也來談?wù)凟MI和EMC電路中磁珠和電感的不同作用

　　磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多 用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號(hào)，象一些RF電 路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問題。

　　磁 珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，也有抑制電感的作用。但從原理方面來看，磁珠可等效成一個(gè)電感，等于還是存在一定的 區(qū)別，最大區(qū)別在于電感線圈有分布電容。因此，電感線圈就相當(dāng)于一個(gè)電感與一個(gè)分布電容并聯(lián)。如圖1所示。圖1中，LX為電感線圈的等效電感(理想電 感)，RX為線圈的等效電阻，CX為電感的分布電容。

　　圖1 電感線圈的等效電路圖

　　理論上對(duì)傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，要求抑制電感的電感量越大越好，但對(duì)于電感線圈來說，電感量越大，則電感線圈的分布電容也越大，兩者的作用將會(huì)互相抵消。

　　圖2 普通電感線圈的阻抗與頻率的關(guān)系圖

　　圖 2是普通電感線圈的阻抗與頻率的關(guān)系圖，由圖中可以看出，電感線圈的阻抗開始的時(shí)候是隨著頻率升高而增大的，但當(dāng)它的阻抗增大到最大值以后，阻抗反而隨著 頻率升高而迅速下降，這是因?yàn)椴⒙?lián)分布電容的作用。當(dāng)阻抗增到最大值的地方，就是電感線圈的分布電容與等效電感產(chǎn)生并聯(lián)諧振的地方。圖中，L1 > L2 > L3,由此可知電感線圈的電感量越大，其諧振頻率就越低。從圖2中可以看出，如果要對(duì)頻率為1MHZ的干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，選用L1倒不如選用L3,因?yàn)?L3的電感量要比L1小十幾倍，因此L3的成本也要比L1低很多。

　　如果我們還要對(duì)抑制頻率進(jìn)一步提高，那么我們最后選用的電感線圈就只好是它的最小極限值，只有1圈或不到1圈了。磁珠，即穿心電感，就是一個(gè)匝數(shù)小于1圈的電感線圈。但穿心電感比單圈電感線圈的分布電容小好幾倍到幾十倍，因此，穿心電感比單圈電感線圈的工作頻率更高。

　　穿 心電感的電感量一般都比較小，大約在幾微亨到幾十微亨之間，電感量大小與穿心電感中導(dǎo)線的大小以及長(zhǎng)度，還有磁珠的截面積都有關(guān)系，但與磁珠電感量關(guān)系最 大的還要算磁珠的相對(duì)導(dǎo)磁率Uy.圖3、圖4是分別是指導(dǎo)線和穿心電感的原理圖，計(jì)算穿心電感時(shí)，首先要計(jì)算一根圓截面直導(dǎo)線的電感，然后計(jì)算結(jié)果乘上磁 珠相對(duì)導(dǎo)磁率 就可以求出穿心電感的電感量。

　　圖3 圓截面直導(dǎo)線的電感圖

　　圖4 磁珠穿心電感圖