英飛凌新一代CoolMOS?可減少50%的開關損耗;專用EiceDRIVER? IC 可進一步節(jié)省空間和設計成本
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關損耗,在PFC、TTF和其他硬切換拓撲結構中可實現和GaN類似的性能水平。CoolMOS C7在業(yè)內率先實現1 Ω/mm2的面比電阻(RDS(ON)*A),它進一步擴展了英飛凌的最低每封裝RDS(ON)產品組合,可支持客戶進一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具備超低開關損耗,適合大功率開關電源(SMPS)應用——比如服務器、電信、太陽能以及需要提高效率、降低組件成本(BoM)和總擁有成本(TCO)的工業(yè)應用。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/274590.htmCoolMOS C7可降低超大型數據中心和電信基站等要求提高效率和降低TCO的應用的開關損耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓撲的效率分別提高0.3%-0.7%和0.1%,這有利于顯著降低總擁有成本。對于2.5 kW的服務器PSU,使用C7 600 V MOSFET可將因PSU能量損失導致的能源成本降低10%左右。
在企業(yè)服務器等關注組件和其他成本的應用中,CoolMOS C7 600 V器件可幫助降低磁性元件成本。由于柵極電荷和輸出電容顯著降低,C7的開關頻率是CoolMOS™ CP的兩倍,但效率僅稍遜于CoolMOS™ CP。這有助于最大限度縮小磁性元件尺寸,降低組件總成本。比如,開關頻率從65 kHz增大一倍至130 kHz時,磁性元件成本可降低30%之多。
CoolMOS C7 600 V家族產品將在兩個300毫米晶圓廠制造,可為客戶提供供貨保障。該家族產品囊括RDS(ON)值和封裝各不相同的眾多型號,首發(fā)型號包括采用極具創(chuàng)新性的TO-247 4管腳封裝的型號。這種4管腳封裝它可消除因快速瞬變導致的電源電感電壓降,從而將滿載效率最多提高0.4%。
英飛凌副總裁兼AC/DC產品線總經理Peter Wawer表示:“作為英飛凌高壓MOSFET產品組合的一部分,全新CoolMOS C7 600V家族是英飛凌預計2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已實現批量生產的現成、可靠的技術,CoolMOS C7器件可最大限度降低開關損耗,實現高達200 kHz的開關頻率,而英飛凌的GaN技術將進一步擴大頻率范圍,支持新型拓撲。”
與CoolMOS C7 600 V形成互補、搭載行業(yè)標準管腳的英飛凌全新2EDN7524 EiceDRIVER™ IC,擁有兩個獨立的非隔離式低側柵極驅動器,每個驅動器可支持5 A的源匯峰值電流。兩個通道都能實現典型的5 ns上升和下降時間,而1 ns的通道間延時匹配方便設置同步切換,使總驅動電流增加一倍。雖然電流增大,但輸出級的RDS(ON)非常低,這可最大限度降低驅動器的功耗——即便使用非常小的柵極電阻、或者不用任何外部柵極電阻。因為驅動器IC能兼容控制和啟用輸入端高達-10 VDC的電壓,所以它能有效應對接地反彈,提高系統(tǒng)可靠性。
供貨情況
CoolMOS C7 600 V MOSFET的首發(fā)型號包括采用TO-220、TO-247和TO-247 4管腳封裝, RDS(ON)從40 mΩ到180 mΩ不等的型號。采用TO-220 FP、DPAK、D2PAK、ThinPAK封裝,以及具備不同RDS(ON)值的型號,將在2015年第三季度推出。采用DSO-8封裝的2EDN7524 MOSFET驅動器將在2015年8月開始量產。更多封裝和功能選項將在2015年第四季度提供。如欲進一步了解CoolMOS C7 600 V,請點擊www.infineon.com/C7-600V。如欲進一步了解2EDN7524 MOSFET驅動器,請點擊www.infineon.com/2EDN。
英飛凌參加2015年德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展
在2015年5月19-21日于德國紐倫堡舉行的電力電子系統(tǒng)及元器件展9號展廳第412號展臺,英飛凌將展出CoolMOS C7 600 V和2EDN7524 MOSFET驅動器、以及其他面向創(chuàng)新系統(tǒng)的解決方案。如欲進一步了解展會亮點,請點擊www.infineon.com/PCIM。
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