Hittite Microwave發(fā)布兩款無源GaAs MESFET I/Q混頻器

　　Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點對點無線電、WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施、測試裝置和軍事應(yīng)用的無源GaAs MESFET I/Q混頻器。

　　HMC620LC4是一個可在3～7GHz頻率范圍內(nèi)提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩(wěn)定輸入IP3性能的無源I/Q混頻器/IRM。這個經(jīng)過精心設(shè)計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標(biāo)稱值8dB。HMC620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC～3.5GHz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。

　　HMC620LC4采用符合RoHS指令的4