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手機(jī)、相機(jī)、液晶顯示屏抗電磁干擾特性的實(shí)現(xiàn)

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作者: 時(shí)間:2007-04-13 來源:中華液晶網(wǎng) 收藏

隨著手機(jī)中及相機(jī)的視頻分辨率越高,數(shù)據(jù)工作的頻率將超過40MHz,對抑制無線與ESD而言,傳統(tǒng)的方案已達(dá)到它們的技術(shù)極限。為適應(yīng)數(shù)據(jù)速率的增加且不中斷視頻信號,設(shè)計(jì)者可以選擇本文討論的新型低電容、高濾波性能。

隨著無線市場的繼續(xù)發(fā)展,下一代手機(jī)將擁有更多的功能特性,例如帶多個(gè)彩屏(每部手機(jī)至少有兩個(gè)彩屏)以及百萬像素以上的高分辨率相機(jī)等。 
 

LCD模塊周圍的噪聲與ESD傳輸路徑


                              圖1:模塊周圍的噪聲與ESD傳輸路徑
 
仍舊受緊湊設(shè)計(jì)趨勢的推動,實(shí)現(xiàn)高分辨率及相機(jī)將使設(shè)計(jì)者面臨多種挑戰(zhàn),其中一個(gè)主要設(shè)計(jì)考慮便是這些新模塊對)的敏感性。 對于目前流行的許多手機(jī)(尤其是翻蓋型手機(jī))來說,彩色LCD或相機(jī)CMOS傳感器通過連接在手機(jī)(上下)兩個(gè)主要部分之間的柔性或長走線PCB與基帶控制器相連。 一方面,該連接線會受到由天線輻射出的寄生GSM/CDMA頻率的干擾。另一方面,由于高分辨率CMOS傳感器及TFT模塊的引入,數(shù)字信號工作于更高的頻率上,從而使該連接線會像天線一樣產(chǎn)生EMI/RFI或可能造成ESD危險(xiǎn)事件。總之,在上述兩種情況下,所有這些EMI及ESD干擾均會破壞視頻信號的完整性,甚至損壞基帶控制器電路。

為抑制這些EMI輻射并保證正常的數(shù)據(jù)傳輸,可考慮實(shí)現(xiàn)幾種解決方案,這可通過使用分立阻容濾波器或集成的EMI濾波器來實(shí)現(xiàn)。

 

GSM衰減頻率對應(yīng)濾波電容


                              圖2:GSM衰減頻率對應(yīng)濾波電容 
 
EMI及ESD噪聲抑制方法

如果考慮到板空間、手機(jī)工作頻率上的高濾波性能以及保存信號完整性等設(shè)計(jì)約束,目前已知的解決方案正在達(dá)到其技術(shù)極限。

分立濾波器不能為解決方案提供任何空間節(jié)省,而且還只能提供針對窄帶衰減的有限濾波性能,故大多數(shù)設(shè)計(jì)者目前都在考慮集成的EMI濾波器。

在配有高分辨率LCD及嵌入式相機(jī)的手機(jī)中,信號是通過特定頻率(取決于分辨率)從基帶ASIC被傳送至LCD及內(nèi)嵌的相機(jī)上。

視頻分辨率越高,數(shù)據(jù)工作的頻率亦越高。迄今為止,一般數(shù)據(jù)工作在大約6至20MHz的頻率上,且分辨率的競賽還會促使相機(jī)模塊制造商繼續(xù)將此頻率提高至40-60MHz。 
 

新型濾波器單元結(jié)構(gòu)


                  圖3:新型濾波器單元結(jié)構(gòu)(串聯(lián)電阻為100歐姆,線電容為17pF) 
 
為適應(yīng)數(shù)據(jù)速率的增加且不中斷視頻信號,設(shè)計(jì)者必須選擇考慮了理論建議的低電容的濾波器,即:濾波器截止頻率(1/2πRC)必須大約為時(shí)鐘頻率的5倍。

在目前的無線終端中,對于30至60萬像素的相機(jī)模塊來說,時(shí)鐘頻率大約介于6至12MHz之間。故建議將濾波器(上下)截止頻率選擇在30至50MHz范圍內(nèi)。很多濾波器解決方案都遵循此理論建議,但隨著分辨率的提高以及時(shí)鐘頻率超過40MHz,濾波器截止頻率必須處于200MHz范圍內(nèi)。因此,可預(yù)見一些濾波器解決方案正在達(dá)到它們的極限。

表1給出了幾種濾波器電容值與截止頻率的對照,以及時(shí)鐘兼容性。這表明低電容濾波器是最適合高頻率、高速數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)慕鉀Q方案。

不過設(shè)計(jì)者知道,在濾波電容值與GSM/CDMA頻率上的衰減特性之間存在著無法解決的折衷問題。低電容結(jié)構(gòu)會影響濾波器的高頻性能,且目前大多數(shù)低電容濾波器都不能在900MHz頻率上提供優(yōu)于-25dB的衰減性能。圖2顯示了EMI濾波電容對GSM頻率衰減的影響。 
 

新型低電容EMI濾波器S21參數(shù)測量


                              圖4:新型低電容EMI濾波器S21參數(shù)
 
除對濾波性能有影響外,低電容濾波器還會影響ESD性能??紤]到較低的二極管電容可顯著減少ESD浪涌能力,故在良好衰減、ESD性能及低電容濾波器結(jié)構(gòu)之間找到最佳折衷極具挑戰(zhàn)性。

性能改進(jìn)后的低電容EMI濾波器

為滿足以低電容濾波器實(shí)現(xiàn)但同時(shí)保持高濾波性能這種矛盾的要求,意法半導(dǎo)體公司開發(fā)出在900MHz頻率上具有高頻衰減特性并采用超低電容結(jié)構(gòu)的新一代EMI濾波器。

這些基于IPAD技術(shù)(集成有源、無源器件)的新型EMI濾波器,采用了帶集成ESD保護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)PI濾波器結(jié)構(gòu)。圖3表示一種帶串聯(lián)電阻及電容的基本濾波器單元配置。

這種新型低電容結(jié)構(gòu)用來提供200MHz范圍內(nèi)的截止頻率,可支持時(shí)鐘頻率超過40MHz的數(shù)據(jù)速率。盡管二極管電容已被極大地減少至8.5pF,但它能提供出色的濾波性能,即在大約900MHz的頻率范圍內(nèi)衰減特性優(yōu)于-35dB。

圖4顯示采用此濾波器基本單元架構(gòu)的S21參數(shù)指標(biāo)。圖中顯示在900MHz頻率上具有35dB的衰減特性,這是一種通過17pF線電容集成EMI濾波器來達(dá)到的空前性能。 
 

分別通過高


                 圖5:分別通過高、低電容濾波器的40MHz數(shù)據(jù)傳輸結(jié)果比較
 
除濾波功能外,集成輸入齊納二極管還能抑制高達(dá)15kV的空中放電ESD沖擊,達(dá)到了IEC61000-4-2第4級工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)所要求的

性能水平。

高速數(shù)據(jù)兼容性

為了不擾亂視頻信號,新型低電容濾波器在設(shè)計(jì)時(shí)采用了經(jīng)過優(yōu)化的線電容值,以支持時(shí)鐘頻率高于40MHz的芯片組。 這種結(jié)構(gòu)對數(shù)據(jù)信號上升、下降沿只有很小的影響,且器件輸入、輸出間幾乎沒有什么延時(shí)。 用最大2.8V、1ns的信號對輸入Rt(10-90%上升沿)及 Ft(10-90%下降沿)進(jìn)行仿真,結(jié)果表明,由濾波器引起的延時(shí)(輸出與輸入信號之差)不超過1ns??梢钥隙?,即使對于高分辨率LCD或相機(jī)應(yīng)用,也能完全保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。

圖5顯示了工作于40MHz頻率上的3V視頻信號分別通過高、低電容濾波器的傳輸情況比較。可以發(fā)現(xiàn),高電容結(jié)構(gòu)所引起的延時(shí)是低電容結(jié)構(gòu)的5至6倍。在這種情況下,信號輸出電壓不能被正確地接收。
 
表1:截止頻率及時(shí)鐘信號兼容性對應(yīng)濾波器解決方案 
 截止頻率及時(shí)鐘信號兼容性對應(yīng)濾波器解決方案

高集成解決方案

與分立設(shè)計(jì)相比,使用設(shè)計(jì)成帶層疊凸點(diǎn)的倒裝芯片封裝型集成EMI濾波器,可簡化PCB布局并節(jié)省高達(dá)80%的板面積。 結(jié)果表明,線集成率(PCB面積/線數(shù))大約為0.6。這意味著這些新型濾波器可以每線占去0.6mm2的PCB面積來提供EMI功能及ESD保護(hù)。

建議該新型濾波器系列采用4、6及8條“PI”線配置來提供設(shè)計(jì)靈活性并滿足大多數(shù)高速數(shù)據(jù)線設(shè)計(jì)要求。其PCB面積占用分別為2.4mm2、3.7mm2及5.0mm2,故幾乎可完全采用傳統(tǒng)的SOT323塑料封裝。 意法半導(dǎo)體公司的新型低電容EMI濾波器支持4、6及8線配置,每一種配置均包含側(cè)接有齊納二極管的RC濾波網(wǎng)絡(luò)。100歐姆的串聯(lián)電阻與17pF的線電容值被用來達(dá)到在0.8MHz至2GHz范圍內(nèi)最小30dB的衰減。器件的低電容意味著它們能被用于下一代時(shí)鐘頻率超過40MHz的LCD顯示器及相機(jī)傳感器。



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