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NAND閃存走向發(fā)展死胡同?

作者: 時(shí)間:2015-08-12 來源:Doit 收藏
編者按:NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同,工程師開始集中開發(fā)3D NAND

  盡管平面浮柵技術(shù)還能夠進(jìn)一步收縮,但工程師們并沒有過多關(guān)注,現(xiàn)在只專注于3D 。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/278598.htm

  閃存技術(shù)是在1989年推出的,使得拇指驅(qū)動(dòng)器,SSD和你的智能機(jī)內(nèi)存成為可能,并最終達(dá)到了一個(gè)發(fā)展的死胡同。

  和其他平面浮柵閃存的主流廠商正在擱置這些工程計(jì)劃轉(zhuǎn)而集中開發(fā)3D NAND,又稱垂直電荷捕獲或浮柵閃存以及其他3D存儲(chǔ)器。

  負(fù)責(zé)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)副總裁,Scott Nelson稱平面或2D NAND閃存將持續(xù)售賣,因?yàn)楝F(xiàn)在仍有許多“較低密度”的應(yīng)用程序在用它。但是將它收縮到15nm以下的經(jīng)濟(jì)性可以說是毫無意義可言。

  “任何的進(jìn)一步收縮尺寸都太有挑戰(zhàn)性,” Nelson表示,“截至目前,依然沒有路線圖指明會(huì)出現(xiàn)另一代浮柵?!?/p>

  令人意外的是,2D NAND的發(fā)展困境是較為近期的。大約一年前半導(dǎo)體研究公司Objective Analysis首席分析師 Jim Handy在和at Imec半導(dǎo)體研究與開發(fā)副總裁的談話中曾表示“實(shí)現(xiàn)13nm平面NAND一路都會(huì)暢行無阻?!?Imec是半導(dǎo)體企業(yè)研究聯(lián)盟)

  就在上個(gè)月,Steegen改變了她的看法。

  “她說NAND制造商放棄了這個(gè)計(jì)劃,而且把他們所有的資源都放在了3D上,” Handy稱,“所以,是的,平面閃存終結(jié)在15nm上?!?/p>

  東芝發(fā)展伙伴閃迪也曾在訪談中有相同表示。

  2013年,三星第一個(gè)推出了垂直TLC "V-NAND"——一個(gè)基于電荷捕獲閃存(CTF)技術(shù)并且垂直互聯(lián)處理技術(shù)鏈接到單元陣列的32層單元架構(gòu)。通過使用后者的技術(shù),三星的3D V-NAND能提供相對其20nm平面NAND閃存兩倍以上的縮放。

  東芝今年早期推出了15nm NAND閃存用于嵌入式多媒體卡(eMMC)。東芝和閃迪在其開發(fā)更大密度和容量3D技術(shù)的同時(shí)仍將售賣其15nm平面NAND用于較低容量應(yīng)用程序。

  三星的3D V-NAND芯片性比以前的平面NAND閃存提供2到10倍更高可靠性和2倍寫入性能。

  美光在NAND閃存開發(fā)方面與英特爾有合作關(guān)系,它的研究與開發(fā)副總裁,Scott DeBoer稱它們的公司計(jì)劃下一步也將集中在2個(gè)新的3D存儲(chǔ)器技術(shù)上。

  英特爾和美光正在開發(fā)基于一個(gè)浮柵存儲(chǔ)器單元的32層3D NAND閃存;它們近期也推出了一個(gè)電阻式RAM(ReRAM)存儲(chǔ)器也就是最近很熱的3D Xpoint。128Gbit芯片,基于新的3D Xpoint技術(shù),提供比平面NAND高達(dá)1000倍的性能和恢復(fù)力。英特爾和美光稱其3D NAND將控制在256Gbits (32GB)或384Gbits (48GB)每芯片。

  3D Xpoint技術(shù)是英特爾和美光創(chuàng)造的一個(gè)新型非易失性存儲(chǔ)器的,依靠材料的電阻變化來實(shí)現(xiàn)非易失性。在存儲(chǔ)單元和選擇器里結(jié)合架構(gòu)和獨(dú)一無二的材料使得3D Xpoint實(shí)現(xiàn)更高密度,性能以及耐久性。

  美光和英特爾的32層3D NAND旨在降低成本增大容量,而他們的新3D XPoint RAM將取代一些用于高性能應(yīng)用程序的DRAM和NAND閃存,如大數(shù)據(jù)分析。

  英特爾和美光稱3D XPoint RAM為“1989年以來首個(gè)新型存儲(chǔ)器”,提及了浮柵NAND。

  那么為什么不用3D XPoint取代3D NAND?生產(chǎn)起來太貴了,英特爾方面稱。因?yàn)樗膬r(jià)格點(diǎn),3D XPoint存儲(chǔ)器將居于DRAM(更快更貴的存在)和3D NAND(更慢更便宜的存在)之間。

  再加上近期閃迪進(jìn)入實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn)的48層3D NAND芯片。隨著這些非易失性存儲(chǔ)器的涌現(xiàn),平面NAND無法在規(guī)模上競爭,但是從130nm的尺寸(1989年),甚至是40nm(2006年)也隔了相當(dāng)長一段時(shí)間。

  考慮到這一點(diǎn),人類的一條DNA鏈直徑是2.5納米,一英寸是25,400,000納米。現(xiàn)在想一下主要的NAND閃存存儲(chǔ)器制造商都在大肆生產(chǎn)15nm和16nm大小的NAND。沒有多少空間來進(jìn)一步收縮了。

  而與此同時(shí)廠商正在收縮平面NAND制程技術(shù),他們正在逐漸增加存儲(chǔ)器單個(gè)晶體管或單元的數(shù)據(jù)比特?cái)?shù)數(shù)量。從SLC NAND到MLC NAND,再到TLC NAND。

  問題是隨著晶體收縮,比特?cái)?shù)增加,表現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電子從一個(gè)單元泄漏到另一個(gè)里還有了數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。這意味著我們需要更多的糾錯(cuò)編碼(ECC)來維持存儲(chǔ)器的可靠性。這一點(diǎn)也已經(jīng)變得越來越困難了。

  結(jié)果:不再繼續(xù)制造尺寸更小更密集的存儲(chǔ)器,廠商開始制造垂直NAND類似微型摩天大樓——采用電荷捕獲技術(shù)的微小NAND向上堆疊層。

  東芝和閃迪的BiCS 3D垂直NAND便是如此。

  “3D NAND有力地回應(yīng)了未來相當(dāng)長一段時(shí)間的可預(yù)見性縮放比例,”閃迪的存儲(chǔ)器技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram表示,而對于縮放平面NAND,則稱每年大約增加兩倍容量。

  一個(gè)1Tbit芯片,外推到一個(gè)SD卡的容量,這將意味著一個(gè)產(chǎn)品擁有能存儲(chǔ)800GB到1TB容量到半個(gè)郵票大小對象中的能力。

  東芝和SanDisk現(xiàn)在都很篤定3D NAND的未來,它們正在日本三重縣翻新重建一個(gè)更大的晶圓廠專注生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。該工廠將于明年竣工,第二季度開始大規(guī)模生產(chǎn),Sivaram如是說。

  “我們的重點(diǎn),現(xiàn)在是3D NAND,”Sivaram表示。“我們沒有做其他的2D產(chǎn)品。”

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