場效應(yīng)管中英文對照表

在場效應(yīng)管對照表中，收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管（MOSFET）、肖特基勢壘控制柵場效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場效應(yīng)晶體管系列的單管、對管及組件等，型號達(dá)數(shù)萬種之多。每種型號的場效應(yīng)晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時(shí)還在備注欄列出世界各國可供代換的場效應(yīng)晶體管型號，其中含國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管型號。 
　1．"型號"欄 
　表中所列各種場效應(yīng)晶體管型號按英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字順序排列。同一類型的場效應(yīng)晶體型號編為一組，處于同一格子內(nèi)，不用細(xì)線分開。 
　2．"廠家"欄 
　為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫的形式表示。）
所到廠家的英文縮寫與中文全稱對照如下： 
     
 ADV 美國先進(jìn)半導(dǎo)體公司
AEG 美國AEG公司
AEI 英國聯(lián)合電子工業(yè)公司
AEL 英、德半導(dǎo)體器件股份公司
ALE 美國ALEGROMICRO 公司
ALP 美國ALPHA INDNSTRLES 公司
AME 挪威微電子技術(shù)公司
AMP 美國安派克斯電子公司
AMS 美國微系統(tǒng)公司
APT 美國先進(jìn)功率技術(shù)公司
ATE 意大利米蘭ATES公司
ATT 美國電話電報(bào)公司
AVA 美、德先進(jìn)技術(shù)公司
BEN 美國本迪克斯有限公司
BHA 印度BHARAT電子有限公司
CAL 美國CALOGIC公司
CDI 印度大陸器件公司
CEN 美國中央半導(dǎo)體公司
CLV 美國CLEVITE晶體管公司
COL 美國COLLMER公司
CRI 美國克里姆森半導(dǎo)體公司 
CTR 美國通信晶體管公司
CSA 美國CSA工業(yè)公司
DIC 美國狄克遜電子公司
DIO 美國二極管公司
DIR 美國DIRECTED ENERGR公司
LUC 英、德LUCCAS電氣股份公司
MAC 美國M/A康姆半導(dǎo)體產(chǎn)品公司
MAR 英國馬可尼電子器件公司
MAL 美國MALLORY國際公司
MAT 日本松下公司
MCR 美國MCRWVE TECH公司
MIC 中國香港微電子股份公司
MIS 德、意MISTRAL公司
MIT 日本三菱公司
MOT 美國莫托羅拉半導(dǎo)體公司
MUL 英國馬德拉有限公司
NAS 美、德北美半導(dǎo)體電子公司
NEW 英國新市場晶體管有限公司
NIP 日本日電公司
NJR 日本新日本無線電股份有公司
NSC 美國國家半導(dǎo)體公司
NUC 美國核電子產(chǎn)品公司
OKI 日本沖電氣工業(yè)公司
OMN 美國OMNIREL公司
OPT 美國OPTEK公司
ORG 日本歐里井電氣公司
PHI 荷蘭飛利浦公司
POL 美國PORYFET公司
POW 美國何雷克斯公司
PIS 美國普利西產(chǎn)品公司
PTC 美國功率晶體管公司
RAY 美、德雷聲半導(dǎo)體公司
REC 美國無線電公司
RET 美國雷蒂肯公司
RFG 美國射頻增益公司
RTC 法、德RTC 無線電技術(shù)公司
SAK 日本三肯公司
SAM 韓國三星公司
SAN 日本三舍公司
SEL 英國塞米特朗公司 DIT 德國DITRATHERM公司
ETC 美國電子晶體管公司
FCH 美國范恰得公司
FER 英、德費(fèi)蘭蒂有限公司
FJD 日本富士電機(jī)公司
FRE 美國FEDERICK公司
FUI 日本富士通公司
FUM 美國富士通微電子公司
GEC 美國詹特朗公司
GEN 美國通用電氣公司
GEU 加拿大GENNUM公司
GPD 美國鍺功率器件公司
HAR 美國哈里斯半導(dǎo)體公司
HFO 德國VHB聯(lián)合企業(yè)
HIT 日本日立公司
HSC 美國HELLOS半導(dǎo)體公司
IDI 美國國際器件公司
INJ 日本國際器件公司
INR 美、德國際整流器件公司
INT 美國INTER FET 公司
IPR 羅、德 I P R S BANEASA公司
ISI 英國英特錫爾公司
ITT 德國楞茨標(biāo)準(zhǔn)電氣公司
IXY 美國電報(bào)公司半導(dǎo)體體部
KOR 韓國電子公司
KYO 日本東光股份公司
LTT 法國電話公司
SEM 美國半導(dǎo)體公司
SES 法國巴黎斯公司
SGS 法、意電子元件股份公司
SHI 日本芝蒲電氣公司
SIE 德國西門子AG公司
SIG 美國西格尼蒂克斯公司
SIL 美、德硅技術(shù)公司
SML 美、德塞邁拉布公司
SOL 美、德固體電子公司
SON 日本縈尼公司
SPE 美國空間功率電子學(xué)公司
SPR 美國史普拉格公司
SSI 美國固體工業(yè)公司
STC 美國硅晶體管公司
STI 美國半導(dǎo)體技術(shù)公司
SUP 美國超技術(shù)公司 
TDY 美、德TELEDYNE晶體管電子公司
TEL 德國德律風(fēng)根電子公司
TES 捷克TESLA公司
THO 法國湯姆遜公司
TIX 美國德州儀器公司
TOG 日本東北金屬工業(yè)公司
TOS 日本東芝公司
TOY 日本羅姆公司
TRA 美國晶體管有限公司
TRW 英、德TRN半導(dǎo)體公司
UCA 英、德聯(lián)合碳化物公司電子分部
UNI 美國尤尼特羅德公司
UNR 波蘭外資企業(yè)公司
WAB 美、德WALBERN器件公司
WES 英國韋斯特科德半導(dǎo)體公司
VAL 德國凡爾伏公司
YAU 日本GENERAL股份公司
ZET 英國XETEX公司 


3．"材料"欄 
       本欄目注明各場效應(yīng)晶體管的材料和極性，沒有注明材料的均為SI材料，特殊類型的場效應(yīng)晶體管也在這一欄中說明。
       其英文與中文對照如下： 
       N-FET 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
       P-FET 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
       GE-N-FET 鍺N溝道場效應(yīng)晶體管
       GE-P-FET 鍺P溝道場效應(yīng)晶體管
       GaAS-FET 砷化鎵結(jié)型N溝道場效應(yīng)晶體管
       SB肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管 
       MES 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（一般為N溝道，若P溝道則在備注欄中注明）
       HEMT 高電子遷移率晶體管
       SENSE FET 電流敏感動率MOS場效應(yīng)管
       SIT 靜電感應(yīng)晶體管
       IGBT 絕緣柵比極晶體管
       ALGaAS 鋁家砷 

4．"外形"欄 
       根據(jù)本欄中所給出的外形圖序號，可在書末的"外形與管腳排列圖"中查到該型號場效應(yīng)晶體管的外形與管腳排列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝雙列直插式外形，"CER-DIP"的為陶瓷封裝雙列直插式外形，"CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的為特殊外形，"LLCC"為無引線陶瓷片載體，"WAFER"的為裸芯片。 

5．"用途與特性"欄 
       本欄中介紹了各種場效應(yīng)晶體管的主要用途及技術(shù)特性參數(shù)。對于MOSFET增加了MOS -DPI表示增強(qiáng)型金屬氧化物場效應(yīng)晶體管或者M(jìn)OS-ENH表示增強(qiáng)型金屬氧化物場效應(yīng)晶體管，沒有注明的即結(jié)型場效應(yīng)晶體管

其余的英文縮寫與中文全稱對照如下： 
 
     
 A 寬頻帶放大
AM 調(diào)幅
CC 恒流
CHOP 斬波、限幅
C-MIC 電容話筒專用
D 變頻換流
DC 直流
DIFF 差分放大
DUAL 配對管
DUAL-GATE 雙柵四極
FM 調(diào)頻
GEP 互補(bǔ)類型
HA 行輸出級
HF 高頻放大（射頻放大）
HG 高跨導(dǎo)
HI-IMP 高輸入阻抗
HI-REL 高可靠性
LMP-C 阻抗變換
L 功率放大
MAP 匹配對管
MIN 微型
MIX或M 混頻
MW 微波
NF 音頻（低頻） O 振蕩
S 開關(guān)
SW-REG 開關(guān)電源
SYM 對稱類
TEMP 溫度傳感
TR 激勵、驅(qū)動
TUN 調(diào)諧
TV 電視
TC 小型器件標(biāo)志
UHF 超高頻
UNI 一般用途
V 前置/輸入級
VA 場輸出級
VHF 甚高頻
VID 視頻
VR 可變電阻
ZF 中放
V-FET V型槽MOSFET
MOS-INM MOSFET獨(dú)立組件
MOS-ARR MOSFET陳列組件
MOS-HBM MOSFET半橋組件
MOS-FBM 全橋組件
MOS-TPBM MOSFET三相橋組件
 
  

        技術(shù)特性參數(shù)列出極限參和特征參數(shù)，其中電壓值：結(jié)型場效應(yīng)晶體管為柵極間極電壓Vgds或Vgdo,MOS場效應(yīng)晶體管（含MES、HEMT）一般為漏極-源極間極限電壓Vdss,IGBT晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓（基極和發(fā)射極短路）V(br)ces ;電流值：耗盡型（含結(jié)型）為最大漏極電流Idss,增強(qiáng)型為漏極極限電流Id，IGBT晶體管為集電極最大直流電流Ic；功率值：一般為漏極耗散功率Pd，高頻功率管有的列出漏極最大輸出功率Po，IGBT晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM；場效應(yīng)管高頻應(yīng)用的頻率值：一般為特征頻率Ft,有的為最高振蕩頻率FO；開關(guān)應(yīng)用及功率MOS場效應(yīng)管電阻值為漏極-源極間的導(dǎo)通電阻Rds，記為Ron，單位Ω；開關(guān)時(shí)間："/"(斜線)前為導(dǎo)通時(shí)間Ton , "/"后為關(guān)斷時(shí)間Toff,部分開關(guān)時(shí)間為上升時(shí)間Tr，和下降時(shí)間Tf，IGBT晶體管"/"斜錢前為延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和td+tr, "/"后為下降時(shí)間TR；低噪聲的噪聲特性參數(shù)用噪聲系數(shù)NF（DB）或輸入換算噪聲電壓En（VN）表示；對于對管列有表示對稱性參數(shù)的柵源短路時(shí)的漏極電流之比⊿或柵源電壓差⊿VGS或柵極電流差⊿JG；跨導(dǎo)值：表示放大能力的參數(shù)，多為最大跨導(dǎo)GM，單位MS（毫西門子）；柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數(shù)，記為IGSS，單位NA或PA；夾斷電壓：表示關(guān)斷行斷特性的參數(shù)，記為VP,，單位V。 

6，" 國內(nèi)外相似型號"欄 
       本欄列出特性相似，可供代換的世界各國場效應(yīng)晶體管型號，含國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管。這些型號的場效應(yīng)晶體管一般都可以代換相應(yīng)第一欄（"型號"欄）的場效應(yīng)晶體管。這些管子多數(shù)可直接代換，但有個(gè)別型號的場效應(yīng)晶體管因外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不過，這些場效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)能數(shù)與被代換場效應(yīng)晶體管都比較接近。 
       這一欄里還對一些特殊的特性、參數(shù)以備注的形式進(jìn)行說明。其中KOMPL（有時(shí)排印為KPL.）后的場效應(yīng)晶體管為第一欄晶體管的互補(bǔ)管。注明INTEGR.D.的表示管內(nèi)含有復(fù)合二極管。對組件注有XN中N 為組件中的器件數(shù)目。  

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