SEZ攜手AIR LIQUIDE開發(fā)用于高級金屬柵極材料的蝕刻解決方案

業(yè)界領(lǐng)先者們深入研究適用于單晶圓工藝的化學制劑，

賦予了深亞微米應(yīng)用中最理想的性能和擁有成本

　　奧地利 VILLACH（維拉赫）和法國巴黎—2005年7月11日訊－業(yè)界領(lǐng)先服務(wù)于半導體行業(yè)的單晶圓清洗解決方案首要創(chuàng)新者SEZ（瑟思）集團 (瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)和業(yè)界領(lǐng)先的工業(yè)和醫(yī)療氣體及相關(guān)服務(wù)的供應(yīng)商Air Liquide （液化空氣公司，Euronext Paris證券交易所上市）于今日聯(lián)合宣布，雙方將通力合作，攜手解決生產(chǎn)線前段（FEOL）的先進金屬柵極蝕刻所面臨的化學制劑的挑戰(zhàn)。45納米技術(shù)標準下的高k值門極絕緣體和高級金屬柵極的電極預(yù)計會帶來許多的制程挑戰(zhàn)，包括去除不需要的含有金屬電極材料的背面和倒角邊沉積膜層。受到與領(lǐng)先的原子層沉積（ALD）公司Aviza Technology 彼此獨立但又互補的合作開發(fā)項目的推動，SEZ和Air Liquide 將尋求合作共同開發(fā)一種全面、多元的高級蝕刻材料的解決方案，確保芯片制造商們以最低的擁有成本（CoO）獲得最好的性能。

　　Air Liquide電子副總裁Christophe Fontaine 表示： “我們期待與SEZ齊心協(xié)力攜手應(yīng)對正在不斷涌現(xiàn)的制程挑戰(zhàn)，開發(fā)出新的化學制劑以恰當?shù)臐M足當前的以及未來發(fā)展的技術(shù)需求。兩個公司都能夠在這個合作項目發(fā)揮獨特、互補的技術(shù)優(yōu)勢。Air Liquide在ALOHA產(chǎn)品線內(nèi)擁有開發(fā)一種具有選擇性的蝕刻劑的專家技術(shù)，并且可以將該技術(shù)成功推向市場。而同時SEZ在晶圓背面處理方面的技術(shù)無可匹敵。”

　　原子層沉積（ALD）和化學氣相沉積（CVD）技術(shù)的一個副作用是膜層材料會沉積到晶圓的背面。這些膜層產(chǎn)生的污染物可能通過共用的晶圓傳送過程被傳遞到其它的晶圓上，而且膜層自身也有可能分裂成層或剝落，變成很嚴重的微塵粒子問題。因此，必須將背面和倒角邊上的任何一種膜層材料都去除。但目前面臨的問題是這些材料中有很多難以進行濕式蝕刻，特別是在需要對下層的材料層進行某種選擇性的蝕刻時。

　　由于不能選擇對背面和倒角邊進行干式蝕刻，因此必須開發(fā)出適用的濕式蝕刻解決方案。為了保護器件，晶圓正面和背面需要互相隔離，所以最好的濕式蝕刻解決方案是采用使用一種有效的制程化學制劑的單晶圓旋轉(zhuǎn)處理機臺。 例如，盡管將釕金屬作為高級金屬柵極材料的業(yè)內(nèi)呼聲很高，但是由于其固有的屬性之一是其對化學品的侵蝕的抵抗力很強，因此，釕金屬的清除就成為一項嚴峻的挑戰(zhàn)。

　　通過將SEZ在單晶圓濕式表面處理和膜層剝離的先進的專家技術(shù)與Air Liquide在工藝化學領(lǐng)域的深厚知識有機地結(jié)合在一起，這兩個公司的聯(lián)盟首先要集中精力，找到一個可行的釕金屬去除的解決方案，使之能夠應(yīng)用于高級金屬柵極材料。Air Liquide 將在他們的應(yīng)用實驗室開發(fā)出適用的化學配方,然后，SEZ將在其位于亞利桑那州的鳳凰城在已安裝的單晶圓半導體設(shè)備上測試這種新穎的化學制劑解決方案。

　　SEZ全球新興技術(shù)部總監(jiān)Leo Archer博士表示：“此番聯(lián)盟將為SEZ提供一個極好的機會，與業(yè)界領(lǐng)先的電子物料公司合作開發(fā)適合我們SEZ旋轉(zhuǎn)處理器平臺、行之有效的化學制劑。”他進一步強調(diào)：“能夠為客戶提供有效清洗諸如釕金屬類復雜材料的能力，充分利用了SEZ的核心技術(shù)，無疑將為SEZ提供開拓新市場的商機。而且，能有效應(yīng)用于釕金屬蝕刻的化學制劑也極有可能適用于其他關(guān)鍵的高級金屬柵極材料蝕刻，可以改善客戶的擁有成本，為其它方面的應(yīng)用可以提供新的機會?！?/P>

　　Air Liquide 和SEZ 集團將于2005年7月12-14日在美國加州舊金山Moscone Convention Center 舉行的SEMICON West 2005展會上參展。如若需要了解關(guān)于合作或這兩家公司和產(chǎn)品的更多信息，屆時敬請光臨北廳＃5302的 Air Liquide展臺和北廳＃5568的 SEZ集團展臺。