目前，芯片功率耗散的源頭有兩個：以泄漏形式出現(xiàn)的靜態(tài)現(xiàn)象；以開關(guān)運算形式出現(xiàn)的動態(tài)現(xiàn)象。在采用 90 納米和以下工藝的 CMOS 技術(shù)中，這種功率耗散現(xiàn)象最為明顯。但是，新一代的 DSP 設(shè)計不僅能減輕和避開這種功率極限，而且實際上可以提高基礎(chǔ)設(shè)施、接入和 EDGE 設(shè)備的處理能力，同時限制功率消耗和熱量耗散。

 　　部分特定CMOS 技術(shù)下的能耗界定的關(guān)鍵度量指標(biāo):
　　• 電源電壓
　　• 門開關(guān)速度
　　• 門輸入電容
　　• 門功耗
　　• 每個 MAC 運算消耗的能源

　　研究表明，同等功能（如 MAC 單元）的功率密度（即單位面積的功率）在 0.13 微米（含）以上的芯片中相當(dāng)穩(wěn)定。但是，到達(dá) 90 納米時，這個指標(biāo)會突然升高。

  　　在采用 0.13 微米技術(shù)以前，DSP 設(shè)計能夠在提高性能的同時降低功率，從而可以在單個芯片中植入更多的電路。這主要是通過減小尺寸并降低電壓實現(xiàn)的。采用了 90 納米技術(shù)后，所有這一切就都行不通了。

　　現(xiàn)在面臨的是以性能換功能的問題，這是設(shè)備制造商所不愿遇到的情況：在一個芯片中植入更多電路但降低性能，或者減少電路數(shù)以減少功能。

　　由于“功率極限”的情形繼續(xù)存在，設(shè)計人員一直在通過增加功耗來獲得性能和功能方面的優(yōu)勢。但是，這會帶來一種新的風(fēng)險：達(dá)到熱量耗散的極限。所產(chǎn)生的問題可能已經(jīng)在當(dāng)前市場上最新一代的通用多核心 DSP 中出現(xiàn)。

零-和博弈：靜態(tài)能效

　　因為性能是基礎(chǔ)設(shè)施、接入和 EDGE 應(yīng)用的主要目標(biāo)，因此設(shè)計人員一般并不關(guān)心零待機功率問題。因此，通常采用通用硅工藝來優(yōu)化性能，而不會選擇低泄漏的硅。選擇低泄漏的硅可以降低待機功率，但也會降低速度和性能。

　　這就要求有選擇地使用晶體管。

　　在使用電池的設(shè)備中，高電壓閾值 (HVT) 可能是最佳的；但在基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中，首選的是標(biāo)準(zhǔn)電壓閾值 (SVT) 技術(shù)。

　　例如，假如某個設(shè)計使用 HVT 邏輯運算，并且電源電壓為 1.2V，則將連續(xù)產(chǎn)生 20mW 的泄漏功率。如果以最大容量運算，則將消耗 1W 的動態(tài)功率。

　　使用 SVT 邏輯運算的相同設(shè)計在電源電壓為 1.0V 時可以實現(xiàn)幾乎相同性能，產(chǎn)生的泄漏功率多出 4 倍 (100mW)，但動態(tài)消耗的功率只有 694mW (1.02 /1.22 = 0.694)。

　　因此，泄漏較高的 SVT 設(shè)計消耗的總功率只有 790mW，而相比之下，HVT 設(shè)計的消耗總功率為 1.02W。前者比后者節(jié)能 23%。

　　HVT 設(shè)計和 SVT 設(shè)計的功耗比較

　　盡管與人們預(yù)料的情況相反，這一示例表明，使用較高泄漏的 SVT 邏輯與使用低泄漏的 HVT 邏輯相比，可以在總體上節(jié)能，這是因為后者電路中的開關(guān)活動量很大。對于乘法和累加 (MAC) 電路，這種設(shè)計特別有用；但如果用在低活動因素的電路（如 RAM 電路或測試電路）上，則會出現(xiàn)相反的結(jié)果。因此，SVT 邏輯適用于基礎(chǔ)設(shè)施中“始終打開”的設(shè)備。

 　　動態(tài)化：能效優(yōu)化

　　時鐘樹和邏輯切換都會導(dǎo)致動態(tài)能耗，必須在新一代多核心 DSP 中進(jìn)行處理。通過不斷優(yōu)化這兩種耗能因素的設(shè)計，可以極大地改進(jìn)能效指標(biāo)。

　　時鐘樹（用于實現(xiàn)同步時鐘以觸發(fā)設(shè)計的線網(wǎng)和緩沖區(qū)）會在其自身的觸發(fā)運算過程中從芯片中吸收一些能量。在對最新的高速芯片中遍布的時鐘樹（通常數(shù)量較大）進(jìn)行充電和放電的過程中，也會消耗能量。此外，有些新一代 DSP 使用了速度更快的時鐘 (1GHz 或更高)，這就需要耗能更多的更大的激勵器。如果要通過芯片和相關(guān)的時滯最小化時鐘傳播延遲，則需要更大的激勵器。這又導(dǎo)致消耗更多的能量。

 用于降低能耗的時鐘樹門控

設(shè)備設(shè)計人員可以通過組合以下成熟的技術(shù)來降低時鐘樹中的能耗：

• 單獨啟用時鐘的觸發(fā)器，可以在需要計時時限制觸發(fā)運算的次數(shù)。
• 門控時鐘樹，可以在不使用時動態(tài)阻止對整個電路段計時。
• 多循環(huán)路徑設(shè)計，可以減少電路中的觸發(fā)次數(shù)以及觸發(fā)的頻率。
• 在架構(gòu)上可行的情況下組合計算線路，從而讓一系列 的MAC 運算可以在級聯(lián)組合電路而不是同步反饋電路中實現(xiàn)。借用多循環(huán)路徑技術(shù)；這種方式可以極大地減少所用的觸發(fā)次數(shù)并降低觸發(fā)頻率。
• 最小化觸發(fā)器和電路的使用范圍，使用物理尺寸較小的時鐘樹，從而縮小所需的激勵緩沖區(qū)。

　　最后，消除全部時鐘樹可以在提高性能的同時極大地降低能耗。無時鐘設(shè)計技術(shù)可以用在耗能最多的邏輯電路部分。思想超前的設(shè)計人員會積極地追隨上述解決方案。在解決性能和功率之間一直存在的沖突時，無時鐘設(shè)計是效率最高、成本效益最好的方式。

　　邏輯切換優(yōu)化

　　邏輯切換在能耗方面發(fā)揮著重要的作用，因為整體能耗都發(fā)生在邏輯切換狀態(tài)轉(zhuǎn)換的充電和放電過程中?？梢圆捎靡韵鲁墒旒夹g(shù)的組合來最大程度地減少邏輯轉(zhuǎn)換中的能耗。

• 優(yōu)化物理門：這種技術(shù)可以實現(xiàn)最大的能效指標(biāo)收益，對于較小的芯片尺寸技術(shù)更是如此。雖然其原理非常簡單，但使用當(dāng)前的布局工具和方法來實現(xiàn)這種技術(shù)卻有一定難度；因為這些工具和方法原來的開發(fā)目的是加快推出產(chǎn)品，犧牲性能來提高設(shè)計的水平和復(fù)雜度。

　　最終發(fā)明了物理門，可以使用某種抽象語言 (如 VHDL）來根據(jù)設(shè)計人員的功能目標(biāo)來創(chuàng)建芯片。這種技術(shù)既有優(yōu)點也有缺點。目前的標(biāo)準(zhǔn)方法是讓設(shè)計人員避開物理實現(xiàn)方式的細(xì)節(jié)，從而加快產(chǎn)品推出的速度。

　　這種技術(shù)的缺點是復(fù)雜芯片的設(shè)計人員無法控制其設(shè)計，包括無法控制線路的長度，從而可能極大地增加電路的總電容。在找出最佳的線路和電路設(shè)計方面，設(shè)計人員仍然優(yōu)于設(shè)計工具。如果使用成熟的技術(shù)并深入了解設(shè)計細(xì)節(jié)，人腦的判斷仍然具有優(yōu)勢。設(shè)計人員還可以立即發(fā)現(xiàn)集成電路的細(xì)微變化可能成倍減少互連線路長度的情況。事實上，記錄的信息顯示，有人干預(yù)的物理門技術(shù)可以將電路線路的平均長度最高縮減一半（與傳統(tǒng)的最佳自動后端工具中實現(xiàn)的相同設(shè)計相比）。而且，由于戰(zhàn)略性布線實現(xiàn)的電路集成度可以輕松地將硅使用率提高到 90% 以上。這意味著，與使用自動后端工具的結(jié)果相比，硅使用率提高了大約 20%。

　　此外，與自動布線和路由的設(shè)計相比，激勵這些極短線路的門通常尺寸較小，能耗也更低。因此，與自動布線的同類設(shè)計相比，整個電路的尺寸更小，運算速度更快，能耗也大幅降低。在 90 納米技術(shù)中僅使用低 HVT 邏輯元素時，這種電路集成技術(shù)允許整個數(shù)據(jù)路徑引擎以 1.5-2GHz 的速度運行，而其能耗與傳統(tǒng)設(shè)計的同類電路相比最多可降低 4 倍。

　　 優(yōu)化長信號的線路：與其它高功率高速度的電路元素結(jié)合使用時，長信號線路可以顯著地提高性能。例如，數(shù)據(jù)總線可以使用長路由并頻繁改變狀態(tài)。降低此類線路的整體電容可以極大地降低能耗，加快速度，并減少緩沖需求。但是，設(shè)計人員面臨的難題是：要通過加大間距布置長信號來降低電容，同時仍要允許線路器關(guān)閉設(shè)計中密度極高的部分。其中的部分工具和方法包括：

 　　消除對狀態(tài)進(jìn)行無益更改的電路：禁用其更改后的輸出不會被使用的任何電路。這可以通過使用時鐘門控實現(xiàn)。

　　 減少高頻門的數(shù)量：PC 處理器芯片（如 Pentium™ 和其它處理器）已經(jīng)證明，提高功能要以增加能耗為代價。能耗的指數(shù)級增長源于利用以下一種或多種技術(shù)提高電路的性能：

　　 使用復(fù)雜度更高的電路（即使用超前加法器而不是并行加法器），則會占用更大的面積，消耗更多的能量；

　　使用較大的門、緩沖區(qū)和激勵器來加快切換速度，致使回報的逐漸減小。

　　通常，同等的性能可以通過使用更簡單、速度更慢的電路實現(xiàn)；這些電路以并行方式運算，或者采用慢速的多循環(huán)路徑，這可以極大地降低能耗。但是，與人們預(yù)料的情形相反，此類電路通常占用的總體面積較小。事實上，即使以并行方式使用，它們的總布線量通常較少。這是因為，從個體上看，與更快、更大、更耗能的大型電路相比，它們在每個實例上所需的門數(shù)更少，門更小。

　　• 降低電壓切換擺幅的大小：通過長總線和時鐘線降低電壓切換擺幅，可以進(jìn)一步降低能耗。這涉及使用具有較小的電壓擺幅的平衡傳輸線技術(shù)，諸如在高性能內(nèi)存設(shè)計中使用的技術(shù)（如差動放大器）。此類傳輸線以較小的電壓切換運行，可以極大地降低能耗。盡管這種技術(shù)通常需要在芯片中使用中間電壓軌/平面，這些傳輸線的狀態(tài)更改速度可以達(dá)到傳統(tǒng) CMOS 軌到軌線路速度的 10 倍；在能耗相同的情況下，可以極大地提高能效指標(biāo)。

　　• 規(guī)劃電壓運算范圍：設(shè)計人員在確定其系統(tǒng)規(guī)格時，應(yīng)該有所節(jié)制。并非系統(tǒng)中的每個元素都需要有很高的性能，對于哪些不屬于對整個系統(tǒng)至關(guān)重要的 10% 的功能的元素更是如此。事實上，以盡可能精益的方式運行其它 90% 的功能是可以接受的。因此，設(shè)計人員應(yīng)采用不同的電壓軌區(qū)別對待電路的各個部分。例如，可以為 10% 的芯片線路提供 1.2V 的電壓使其以 3GHz 的速度運行，為另外 40% 的線路提供 1.0V 的電壓使其以 1GHz 的速度運行，而對剩余的 50% 線路提供 0.8V 的電壓使其以 400MHz 的速度運行。在總體上，可以實現(xiàn)特定應(yīng)用可以達(dá)到的最佳整體能效指標(biāo)。

　控制能效問題

　　隨著應(yīng)用程序越來越多樣化，工具變得越來越復(fù)雜，電信接入和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的設(shè)計人員在如何以恰當(dāng)?shù)拇鷥r構(gòu)建高性能產(chǎn)品并實現(xiàn)合理的使用壽命的問題上費盡心思。但是，芯片設(shè)計方法的不斷細(xì)化和專業(yè)化使得許多產(chǎn)品無法接觸到這些技術(shù)。對于那些由專門的工程設(shè)計人員組成的大型團(tuán)隊使用一流的后端設(shè)計工具設(shè)計的芯片，其面臨的困難尤其突出。值得慶幸的是，有多種技術(shù)可以管理芯片的能效指標(biāo)，獲得高達(dá) 3:1 MIPS/功率比。這些技術(shù)中既有非常簡單的技術(shù)，也有極其復(fù)雜的技術(shù)，可以提供范圍廣泛的改進(jìn)可能性。

　　令人意外的是，如果使用了為特定目的設(shè)計的工具，基于設(shè)計人員的最佳判斷和智慧的效率最高的技術(shù)（如優(yōu)化布線和路由）可能是相對簡單的技術(shù)。

　　出人意料的是，最有效的技術(shù)，諸如優(yōu)化布局布線，當(dāng)使用為該特定目的而設(shè)計的工具并基于設(shè)計者的最佳判斷和智慧時會變得相對比較簡單。