美光對(duì)NAND Flash發(fā)布警告

 
　　全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來(lái)針對(duì)全球NAND Flash市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展發(fā)出警語(yǔ)表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進(jìn)，但微影技術(shù)無(wú)法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠(yuǎn)落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來(lái)順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開(kāi)發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。
　　近來(lái)全球各大DRAM廠為能有效運(yùn)用旗下晶圓廠，加上NAND Flash市場(chǎng)成長(zhǎng)率遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，促使多家DRAM大廠紛投入NAND Flash市場(chǎng)，就連臺(tái)系DRAM廠力晶及茂德，也相繼宣布將投入NAND Flash市場(chǎng)研發(fā)及制造行列，其中，力晶更是大張旗鼓地投入興建12吋廠，希望能趕上新一波內(nèi)存需求潮。

　　不過(guò)，正當(dāng)DRAM大廠紛投入NAND Flash市場(chǎng)，美光卻提出警語(yǔ)，美光NAND Flash發(fā)展事業(yè)群副總裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash發(fā)展所遇到最大瓶頸在于微影技術(shù)，事實(shí)上，微影技術(shù)已遠(yuǎn)落后NAND Flash技術(shù)至少好幾年。目前微影技術(shù)設(shè)備供貨商完全跟不上NAND Flash廠商技術(shù)，NAND Flash廠已領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)界制程技術(shù)。

　　美光表示，現(xiàn)在其于50奈米制程技術(shù)，甚至在掃瞄機(jī)發(fā)展前便已完全準(zhǔn)備好，美光必須先將微影技術(shù)給準(zhǔn)備好，才有助于美光在50奈米制程技術(shù)順利發(fā)展。目前193奈米浸潤(rùn)式掃瞄機(jī)到了45奈米制程可能已無(wú)法使用，至于下世代浸潤(rùn)式掃瞄機(jī)，預(yù)計(jì)將可使用到32奈米制程。

　　多家DRAM廠指出，做NAND Flash困難度確實(shí)較標(biāo)準(zhǔn)型DRAM要難上許多。NAND Flash發(fā)展不僅在微影技術(shù)上將出現(xiàn)瓶頸，過(guò)去采用NAND Flash架構(gòu)到45奈米制程以下時(shí)，便會(huì)遭遇到一些物理極限限制，因而發(fā)明SONOS架構(gòu)技術(shù)，使DATA Flash到45奈米制程以下時(shí)，依然可繼續(xù)走下去。

　　目前全球各大DATA Flash廠無(wú)不想盡辦法，希望能不斷改良SONOS架構(gòu)，使其早日順利量產(chǎn)商業(yè)化。不過(guò)，SONOS仍有瓶頸待克服，最快要到2008年才會(huì)見(jiàn)到類(lèi)似SONOS架構(gòu)的TANOS產(chǎn)品量產(chǎn)。TANOS結(jié)構(gòu)系由鉭金屬、氧化鋁(高K材料)、氮化物、氧化物和硅晶層所組成，TANOS結(jié)構(gòu)采用，也象征產(chǎn)業(yè)界首次將金屬層和高K材料結(jié)合應(yīng)用于NAND設(shè)備中。

　　由于各大半導(dǎo)體廠已體認(rèn)到，若不采用SONOS架構(gòu)，應(yīng)無(wú)法再將DATA Flash帶進(jìn)下一世代，因此，包括飛思卡爾(Freescale)、賽普拉斯(Cypress)等大廠，均開(kāi)始積極投入研發(fā)。