DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本
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過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌,雖說目前價格略微回穩(wěn),不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本,估計其變動成本大約在1.1美元左右。也就是說再向下跌個0.2~0.3美元左右,所有DRAM廠寧可選擇關(guān)閉晶圓廠,也不愿多做多賠。
目前除了部分DRAM廠必須加速降低生產(chǎn)成本,不斷將工藝技術(shù)進(jìn)一步推進(jìn)到70納米工藝,其余的國際DRAM大廠到則開始選擇降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)出比重,比如海力士(Hynix)當(dāng)前也已開始啟動產(chǎn)能轉(zhuǎn)換計劃,也就是將原本用于投產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能,進(jìn)一步轉(zhuǎn)換到NAND Flash產(chǎn)品。
另外如奇夢達(dá)也開始提高顯示卡用存儲器DRAM,最主要是看準(zhǔn)2007年下半年Vist
a所帶來的顯卡存儲器商機(jī),再者奇夢達(dá)于一些特殊型DRAM上也不斷拉高產(chǎn)能,目的同樣是為了進(jìn)一步有效調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)出比重。
三星與海力士同樣也開始轉(zhuǎn)換產(chǎn)能至NAND Flash身上,亦看好接下來NAND Flash市場龐大商機(jī);除了蘋果的iPhone需要龐大NAND Flash產(chǎn)能外,一些消費(fèi)性電子產(chǎn)品也需要愈來愈多NAND Flash因應(yīng),因而也開始調(diào)配產(chǎn)能增加NAND Flash投片量。
DRAM廠認(rèn)為當(dāng)前這些排名前幾大DRAM廠開始轉(zhuǎn)換產(chǎn)能,將有助于DRAM整體產(chǎn)業(yè)供需平穩(wěn),而依照DRAM廠的轉(zhuǎn)換產(chǎn)能時間推估,這波轉(zhuǎn)緩效應(yīng)可在第三季度陸續(xù)浮現(xiàn),也就是說到時DRAM售價也將有機(jī)會進(jìn)一步止跌回升。
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