全球NAND Flash供貨將拉警報

　　NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進至50nm主流制程，加上為供應蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預期2007年下半全球NAND Flash市場將出現(xiàn)嚴重供不應求。
　　內(nèi)存業(yè)者表示，根據(jù)來自英特爾消息指出，由于英特爾及美光(Micron)所合組IM Flash在78nm制程技術(shù)上，其生產(chǎn)成本競爭力上無法與三星電子、東芝(Toshiba)及海力士等競爭者相抗衡，因此，決定現(xiàn)有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash，暫時停止賣到下游客戶，僅供應英特爾或美光內(nèi)部自行使用。

　　事實上，IM Flash為能趕上競爭對手，近期已積極調(diào)撥產(chǎn)能搶進50nm制程，希望未來能藉由50nm制程，得以與三星、東芝及海力士平起平坐，不過，值此新制程轉(zhuǎn)換之際，亦將造成NAND Flash市場在短期內(nèi)將失去許多來自IM Flash的供應量。

　　至于三星及海力士同樣面臨產(chǎn)能調(diào)撥、造成供給量不足問題，內(nèi)存業(yè)者指出，三星及海力士為能在未來NAND Flash市場更具有競爭優(yōu)勢，近期均調(diào)撥相當多產(chǎn)能至50nm制程，但截至目前采用50nm制程良率仍不佳，使得產(chǎn)出量未如預期，加上為滿足蘋果下半年NAND Flash訂單龐大需求，必須保留部分70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，更使得NAND Flash供應量出現(xiàn)明顯不足。

　　此外，由于蘋果即將推出iPhone及高階iPod，NAND Flash市場需求大增，國際NAND Flash大廠紛展開先進制程競賽，導入50nm制程世代，但因制程轉(zhuǎn)換造成出貨量不足，加上自第3季起進入消費性電子傳統(tǒng)旺季，包括MP3播放器、快閃記憶卡、隨身碟等買氣紛上揚，在市場需求增溫、供應端卻出問題情況下，NAND Flash供需落差遂更加嚴重。

　　內(nèi)存業(yè)者表示，蘋果在下半年需求最多的NAND Flash為容量4Gb產(chǎn)品，而采用70nm制程投產(chǎn)4Gb產(chǎn)品最符合經(jīng)濟效益，因此，三星及海力士等大型NAND Flash制造商，仍必須將適當產(chǎn)能保留在70nm制程，但這亦造成整體NAND Flash供應量明顯降低。整體而言，進入2007年下半后，全球NAND Flash市場出現(xiàn)嚴重供不應求恐將難免。