MOS模擬集成電路 —— 作者： 時間：2007-12-29 來源：電子元器件網 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強；MOS工藝簡單，便于大規(guī)模集成。因此，自70年代以來，MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展，各種功能的集成電路不斷涌現，其性能不斷提高。由MOSFET構成的模擬集成電路，如運放、電壓比較器、模擬開關、定時器、開關電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉換器、脈沖調制編碼/解碼器等已廣泛應用于電子技術各個領域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號處理技術與數字處理及計算機技術有機結合起來，融為一體，構成模擬信號數字化的單片集成系統(tǒng)，促進了通訊、圖像、聲音、雷達信號處理及其它技術領域的發(fā)展。
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