飛兆半導體的Field Stop Trench IGBT提高感應加熱應用的效率并增強系統(tǒng)可靠性
飛兆半導體公司(Fairchild SemIConductor) 推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD,為電磁感應加熱應用的系統(tǒng)設計人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時采用Field Stop (場截止) 結(jié)構(gòu)和抗雪崩的Trench gate (溝道柵) 技術(shù),可在傳導損耗和開關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡,從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的NPT-Trench IGBT器件相比,F(xiàn)GA20N120FTD可減小25% 的導通損耗、8% 的開關(guān)損耗,并大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低,系統(tǒng)可靠性得以增強,系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專為零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復二極管 (FRD),進一步提高了可靠性。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/80328.htm飛兆半導體的FGA20N120FTD和 FGA15N120FTD一致的參數(shù)參數(shù)分布已經(jīng)增強的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導體創(chuàng)新的Field Stop結(jié)構(gòu)和專有的先進Trench gate單元設計的成果。
FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD的主要特性包括:
低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
低飽和電壓,降低導通損耗。
內(nèi)置專為ZVS拓撲而優(yōu)化的快速恢復二極管,有助于設計人員減少元件數(shù)目,同時進一步確保系統(tǒng)可靠性。
一致的參數(shù)分布,減小性能變化。
出色的抗雪崩能力,延長使用壽命。
FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用無鉛 (Pb-free) 引腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均設計滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS)的要求。
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期: 收到訂單后8周內(nèi)
評論