Marvell投資效益爆發(fā)　憶正SSD和eMCP突圍

　　NAND Flash解決方案供應(yīng)商憶正科技，從軍工規(guī)存儲(chǔ)器模組轉(zhuǎn)進(jìn)消費(fèi)性市場(chǎng)，獲得Marvell投資后專注研發(fā)2年，終于在2015年開始進(jìn)入收割期，新產(chǎn)品智能型手機(jī)以及平板電腦專用的eMCP產(chǎn)品M1880L/M1870L即將問世。同時(shí)，支援東芝(Toshiba)的15納米制程的PCIE Gen3 x2介面M.2 SSD產(chǎn)品NF8-920也即將推出。

　　憶正一直是eMMC控制芯片供應(yīng)商，看好未來智能型手機(jī)以及平板電腦內(nèi)建的儲(chǔ)存規(guī)格將從eMMC轉(zhuǎn)到eMCP上，因此2015年將eMCP模組視為重點(diǎn)產(chǎn)品，更積極鞏固eMCP當(dāng)中的DRAM芯片貨源，除了美光外也積極多方合作，與所有的存儲(chǔ)器大廠都建立合作關(guān)系。

　　憶正總經(jīng)理郭聰鈴指出，看好移動(dòng)裝置對(duì)于體積小且低耗電的eMCP需求熱絡(luò)，推出的eMCP產(chǎn)品M1880L和M1870L采用先進(jìn)封裝技術(shù)和自行開發(fā)的韌體架構(gòu)，整合最新制程的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器、移動(dòng)式存儲(chǔ)器LPDDR，再搭配NAND Flash控制器芯片，支援JEDEC的eMMC5.1介面。

　　憶正旗下的eMCP產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2015年第3季放量，分別打入大陸和日本客戶。另外，憶正主打的M1880L內(nèi)建LPDDR3存儲(chǔ)器，可支援8GB+8Gb、16GB+8Gb以及32GB+8Gb等容量，讀寫速度可達(dá)270/65 MB/s，適合最新一代的LTE通訊平臺(tái)對(duì)儲(chǔ)存存儲(chǔ)器的高速讀寫效能需求。

　　另一款M1870L是內(nèi)建LPDDR2存儲(chǔ)器，采用162 ball BGA封裝，針對(duì)中階智能型手機(jī)市場(chǎng)設(shè)計(jì)，容量包括4GB+4Gb、4GB+8Gb、8GB+8Gb和16GB+8Gb。

　　2015年另一個(gè)發(fā)展亮點(diǎn)是支援最新制程的東芝15納米的PCIE介面SSD產(chǎn)品，為Gen3 x2介面M.2 SSD，傳輸速度可突破傳統(tǒng)SATA III的效能瓶頸，讀寫速度可達(dá)1,000MB/s和/800MB/s，最大容量可達(dá)1TB。

　　Marvell是SSD控制芯片供應(yīng)商，強(qiáng)項(xiàng)在硬體，但韌體技術(shù)需要有其他合作伙伴協(xié)助，才能一起把SSD餅做大，因此在2年前投資憶正科技?？春脩浾陧g體技術(shù)上的實(shí)力，可以強(qiáng)化Marvell的NAND Flash芯片硬體強(qiáng)項(xiàng)，這樣的合作效應(yīng)在2014年下半才陸續(xù)浮現(xiàn)，尤其2015年步入收割期。

　　憶正指出，采用Marvell的88SS1074控制芯片讀寫速度可達(dá)560MB/s和550MB/s，特色是耗電量更低，且內(nèi)建支援第三代NANDEdge糾錯(cuò)與低密度奇偶校驗(yàn) (LDPC)技術(shù)，可支援最新制程的TLC型NAND Flash芯片，最大容量可達(dá)1TB，可降低SSD產(chǎn)品生產(chǎn)成本。

　　另外，憶正也針對(duì)價(jià)格敏感的的Chromebook等入門級(jí)市場(chǎng)量身訂做SSD解決方案，采用Marvell旗下88NV1120控制芯片的U1000系列SSD，也分別支援M.2模組規(guī)格，以及采用BGA封裝方式的系統(tǒng)單芯片兩種產(chǎn)品，可相容SATA III和PCIE介面，讀寫速度可達(dá)560MB/s和350MB/s。

　　SSD已經(jīng)慢慢走向部分取代傳統(tǒng)硬碟的應(yīng)用，但最敏感的問題是資訊安全，憶正也看好透過韌體技術(shù)，推出支援TCG Opal 2.0認(rèn)證及微軟(Microsoft)eDrive加密功能的SATA III 6Gb/s SSD，提供資訊安全要求較高的企業(yè)級(jí)相關(guān)應(yīng)用。