高精度電流導(dǎo)引型ADC電流源偏置電路設(shè)計(jì)

2004年9月A版

摘  要：設(shè)計(jì)了一種為高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供偏置的參考電流源。經(jīng)過(guò)流片測(cè)試結(jié)果表明，該偏置電路能夠很好的工作于所設(shè)計(jì)的高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器。

關(guān)鍵詞：帶隙；偏置；數(shù)模轉(zhuǎn)換器

概述

　　電流源矩陣型數(shù)模轉(zhuǎn)換器采用數(shù)字信號(hào)來(lái)控制電流模式的開(kāi)關(guān)電路，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字到模擬信號(hào)的轉(zhuǎn)換。在CMOS工藝中，很容易實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電流源，并且具有突出的優(yōu)點(diǎn):速度快、占用芯片面積小、不需要無(wú)源器件。但是，由于工藝參數(shù)，外界溫度變化，電源的波動(dòng)等影響，用于提供偏置、受外界干擾較低的高精度參考電流源在CMOS工藝中卻很難實(shí)現(xiàn)，本文采用帶隙電壓源的方法實(shí)現(xiàn)了一種為高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供偏置的參考電流源?；舅枷胧鞘褂冒雽?dǎo)體硅能帶帶隙特有的溫度特性，產(chǎn)生一個(gè)受外界溫度影響較小的恒定電壓，然后通過(guò)一個(gè)外接高精度電阻產(chǎn)生受溫度影響較小的偏置電流源。該電流源用于筆者設(shè)計(jì)的12位高速電流模式模數(shù)轉(zhuǎn)換器獲得成功。

電流源偏置電路設(shè)計(jì)

　　電流源偏置電路分為兩部分，第一部分是一個(gè)恒定電壓源產(chǎn)生電路，利用硅的禁帶特性得到的一個(gè)和外界溫度以及供電電源無(wú)關(guān)的恒定電壓。第二部分將該電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)并利用多級(jí)電流鏡轉(zhuǎn)換成數(shù)模轉(zhuǎn)換器電流源矩陣的偏置電流。

帶隙電壓源

　　圖1示出帶隙參考源的基本電路。輸出電壓:

                     (1)

　　其中k和q是與溫度無(wú)關(guān)的常數(shù)。

　　在常溫下dVBE/dT≈-1.5mV/K，所以將VREF對(duì)溫度T求導(dǎo)，并令其值為零，通過(guò)選擇合適n值，就可以確定R2/R1的值，由于該式中電阻都是以比值(相對(duì)值)的形式出現(xiàn)的，所以能夠保證其精確度。然而，上面的計(jì)算值只能得到一個(gè)比較粗略的值，具體使用時(shí)，還需要根據(jù)不同的器件模型使用仿真器進(jìn)行準(zhǔn)確的仿真。實(shí)際的仿真結(jié)果輸出電壓的溫度系數(shù)在0℃~100℃溫度范圍內(nèi)小于50ppm。值得一提的是，VBE對(duì)溫度的關(guān)系可以更為精確的表示為：

 　　+VBE(Tr)

　　這樣對(duì)VREF的微分一定含有溫度的二次項(xiàng)，上面的電路只對(duì)其一次溫度系數(shù)進(jìn)行了補(bǔ)償。如果對(duì)其進(jìn)行更高次數(shù)的溫度系數(shù)補(bǔ)償，將得到更高精度參考電壓源，但在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中很難進(jìn)行二次溫度系數(shù)的補(bǔ)償，并且將增加不少設(shè)計(jì)復(fù)雜度。鑒于用于所設(shè)計(jì)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器其精度已經(jīng)足夠，所以沒(méi)有進(jìn)行二次溫度系數(shù)的補(bǔ)償。另外圖中Q4，M7，M8，M9等管子組成一個(gè)基極電流補(bǔ)償電路，用來(lái)補(bǔ)償Q1B和Q2B基極電流的損失(射極電流和集電極電流差值)。MSP，MSN，MS組成一個(gè)啟動(dòng)電路，防止M1~M6管子組成的自偏置電流鏡工作在電流全部為零的不正常工作點(diǎn)。

電流源偏置電路

　　如圖2所示，VREF是由帶隙參考源產(chǎn)生的參考電壓信號(hào)，它的大小為1.227V，該電壓經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器，NMOS管和可調(diào)節(jié)的外接電阻RADJ轉(zhuǎn)換為固定的電流IREF，該電流值可以通過(guò)調(diào)節(jié)RADJ的大小來(lái)改變。后面產(chǎn)生的為模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供的偏置電流就是該電流通過(guò)一系列電流鏡的作用產(chǎn)生的。由于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電流源采用了共源共柵結(jié)構(gòu)，所以該偏置電路的電流鏡同樣采用共源共柵結(jié)構(gòu)，并且為了提高電流源的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，將MP2的源極接到MP1的柵極，為之提供偏置電壓。而共源共柵管MP2的偏置電壓是由另一支路MP7，MN3，MN4來(lái)提供。同樣MN7，MP5，MP6支路和MN6，MP3，MP4支路分別為電流鏡中的NMOS管提供偏置電壓。最后由NM8的漏極出來(lái)的電流就是我們得到的參考電流。為了給模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電流源提供偏置，還需要一級(jí)電流鏡來(lái)將NMOS漏極出來(lái)的電流轉(zhuǎn)換成進(jìn)入PMOS管漏極的電流。來(lái)承擔(dān)這項(xiàng)任務(wù)的是MB1和MB2管，同樣采用了共源共柵結(jié)構(gòu)。由于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電流源數(shù)目非常的大，所以為了獲得良好的電流比率，該電流鏡的管子采用16個(gè)與前面電流鏡管子寬長(zhǎng)比相同的管子并聯(lián)，并且，這16個(gè)管子將分散于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電流源矩陣中，以減少長(zhǎng)距離導(dǎo)線(xiàn)的寄生電阻壓降的影響。管子MN10，MN11為外部電流源的輸入提供了一個(gè)接口，通過(guò)該接口可以直接由外部電流來(lái)提供模數(shù)轉(zhuǎn)換器電流源的電流偏置。

結(jié)語(yǔ)

　　電路使用Chartered 0.35mm 2P4M 混合信號(hào)工藝庫(kù)在Hspice仿真器下仿真得到良好的結(jié)果。具體指標(biāo)參見(jiàn)表1，列舉了電流源偏置電路和帶隙參考電壓源的主要性能指標(biāo)。圖3是該偏置電路電流隨溫度變化曲線(xiàn)的仿真圖。

　　該電路用于筆者所設(shè)計(jì)的12位高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的偏置電路，通過(guò)兩次流片所得測(cè)試結(jié)果表明，該偏置電路可以很好的工作于所設(shè)計(jì)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，達(dá)到了設(shè)計(jì)所需的要求。