供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。
NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)致了供應(yīng)過剩。
DRAM的行情方面,受到預(yù)計(jì)之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季節(jié)需求低迷的影響,預(yù)計(jì)將進(jìn)一步惡化。2007年9月以后DRAM市場(chǎng)價(jià)格已跌至生產(chǎn)成本以下,512M容量DDR2產(chǎn)品的價(jià)格已經(jīng)崩潰。在亞洲市場(chǎng)上,現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)跌破1美元。受到此次價(jià)格下跌的影響,2007年第四季度DRAM廠商的業(yè)績(jī)預(yù)計(jì)將趨于惡化,DRAM市場(chǎng)整體收益的惡化將持續(xù)至2008年第一季度。
不過,iSuppli預(yù)測(cè),在今后幾個(gè)季度內(nèi),內(nèi)存市場(chǎng)將會(huì)逐漸恢復(fù)。在庫(kù)存減少及產(chǎn)量(按bit換算)減少的推動(dòng)下,DRAM市場(chǎng)將首先恢復(fù),多數(shù)廠商將在2008年第二季度實(shí)現(xiàn)盈利。另一方面,NAND閃存的行情在第二季度仍將惡化,到第三季度將開始反彈。但是,這一預(yù)測(cè)的前提是內(nèi)存廠商不進(jìn)行會(huì)導(dǎo)致DRAM價(jià)格進(jìn)一步下跌的增產(chǎn),市場(chǎng)的恢復(fù)也可能會(huì)因廠商的動(dòng)向而推遲。
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