出，如果電路的開(kāi)關(guān)頻率為50MHz，而采用的集成電路芯片的上升時(shí)間是1ns，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將達(dá)到350MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于該電路的開(kāi)關(guān)頻率。而如果匯的—上升時(shí)間為5肋Fs，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將高達(dá)700MHz.

　　電路中的每一個(gè)電壓值都對(duì)應(yīng)一定的電流，同樣每一個(gè)電流都存在對(duì)應(yīng)的電壓。當(dāng)IC的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時(shí)，這些信號(hào)電壓和信號(hào)電流就會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，而這些電場(chǎng)和磁場(chǎng)的最高頻率就是發(fā)射帶寬。電場(chǎng)和磁場(chǎng)的強(qiáng)度以及對(duì)外輻射的百分比，不僅是信號(hào)上升時(shí)間的函數(shù)，同時(shí)也取決于對(duì)信號(hào)源到負(fù)載點(diǎn)之間信號(hào)通道上電容和電感的控制的好壞，因此，信號(hào)源位于PCB板的匯內(nèi)部，而負(fù)載位于其他的IC內(nèi)部，這些IC可能在PCB上，也可能不在該P(yáng)CB上。為了有效地控制EMI，不僅需要關(guān)注匯;芭片自身的電容和電感，同樣需要重視PCB上存在的電容和電感。

　　當(dāng)信號(hào)電壓與信號(hào)回路之間的鍋合不緊密時(shí)，電路的電容就會(huì)減小，因而對(duì)電場(chǎng)的抑制作用就會(huì)減弱，從而使EMI增大;電路中的電流也存在同樣的情況，如果電流同返回路徑之間鍋合不;佳，勢(shì)必加大回路上的電感，從而增強(qiáng)了磁場(chǎng)，最終導(dǎo)致EMI增加。這充分說(shuō)明，對(duì)電場(chǎng)控制不佳通常也會(huì)導(dǎo)致磁場(chǎng)抑制不佳。用來(lái)控制電路板中電磁場(chǎng)的措施與用來(lái)抑制IC封裝中電磁場(chǎng)的措施大體相似。正如同PCB設(shè)計(jì)的情況，IC封裝設(shè)計(jì)將極大地影響EMI.

　　電路中相當(dāng)一部分電磁輻射是由電源總線中的電壓瞬變?cè)斐傻?。?dāng)匯的輸出級(jí)發(fā)：跳變并驅(qū)動(dòng)相連的PCB線為邏輯“高”時(shí)，匯芯片將從電源中吸納電流，提供輸出級(jí)月需的能量。對(duì)于IC不斷轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的超高頻電流而言，電源總線姑子PCB上的去輥網(wǎng)絡(luò)止于匯的輸出級(jí)。如果輸出級(jí)的信號(hào)上升時(shí)間為1.0ns，那么IC要在1.0ns這么短的時(shí)P內(nèi)從電源上吸納足夠的電流來(lái)驅(qū)動(dòng)PCB上的傳輸線。電源總線上電壓的瞬變?nèi)Q于電源j線路徑上的申。感、吸納的電流以及電流的傳輸時(shí)間。電壓的瞬變由公式所定義，L是電流傳輸路徑上電感的值;dj表示信號(hào)上升時(shí)間間隔內(nèi)電流的變化;dz表示d流的傳輸時(shí)間(信號(hào)的上升時(shí)間)的變化。

　　由于IC管腳以及內(nèi)部電路都是電源總線的一部分，而且吸納電流和輸出信號(hào)的上于時(shí)間也在一定程度上取決于匯的工藝技術(shù)，因此選擇合適的匯就可以在很大程度上控偉上述公式中提到的三個(gè)要素。

　　封裝特征在電磁干擾控制中的作用

　　IC封裝通常包括硅基芯片、一個(gè)小型的內(nèi)部PCB以及焊盤(pán)。硅基芯片安裝在小型64PCB上，通過(guò)綁定線實(shí)現(xiàn)硅基芯片與焊盤(pán)之間的連接，在某些封裝中也可以實(shí)現(xiàn)直接連接小型PCB實(shí)現(xiàn)硅基芯片上的信號(hào)和電源與匯封裝上的對(duì)應(yīng)管腳之間的連接，這樣就實(shí)到了硅基芯片上信號(hào)和電源節(jié)點(diǎn)的對(duì)外延伸。因此，該匯的電源和信號(hào)的傳輸路徑包括餡基芯片、與小型PCB之間的連線、PCB走線以及匯封裝的輸入和輸出管腳。對(duì)電容和宅感(對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)和磁場(chǎng))控制的好壞在很大程度上取決于整個(gè)傳輸路徑設(shè)計(jì)的好壞，某些設(shè)計(jì)特征將直接影響整個(gè)IC芯片封裝的電容和電感。

　　先看硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接方式。許多的匯芯片都采用綁定線來(lái)實(shí)頸硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接，這是一種在硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的極細(xì)6t電線。這種技術(shù)之所以應(yīng)用廣泛是因?yàn)楣杌酒蛢?nèi)部小電路板的熱脹系數(shù)(CU)相近‘芯片本身是一種硅基器件，其熱脹系數(shù)與典型的PCB材料(如環(huán)氧樹(shù)脂)的熱脹系數(shù)有相大的差別。如：果硅基芯片的電氣連接點(diǎn)直接安裝在內(nèi)部小PCB上的話，那么在一段相對(duì)較短的時(shí)間之后，IC封裝內(nèi)部溫度的變化導(dǎo)致熱脹冷縮，這種方式的連接就會(huì)因?yàn)閿嗔讯?。綁定線是一種適應(yīng)這種特殊環(huán)境的引線方式，它可以承受較大負(fù)荷的彎曲變形而不容易斷裂

　　采用綁定線的問(wèn)題在于，每一個(gè)信號(hào)或者電源線的電流環(huán)路面積的增加將導(dǎo)致電感值升高。獲得較低電感值的優(yōu)良設(shè)計(jì)就是實(shí)現(xiàn)硅基芯片與內(nèi)部PCB之間的直接連接，也就是說(shuō)硅基芯片的連接點(diǎn)直接聯(lián)結(jié)在PCB的焊盤(pán)上。這就要求選擇使用一種特殊的PCB板基材料，這種材料應(yīng)該具有極低的熱膨脹系數(shù)。而選擇這種材料將導(dǎo)致匯芯片整體成本的增加，因而采用這種工藝技術(shù)的芯片并不常見(jiàn)，但是只要這種將硅基芯片與載體PCB直接連接的IC存在：并且在設(shè)計(jì)方案中可行，那么采用這樣的IC器件就是較好的選擇。

　　一般來(lái)說(shuō)，在匯封裝設(shè)計(jì)中，降低電感并且增大信號(hào)與對(duì)應(yīng)回路之間或者電源與地之間電容是選擇集成電路芯片過(guò)程的首要考慮因素。舉例來(lái)說(shuō)，小間距的表面貼裝與大間距的表面貼裝：工藝相比，應(yīng)該優(yōu)先考慮選擇采用小間距的表面貼裝工藝封裝的匯芯片，而這兩種類(lèi)型的表面貼裝工藝封裝的IC芯片都優(yōu)于過(guò)孔引線類(lèi)型的封裝。BGA封裝的匯芯片同任何常用的封裝類(lèi)型相比具有最低的引線電感。從電容和電感控制的角度來(lái)看，小型的封裝和更細(xì)的間距通?？偸谴硇阅艿奶岣?。

　　引線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要特征是管腳的分配。由于電感和電容值的大小都取決于信號(hào)或者是電源與返回路徑之間的接近程度，因此要考慮足夠多的返回路徑。