奇夢達宣布突破性的30納米次代技術藍圖

　　奇夢達公司宣布其Cell尺寸可達4F² 的30納米次代的先進技術藍圖。奇夢達的創(chuàng)新Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及芯片面積小的特性，再次拓展公司的多元化產品組合。奇夢達目前推出此尖端技術的65納米進程，計劃在2008年下半年開始生產1Gbit DDR2產品。

　　奇夢達公司總裁暨首席執(zhí)行官羅建華(Kin Wah Loh)表示：“這項新的技術將能改善生產力和單位比特(per bit)成本至本公司前所未有的水平。我們是業(yè)界第一家宣布30納米的次代技術藍圖的廠商，并將Cell尺寸縮減至4F²。此技術的推出是我們做為領導內存產品開發(fā)的領導者、持續(xù)創(chuàng)新的結果。這也有助于我們開發(fā)新的合作機會。”

　　奇夢達的目標是于2009年下半年開始量產46納米Buried Wordline DRAM技術。與58納米溝槽技術相比，此46納米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的比特(bit)。公司計劃于2009及2010財年，將由現(xiàn)金流量來做為制造流程的轉換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將用于轉換現(xiàn)有的溝槽產能至Buried Wordline技術。奇夢達運用Buried Wordline的技術和精簡的制造流程，加上主流的堆棧式電容，使得這項制造流程轉換只需較低的投資金額。