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飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動器

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作者: 時間:2007-02-15 來源: 收藏
能夠驅動工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 

FOD3180/FOD3181與領先業(yè)界的功率產品系列相輔相成,
為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案

公司 (Fairchild Semiconductor) 領先業(yè)界的功率產品系列又添新成員,宣布推出高頻系列的全新產品,能夠在工業(yè)應用中驅動高達30A/1200V的。FOD3180 (2A) 和FOD3181 (0.5A) 具有200ns (最 大) 的上升/下降時間,能夠迅速開啟/關斷MOSFET以減小開關損耗。FOD3180具有高達2A的峰值輸出電流,毋須額外的功率放大線路便可直接驅動寬范圍的MOSFET。在太陽能逆變器、高性能不間斷電源 (UPS)、DC/DC轉換器,以及等離子平板顯示器 (PDP) 等應用中,這些隔離MOSFET驅動器是提高系統(tǒng)效率和可靠性的最佳選擇。它們還豐富了提供的功率優(yōu)化產品,為設計人員提供從毫瓦至千瓦的全面解決方案。

飛兆半導體光電產品戰(zhàn)略市場經理John Constantino稱:“FOD3180和FOD3181MOSFET為飛兆半導體領先業(yè)界的功率產品系列提供了關鍵的‘隔離器件’,將低功耗邏輯產品與高功率分立MOSFET橋接起來。飛兆半導體的整體功率解決方案使設計人員能夠利用我們通過全球功率資源中心 (Global Power ResourceTM) 提供的在線設計工具、設計中心、評估板以及其它技術,對其供應鏈進行精簡化。”

FOD3180和FOD3181的其它可靠性功能包括: 5000V的額定隔離電壓可以滿足大多數(shù)安全認證標準;在電壓達到使能狀態(tài)時才導通的欠壓閉鎖功能,從而保護MOSFET;以及具有故障防護絕緣的共面結構。這些器件還具有較寬的工作電壓 (最大20V),而且其PMOS上拉晶體管和NMOS下拉晶體管提供17V的信號擺幅 (VCC - VEE)。

FOD3180和FOD3181備有8腳DIP封裝形式,可滿足包括260C回流焊功能的RoHS要求。這些無鉛產品能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。


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