安森美發(fā)布超低電容ESD保護(hù)器件ESD9L

      電源管理和電路保護(hù)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出新的超低電容靜電放電(ESD)保護(hù)器件系列的首款產(chǎn)品。新的ESD9L是一款單線(xiàn)ESD保護(hù)器件，提供0.5皮法(pF)電容和低鉗位電壓。這元件采用適合ESD保護(hù)應(yīng)用的最小封裝，非常適用于手機(jī)、MP3播放器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)碼相機(jī)等便攜應(yīng)用的高速數(shù)據(jù)線(xiàn)路保護(hù)。
     
      隨著更新的集成電路技術(shù)使用的幾何尺寸越來(lái)越小和工作電壓越來(lái)越低，不斷更新?lián)Q代的便攜產(chǎn)品對(duì)ESD電壓損傷也越趨敏感。與此同時(shí)，便攜電子系統(tǒng)也要求電容更低，以維持其高速數(shù)據(jù)線(xiàn)路應(yīng)用的信號(hào)完整性?；诠杷矐B(tài)電壓抑制(TVS)二極管的傳統(tǒng)片外保護(hù)解決方案提供低鉗位電壓和快響應(yīng)時(shí)間，但它們的大電容限制了其在高速應(yīng)用中的使用。聚合物和陶瓷壓敏電阻等競(jìng)爭(zhēng)性片外保護(hù)技術(shù)提供低電容，但它們的高ESD鉗位電壓限制了其保護(hù)極敏感IC免受ESD損傷的能力。
     
      為了克服傳統(tǒng)硅TVS二極管的局限，安森美半導(dǎo)體使用突破性的工藝技術(shù)，將超低電容PIN二極管和大功率TVS二極管集成在單個(gè)裸片上，能夠用作高性能片外ESD保護(hù)解決方案。這新的集成型ESD保護(hù)技術(shù)平臺(tái)既保留了傳統(tǒng)硅TVS二極管技術(shù)的卓越鉗位和低泄漏性能，又將電容從50pF大幅降低至0.5pF。0.5pF的總電容使ESD9L適用于USB2.0高速(480Mbps)和高清多媒體接口(HDMI)(1.65Gbps)等高速應(yīng)用。根據(jù)IEC61000-4-2的標(biāo)準(zhǔn)，ESD9L將輸入的15千伏ESD波形在數(shù)以納秒(ns)內(nèi)迅速鉗位至不到7伏(V)。
     
      安森美半導(dǎo)體的集成型ESD保護(hù)平臺(tái)使用專(zhuān)有的設(shè)計(jì)技術(shù)，在提高鉗位性能的同時(shí)，維持了極小的裸片尺寸，使其能夠適合尺寸僅為1.0mm