世界物理學家中國半導體宗師黃昆在京逝世

　　世界著名物理學家、中國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一、中國科學院院士、2001年度 國家最高科學技術(shù)獎獲得者，中國科學院半導體研究所名譽所長黃昆院士因病醫(yī)治無效，于2005年7月6日16時18分在北京逝世，享年86歲。 

　　黃昆院士，1919年9月出生于北京，1941年畢業(yè)于燕京大學物理系。1945年赴英國留學，1948年獲英國布里斯托大學哲學博士學位，1949年—1951年在英國利物浦大學理論物理系任博士后研究員，1951年—1977年在北京大學物理系任教授，1977年—1983年任中國科學院半導體研究所所長，1983年至今，任名譽所長。1987年—1991年曾任中國物理學會理事長。他先后被選為中國科學院學部委員，瑞典皇家科學院外籍院士，第三世界科學院院士。 

　　黃昆院士對固體物理學作出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質(zhì)有關(guān)的X光漫散射，以后被稱為“黃散射”。他的多聲子躍遷理論，以“黃—里斯因子”而著稱于世。他提出關(guān)于描述晶體中光學位移、宏觀電場與電極化三者關(guān)系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動的耦合，即后來稱為極化激元的重要概念。他與M.Born合著的《晶格動力學理論》一書，是一部有世界影響的經(jīng)典性科學專著。他的理論對信息產(chǎn)業(yè)（特別是光電子產(chǎn)業(yè)）具有重要的現(xiàn)實指導意義，產(chǎn)生著越來越深遠的影響。近年來，他與合作者對半導體超晶格的電子態(tài)和聲子模開展了系統(tǒng)而富有成效的研究。從“黃散射”到“黃方程”，從“黃—里斯因子”到“玻恩和黃”，以至“黃—朱模型”，黃昆院士在固體物理學發(fā)展史上建樹了一塊塊豐碑。