2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。

　　大舉擴產(chǎn)NAND閃存

　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(Toshiba)為例，該公司目前已經(jīng)無法滿足客戶對NAND閃存的需求，據(jù)稱斷貨會一直持續(xù)到12月份。對于未來，東芝預計NAND閃存比特增長率將在2008年和2009年分別出現(xiàn)120%和115%的跨越式增長。盡管對銷售價格的下滑趨勢十分擔憂，該公司仍計劃大規(guī)模擴充產(chǎn)能以滿足高漲的需求。此外，來自韓國的芯片制造商們也正在將其部分DRAM產(chǎn)能調(diào)撥至NAND閃存。

　　三星跟往年一樣在去年年中的時候增加了支出預算，將其去年年初69億美元的資本支出計劃(包括Austin)增至83.5億美元的高位。臺灣華邦電子雖不如三星那么大手筆，但也將其資本支出從2.45億美元翻番至5.87億美元。

　　存儲器廠商推波助瀾

　　除了三星，還有更多的存儲器廠商不斷地在這一市場煽風點火。力晶和爾必達合資成立的DRAM廠商瑞晶電子(Rexchip)正在將其大量開出的產(chǎn)能推向市場，類似的還有Toshiba與SanDisk聯(lián)合成立FlashAlliance。瑞晶去年首座300mm晶圓廠投產(chǎn)，月產(chǎn)能為70,000片晶圓。這還只是該公司四座規(guī)劃中的晶圓廠之一，第二座晶圓廠已經(jīng)于去年7月動工興建，預計將于2008年下半年投產(chǎn)。奇夢達則在去年年底開始動工建設(shè)其月產(chǎn)能為60,000片晶圓的新加坡300mm晶圓廠。

　　巨型晶圓廠的加速

　　FlashAlliance極有可能將加速其百萬級晶圓廠，或被稱為“巨型晶圓廠(MonsterFab)”的Fab4(全球最大的晶圓廠，最大產(chǎn)能每月210,000片)的擴產(chǎn)，并且將有望在今年年中開始動工建設(shè)Fab5(月產(chǎn)能亦為210,000片)。與STMicroelectronics一道，海力士打算去年年底將雙方在中國無錫的300mm合資廠月產(chǎn)能擴充至80,000片的最高水平。此外他們還將把位于韓國仁川(Icheon)的FabM10改造成月產(chǎn)能110,000片的300mm晶圓廠。

　　供給過剩的擔憂

　　不少存儲器廠商正在通過建設(shè)規(guī)模更大的晶圓廠來推動這一市場。事實上，很多廠商也對此顧慮重重，因為他們擔心此舉將進一步加速平均銷售價格的下跌。在一個價格疲軟的環(huán)境下，即使市場份額能夠擴大，廠商也難以真正高興起來。對于供給過剩的擔憂如今已浮出水面，iSuppli等公司最近都曾指出“供給過渡將存儲器市場推向深淵”。

　　隨著市場受到?jīng)_擊，各廠商紛紛以各種方式應對，試圖使自身產(chǎn)出滿足預期的需求。

　　有的公司不得不削減資本支出，只有少數(shù)公司能夠有足夠的底氣開出更大額的支票。

　　在2007年實現(xiàn)8%的年增長率之后，2008年晶圓廠建設(shè)項目方面的支出將出現(xiàn)停滯，甚至還有可能出現(xiàn)個位數(shù)的負增長。晶圓廠設(shè)備采購方面的支出則可能在經(jīng)歷2007年8%的年度增長之后在2008年出現(xiàn)10%的負增長。

　　許多公司開始通過削減支出、重組、加速提高生產(chǎn)效率等降低成本的努力來應對趨緩的市場環(huán)境。有的開始進行大規(guī)模裁員(如最近三星宣布裁員1,630人，Conexant打算裁員20%，美光也有裁員約10%的計劃)。部分廠商則尋求削減支出，如臺灣茂德近日即宣布2008年資本支出將由2007年的18億美元大幅削減至8億美元。奇夢達最近也承認2008財年資本支出水平將會低于2007財年。

　　代工廠削減資本支出

　　與此同時，我們預計四大晶圓代工廠商臺積電、聯(lián)電、中芯國際和特許半導體均將削減其資本支出，維持或進一步提升較高的產(chǎn)能利用率水平。臺積電、聯(lián)電和特許半導體總共可望將2008年資本支出減少10%以上。至于中芯國際晶圓廠的支出，包括其以代管模式經(jīng)營的晶圓廠，則取決于該公司的合作伙伴以及融資情況。

　　盡管聯(lián)電將加大某些關(guān)鍵的、資本密集型設(shè)備上的投入，并通過重點將舊制程技術(shù)轉(zhuǎn)化為更先進的制程技術(shù)而擴充產(chǎn)能，聯(lián)電仍然宣布2008年資本支出將顯著減少。我們?nèi)云诖?lián)電將于2008年末開始為Fab12B移入設(shè)備(Fab12B目前正處于建設(shè)中)。今年，臺積電將完成Fab14第二階段的產(chǎn)能擴充，并將開始第三階段的擴產(chǎn)。兩者預計均會帶來最多4萬片至4.5萬片的月產(chǎn)能。中芯國際和特許半導體則宣布將對未來短期內(nèi)資本支出進行集約型管理。

　　產(chǎn)能預測

　　2007年全球晶圓廠產(chǎn)能增長率接近20%，2008年還將進一步新增11%。全球已投產(chǎn)總產(chǎn)能方面，存儲器產(chǎn)能增長率將從2007年的38%增加至2008年41%。日本在2007年和2008年均擁有全球最大的已投產(chǎn)產(chǎn)能，折合成8寸晶圓分別為每月350萬片晶圓和380萬片晶圓以上。緊隨其后的是臺灣和韓國，月產(chǎn)能在2007年分別為250萬片和260萬片，在2008年則分別為280萬片和270萬片。美國作為第四大晶圓產(chǎn)出地區(qū)，2007年的月產(chǎn)能為240萬片，2008年預計將達到270萬片。

　　盡管我們的統(tǒng)計顯示2008年增長有所放緩，這一趨勢仍有望出現(xiàn)變化。許多公司(并非所有公司)增速下降，或者緊縮開支以應對下滑的市場。但是只要市場出現(xiàn)改善跡象，這一切便有可能很快改變。半導體產(chǎn)業(yè)不斷成熟意味著它能夠比以前更快地對市場變化做出反應。