場(chǎng)效應(yīng)管中英文對(duì)照表
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1．"型號(hào)"欄
表中所列各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)按英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字順序排列。同一類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體型號(hào)編為一組，處于同一格子內(nèi)，不用細(xì)線分開(kāi)。
2．"廠家"欄
為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫(xiě)的形式表示。）
所到廠家的英文縮寫(xiě)與中文全稱對(duì)照如下：
ADV 美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體公司
AEG 美國(guó)AEG公司
AEI 英國(guó)聯(lián)合電子工業(yè)公司
AEL 英、德半導(dǎo)體器件股份公司
ALE 美國(guó)ALEGROMICRO 公司
ALP 美國(guó)ALPHA INDNSTRLES 公司
AME 挪威微電子技術(shù)公司
AMP 美國(guó)安派克斯電子公司
AMS 美國(guó)微系統(tǒng)公司
APT 美國(guó)先進(jìn)功率技術(shù)公司
ATE 意大利米蘭ATES公司
ATT 美國(guó)電話電報(bào)公司
AVA 美、德先進(jìn)技術(shù)公司
BEN 美國(guó)本迪克斯有限公司
BHA 印度BHARAT電子有限公司
CAL 美國(guó)CALOGIC公司
CDI 印度大陸器件公司
CEN 美國(guó)中央半導(dǎo)體公司
CLV 美國(guó)CLEVITE晶體管公司
COL 美國(guó)COLLMER公司
CRI 美國(guó)克里姆森半導(dǎo)體公司
CTR 美國(guó)通信晶體管公司
CSA 美國(guó)CSA工業(yè)公司
DIC 美國(guó)狄克遜電子公司
DIO 美國(guó)二極管公司
DIR 美國(guó)DIRECTED ENERGR公司
LUC 英、德LUCCAS電氣股份公司
MAC 美國(guó)M/A康姆半導(dǎo)體產(chǎn)品公司
MAR 英國(guó)馬可尼電子器件公司
MAL 美國(guó)MALLORY國(guó)際公司
MAT 日本松下公司
MCR 美國(guó)MCRWVE TECH公司
MIC 中國(guó)香港微電子股份公司
MIS 德、意MISTRAL公司
MIT 日本三菱公司
MOT 美國(guó)莫托羅拉半導(dǎo)體公司
MUL 英國(guó)馬德拉有限公司
NAS 美、德北美半導(dǎo)體電子公司
NEW 英國(guó)新市場(chǎng)晶體管有限公司
NIP 日本日電公司
NJR 日本新日本無(wú)線電股份有公司
NSC 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司
NUC 美國(guó)核電子產(chǎn)品公司
OKI 日本沖電氣工業(yè)公司
OMN 美國(guó)OMNIREL公司
OPT 美國(guó)OPTEK公司
ORG 日本歐里井電氣公司
PHI 荷蘭飛利浦公司
POL 美國(guó)PORYFET公司
POW 美國(guó)何雷克斯公司
PIS 美國(guó)普利西產(chǎn)品公司
PTC 美國(guó)功率晶體管公司
RAY 美、德雷聲半導(dǎo)體公司
REC 美國(guó)無(wú)線電公司
RET 美國(guó)雷蒂肯公司
RFG 美國(guó)射頻增益公司
RTC 法、德RTC 無(wú)線電技術(shù)公司
SAK 日本三肯公司
SAM 韓國(guó)三星公司
SAN 日本三舍公司
SEL 英國(guó)塞米特朗公司 DIT 德國(guó)DITRATHERM公司
ETC 美國(guó)電子晶體管公司
FCH 美國(guó)范恰得公司
FER 英、德費(fèi)蘭蒂有限公司
FJD 日本富士電機(jī)公司
FRE 美國(guó)FEDERICK公司
FUI 日本富士通公司
FUM 美國(guó)富士通微電子公司
GEC 美國(guó)詹特朗公司
GEN 美國(guó)通用電氣公司
GEU 加拿大GENNUM公司
GPD 美國(guó)鍺功率器件公司
HAR 美國(guó)哈里斯半導(dǎo)體公司
HFO 德國(guó)VHB聯(lián)合企業(yè)
HIT 日本日立公司
HSC 美國(guó)HELLOS半導(dǎo)體公司
IDI 美國(guó)國(guó)際器件公司
INJ 日本國(guó)際器件公司
INR 美、德國(guó)際整流器件公司
INT 美國(guó)INTER FET 公司
IPR 羅、德 I P R S BANEASA公司
ISI 英國(guó)英特錫爾公司
ITT 德國(guó)楞茨標(biāo)準(zhǔn)電氣公司
IXY 美國(guó)電報(bào)公司半導(dǎo)體體部
KOR 韓國(guó)電子公司
KYO 日本東光股份公司
LTT 法國(guó)電話公司
SEM 美國(guó)半導(dǎo)體公司
SES 法國(guó)巴黎斯公司
SGS 法、意電子元件股份公司
SHI 日本芝蒲電氣公司
SIE 德國(guó)西門(mén)子AG公司
SIG 美國(guó)西格尼蒂克斯公司
SIL 美、德硅技術(shù)公司
SML 美、德塞邁拉布公司
SOL 美、德固體電子公司
SON 日本縈尼公司
SPE 美國(guó)空間功率電子學(xué)公司
SPR 美國(guó)史普拉格公司
SSI 美國(guó)固體工業(yè)公司
STC 美國(guó)硅晶體管公司
STI 美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)公司
SUP 美國(guó)超技術(shù)公司
TDY 美、德TELEDYNE晶體管電子公司
TEL 德國(guó)德律風(fēng)根電子公司
TES 捷克TESLA公司
THO 法國(guó)湯姆遜公司
TIX 美國(guó)德州儀器公司
TOG 日本東北金屬工業(yè)公司
TOS 日本東芝公司
TOY 日本羅姆公司
TRA 美國(guó)晶體管有限公司
TRW 英、德TRN半導(dǎo)體公司
UCA 英、德聯(lián)合碳化物公司電子分部
UNI 美國(guó)尤尼特羅德公司
UNR 波蘭外資企業(yè)公司
WAB 美、德WALBERN器件公司
WES 英國(guó)韋斯特科德半導(dǎo)體公司
VAL 德國(guó)凡爾伏公司
YAU 日本GENERAL股份公司
ZET 英國(guó)XETEX公司
3．"材料"欄
本欄目注明各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的材料和極性，沒(méi)有注明材料的均為SI材料，特殊類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管也在這一欄中說(shuō)明。
其英文與中文對(duì)照如下：
N-FET 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
P-FET 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GE-N-FET 鍺N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GE-P-FET 鍺P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
GaAS-FET 砷化鎵結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
SB肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
MES 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（一般為N溝道，若P溝道則在備注欄中注明）
HEMT 高電子遷移率晶體管
SENSE FET 電流敏感動(dòng)率MOS場(chǎng)效應(yīng)管
SIT 靜電感應(yīng)晶體管
IGBT 絕緣柵比極晶體管
ALGaAS 鋁家砷
4．"外形"欄
根據(jù)本欄中所給出的外形圖序號(hào)，可在書(shū)末的"外形與管腳排列圖"中查到該型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的外形與管腳排列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝雙列直插式外形，"CER-DIP"的為陶瓷封裝雙列直插式外形，"CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的為特殊外形，"LLCC"為無(wú)引線陶瓷片載體，"WAFER"的為裸芯片。
5．"用途與特性"欄
本欄中介紹了各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要用途及技術(shù)特性參數(shù)。對(duì)于MOSFET增加了MOS -DPI表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者M(jìn)OS-ENH表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管，沒(méi)有注明的即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
其余的英文縮寫(xiě)與中文全稱對(duì)照如下：
A 寬頻帶放大
AM 調(diào)幅
CC 恒流
CHOP 斬波、限幅
C-MIC 電容話筒專用
D 變頻換流
DC 直流
DIFF 差分放大
DUAL 配對(duì)管
DUAL-GATE 雙柵四極
FM 調(diào)頻
GEP 互補(bǔ)類型
HA 行輸出級(jí)
HF 高頻放大（射頻放大）
HG 高跨導(dǎo)
HI-IMP 高輸入阻抗
HI-REL 高可靠性
LMP-C 阻抗變換
L 功率放大
MAP 匹配對(duì)管
MIN 微型
MIX或M 混頻
MW 微波
NF 音頻（低頻） O 振蕩
S 開(kāi)關(guān)
SW-REG 開(kāi)關(guān)電源
SYM 對(duì)稱類
TEMP 溫度傳感
TR 激勵(lì)、驅(qū)動(dòng)
TUN 調(diào)諧
TV 電視
TC 小型器件標(biāo)志
UHF 超高頻
UNI 一般用途
V 前置/輸入級(jí)
VA 場(chǎng)輸出級(jí)
VHF 甚高頻
VID 視頻
VR 可變電阻
ZF 中放
V-FET V型槽MOSFET
MOS-INM MOSFET獨(dú)立組件
MOS-ARR MOSFET陳列組件
MOS-HBM MOSFET半橋組件
MOS-FBM 全橋組件
MOS-TPBM MOSFET三相橋組件
技術(shù)特性參數(shù)列出極限參和特征參數(shù)，其中電壓值：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為柵極間極電壓Vgds或Vgdo,MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（含MES、HEMT）一般為漏極-源極間極限電壓Vdss,IGBT晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓（基極和發(fā)射極短路）V(br)ces ;電流值：耗盡型（含結(jié)型）為最大漏極電流Idss,增強(qiáng)型為漏極極限電流Id，IGBT晶體管為集電極最大直流電流Ic；功率值：一般為漏極耗散功率Pd，高頻功率管有的列出漏極最大輸出功率Po，IGBT晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM；場(chǎng)效應(yīng)管高頻應(yīng)用的頻率值：一般為特征頻率Ft,有的為最高振蕩頻率FO；開(kāi)關(guān)應(yīng)用及功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電阻值為漏極-源極間的導(dǎo)通電阻Rds，記為Ron，單位Ω；開(kāi)關(guān)時(shí)間："/"(斜線)前為導(dǎo)通時(shí)間Ton , "/"后為關(guān)斷時(shí)間Toff,部分開(kāi)關(guān)時(shí)間為上升時(shí)間Tr，和下降時(shí)間Tf，IGBT晶體管"/"斜錢前為延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和td+tr, "/"后為下降時(shí)間TR；低噪聲的噪聲特性參數(shù)用噪聲系數(shù)NF（DB）或輸入換算噪聲電壓En（VN）表示；對(duì)于對(duì)管列有表示對(duì)稱性參數(shù)的柵源短路時(shí)的漏極電流之比⊿或柵源電壓差⊿VGS或柵極電流差⊿JG；跨導(dǎo)值：表示放大能力的參數(shù)，多為最大跨導(dǎo)GM，單位MS（毫西門(mén)子）；柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數(shù)，記為IGSS，單位NA或PA；夾斷電壓：表示關(guān)斷行斷特性的參數(shù)，記為VP,，單位V。
6，" 國(guó)內(nèi)外相似型號(hào)"欄
本欄列出特性相似，可供代換的世界各國(guó)場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，含國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般都可以代換相應(yīng)第一欄（"型號(hào)"欄）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些管子多數(shù)可直接代換，但有個(gè)別型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管因外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不過(guò)，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)能數(shù)與被代換場(chǎng)效應(yīng)晶體管都比較接近。
這一欄里還對(duì)一些特殊的特性、參數(shù)以備注的形式進(jìn)行說(shuō)明。其中KOMPL（有時(shí)排印為KPL.）后的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為第一欄晶體管的互補(bǔ)管。注明INTEGR.D.的表示管內(nèi)含有復(fù)合二極管。對(duì)組件注有XN中N 為組件中的器件數(shù)目。
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