IDT推出新型DDR2產(chǎn)品 實(shí)現(xiàn)對存儲器模塊市場的領(lǐng)先承諾

　　IDT™公司 (Integrated Device Technology, Inc.；納斯達(dá)克上市代號：IDTI) 今天宣布推出多款DDR2-667寄存器雙列直插存儲器模塊（R-DIMM）新產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)其對雙列直插存儲器模塊（R-DIMMs）市場的領(lǐng)先承諾。新產(chǎn)品包括一系列鎖相環(huán)路（PLL）時鐘驅(qū)動器和寄存器產(chǎn)品，以及業(yè)界唯一的DDR2-667MHz寄存器驗(yàn)證板（RVB）。

　　IDT的DDR2產(chǎn)品系列支持新的高性能速度等級標(biāo)準(zhǔn)，擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先優(yōu)勢，為用戶提供了完整的DIMM產(chǎn)品和測試平臺。R-DIMM的典型的應(yīng)用是工作站、服務(wù)器、存儲設(shè)備和諸如路由器的電信產(chǎn)品。DDR2-667 RVB是IDTJEDEC驗(yàn)證任務(wù)組為滿足當(dāng)前JEDEC標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的嚴(yán)格工業(yè)要求的元件性能而設(shè)計的。IDT還在2005年3月31日至4月1日圣何塞舉行的2005 JEDEX會議上展示了其支持DDR2 DIMM的產(chǎn)品和RVB。

　　IDT DIMM支持產(chǎn)品部戰(zhàn)略市場經(jīng)理Kavita Hegde表示：“利用我們新型的DDR2-667寄存器 驗(yàn)證板，IDT可與業(yè)界分享設(shè)計專長，促進(jìn)工業(yè)的進(jìn)展，并有助于實(shí)現(xiàn)下一代DDR2解決方案網(wǎng)絡(luò)。我們計劃與JEDEC繼續(xù)合作，定義未來的DDR寄存器,和PLL標(biāo)準(zhǔn)和測試方法。我們的新型時鐘和寄存器產(chǎn)品的實(shí)用性進(jìn)一步擴(kuò)展了我們在寄存器DIMM領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，顯示了我們設(shè)計和制造創(chuàng)新解決方案的能力。”

　　JEDEC模塊委員會主席兼董事會主席、Samsung公司的Mian Quddus表示：“通過在開發(fā)創(chuàng)新的寄存器驗(yàn)證板方面的繼續(xù)投資，IDT幫助建立了使DDR2 DIMM技術(shù)得以推廣的DDR2網(wǎng)絡(luò)。IDT已在開發(fā)DDR2解決方案方面顯示出了專長，我對其將自己的能力與整個業(yè)界分享深表欣慰?！?/P>

　　IDT支持所有667MHz的模塊配置

　　新的DDR2寄存器和PLL產(chǎn)品能處理高達(dá)667 MHz的工作頻率。擴(kuò)展的IDT產(chǎn)品可為從系統(tǒng)主板到DIMM上的SDRAMs提供用于同步輸入時鐘信號的PLL時鐘驅(qū)動器。該器件無需外部元件，可以保證非常低的相位誤差、動態(tài)相位補(bǔ)償、靜態(tài)相位補(bǔ)償、Skew歪斜率和抖動，同時可使頻率和工作周期維持在正常的電壓和溫度范圍。在正常的電壓和溫度范圍內(nèi)，維持輸出信號的頻率精度和占空比。

　　新的寄存器驅(qū)動地址信號支持1∶1（25位）和1∶2（14位）的配置，使設(shè)計者可在多DIMM配置中只使用一個器件。寄存器通過專門的輸出邊緣控制電路系統(tǒng)優(yōu)化DDR2 DIMM負(fù)載，該電路可提供最小限度的開關(guān)噪聲，在非常駐線上得到優(yōu)異的信號完整性和性能。該器件也支持低功率待機(jī)操作，是有低功耗嚴(yán)格要求的系統(tǒng)的理想選擇。該器件具有擴(kuò)展頻譜容錯能力，能夠減少電磁干擾，為關(guān)鍵任務(wù)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來更高的可靠性。

　　IDT的DDR2 DIMM寄存器和PLL產(chǎn)品

　　IDT是時鐘管理和邏輯解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，擁有為寄存器DIMM市場開發(fā)完整產(chǎn)品線的核心能力。除了新的DDR2-667產(chǎn)品之外，IDT還為業(yè)界設(shè)計了DDR2-400/533 RVB，并首度推出了JEDEC兼容的DDR2-400/533寄存器和用于寄存器DIMM的PLL。這些器件的目標(biāo)是為了滿足了日益增長的存儲器市場，例如服務(wù)器、工作站和通信設(shè)備對寄存器DDR2 DIMM需求。

　　新型RVB有助于最大限度提升DIMM的性能

　　IDT開發(fā)的新的DDR2-667寄存器驗(yàn)證平臺可使寄存器DIMM的前后寄存器地址總線的分析達(dá)到最佳性能。RVB也可使用戶迅速地觀察到DIMM上寄存器的同時開關(guān)行為，模擬現(xiàn)實(shí)中特定的或最壞地址情況，實(shí)現(xiàn)簡便而精確的測試；使用戶能夠?qū)崿F(xiàn)可靠的測試和分析。除了寄存器測試之外，RVB還具有控制測試環(huán)境附加因素的能力，包括DIMM電壓、參考電壓、時鐘速度頻率，以及時鐘、地址和控制信號之間的定時時序關(guān)系。寄存器測試的傳統(tǒng)方法包括實(shí)際DIMM測試器、基準(zhǔn)測試和封裝測試。然而，對用戶來說，利用這些方法在標(biāo)準(zhǔn)平臺上評估寄存器是困難的。IDT的DDR2 RVB能夠提供一個類似最終應(yīng)用的簡便而精確的測試環(huán)境。