運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

　　如果在車上電路系統(tǒng)組件之間，一旦發(fā)生了短路故障的情況，會(huì)使得MOSFET立即關(guān)閉，短路的電流會(huì)通過(guò)MOSFET周圍來(lái)進(jìn)行分流，很容易就能發(fā)現(xiàn)故障問(wèn)題的存在。不過(guò)，一旦電路系統(tǒng)的短路現(xiàn)象是屬于間歇性，或者負(fù)載為電感的情況下，電流停止時(shí)會(huì)在MOSFET上產(chǎn)生一個(gè)反激式電壓（Flyback），來(lái)加以判斷負(fù)載電感中的峰值電流是否高于正常工作時(shí)的峰值電流。因此，組件所吸收的能量會(huì)比原先預(yù)期的還要多，而多個(gè)間 歇性發(fā)生短路的情況，也會(huì)轉(zhuǎn)為連續(xù)而快速發(fā)生，進(jìn)而導(dǎo)致峰值結(jié)溫快速提高，容易對(duì)組件本身產(chǎn)生潛在性的破壞。

　　◎溫度過(guò)高也容易發(fā)生故障問(wèn)題

　　組件引腳的靜電放電（ESD）、線路瞬間電流，以及電感負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)生壓力過(guò)高，另外就是過(guò)熱的問(wèn)題。在眾多設(shè)備中，一旦組件的溫度過(guò)熱就容易導(dǎo)致故障的發(fā)生，甚至是引起其它組件發(fā)生故障。就像電路系統(tǒng)的短路現(xiàn)象，容易使組件發(fā)生過(guò)高的功耗，或者是在極冷、極熱的環(huán)境條件下，使組件的散熱設(shè)備或電路板間的焊錫產(chǎn)生失效情況。在這么多可能導(dǎo)致故障的情況下，具自我保護(hù)MOSFET組件的控制電路，則是在一種安全模式來(lái)加以監(jiān)測(cè)，甚至是控制組件工作情況，一旦組件臨時(shí)發(fā)生故障，還能立即修復(fù)并恢復(fù)到正常功能，甚至能夠進(jìn)一步降低汽車上的控制組件的體積尺寸，還具有提高可靠性，而在傳感器方面則具有自我故障診斷、工作狀態(tài)監(jiān)測(cè)及溫度感測(cè)、過(guò)電壓以及過(guò)電流斷電的保護(hù)等功能。

　　圖說(shuō)：汽車電子的輸出系統(tǒng)在一般情況下也需要對(duì)由短路或電機(jī)堵轉(zhuǎn)所造成的過(guò)電流現(xiàn)象進(jìn)行自我保護(hù)，因此，MOSFET在設(shè)計(jì)上，采取高頻率性能、輸入阻抗高、 驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良的設(shè)計(jì)方式。（資料來(lái)源 ：http://www.physics.udel.edu）

　　如何在溫度過(guò)高的情況下達(dá)到自我保護(hù)作用

　　在一般的汽車上，所使用的過(guò)溫保護(hù)組件，是利用對(duì)溫度較為敏感的組件，如：二極管的偏壓來(lái)加以實(shí)現(xiàn)。假設(shè)上述的這些組件監(jiān)測(cè)到芯片結(jié)溫溫度超過(guò)當(dāng)初所設(shè)定的數(shù)值，電路系統(tǒng)便會(huì)將具有主功率的MOSFET門極拉到接地，并在第一時(shí)間就關(guān)閉該組件，使其中的部份內(nèi)置組件能暫停電流傳遞動(dòng)作，待芯片的溫度稍微下降到適當(dāng)?shù)臏囟戎?，才?huì)導(dǎo)通電流至正常狀態(tài)。

　　當(dāng)發(fā)生溫度過(guò)高的故障之后，有兩個(gè)主要問(wèn)題必須要解決。第一，當(dāng)溫度限制開(kāi)關(guān)斷電路與電流限制電路一起協(xié)同運(yùn)作時(shí)，有可能產(chǎn)生的高溫故障問(wèn)題。當(dāng)電流產(chǎn)生限制電路時(shí)，將門極節(jié)點(diǎn)的電壓增加到閥值電壓的附近，同時(shí)迫使組件進(jìn)入工作模式的情況，并在不同的組件結(jié)構(gòu)下，產(chǎn)生不同的參數(shù)值與分析的數(shù)據(jù)結(jié)果，如此便可保持電流限制的設(shè)定點(diǎn)隨時(shí)符合高電流及低功耗的特性，以滿足從機(jī)械形式進(jìn)展成機(jī)電形式的汽車電子系統(tǒng)。

　　對(duì)于采用熱滯后電路讓零件在過(guò)溫故障情況下循環(huán)導(dǎo)通和關(guān)閉的組件，結(jié)溫將穩(wěn)定在滯后電路高低設(shè)定點(diǎn)之間的溫度。這與高溫可靠性測(cè)試類似，都取決于組件在故障情況下的工作時(shí)間。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)組件的可靠性下降變成一個(gè)受重視的問(wèn)題時(shí)，別指望在故障情況下該組件工作幾千小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。

　　第二、當(dāng)設(shè)備持續(xù)地進(jìn)行作動(dòng)，使組件的溫度過(guò)高有可能會(huì)導(dǎo)致自我保護(hù)作用失效，發(fā)生組件故障的可能情況。這是因?yàn)殛P(guān)閉電感負(fù)載或變壓器負(fù)載的同時(shí)，其輸出的放大功率會(huì)因?yàn)轭l率的不同，而產(chǎn)生差異與變化，此時(shí)的電路組件便會(huì)主動(dòng)吸收存儲(chǔ)在負(fù)載電感中的能量，這對(duì)于應(yīng)用在汽車電子、電路系統(tǒng)的MOSFET標(biāo)準(zhǔn)組件系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，是非常重要的。因?yàn)?，一旦結(jié)溫超過(guò)內(nèi)部所能承受的溫度，組件不再具有半導(dǎo)體特性，門極的控制動(dòng)作容易產(chǎn)生錯(cuò)誤情況，除非漏極電源功率立即消失，否則當(dāng)晶體管門極長(zhǎng)度縮短，會(huì)導(dǎo)致門限電壓（threshold voltage）因此而降低，進(jìn)而產(chǎn)生短通道效應(yīng)（short-channel effect），將使得設(shè)備的電路組件受到破壞。

　　自保護(hù)的MOSFET可能遭受同樣的情況，因?yàn)楫?dāng)門極輸入電壓對(duì)控制電路進(jìn)行偏置時(shí)，由于門極偏置為零，過(guò)溫限制電路處于無(wú)效狀態(tài)。在正常工作和最壞的故障情況下(如器件間歇性短路的情況)，電路設(shè)計(jì)人員必須確保器件吸收的能量不超過(guò)最大額定值。另外，即使出現(xiàn)最高能量額定值，能量脈沖之間必須有足夠的時(shí)間讓結(jié)溫冷卻到初始結(jié)溫。否則，結(jié)溫在每個(gè)能量脈沖之后升高，最終達(dá)到內(nèi)部故障溫度。

　　圖說(shuō)：汽車電路架構(gòu)的未來(lái)將以42V PowerNet供電網(wǎng)絡(luò)和過(guò)渡性雙電壓網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行轉(zhuǎn)變的戰(zhàn)略，為電氣和電子系統(tǒng)架構(gòu)提供了許多革新的機(jī)會(huì)。（資料來(lái)源：http:// www.qclt.com）

　　結(jié)論

　　最后，微機(jī)電的發(fā)展對(duì)汽車電力、電子設(shè)備的控制系統(tǒng)、故障自我偵測(cè)、訊號(hào)處理等，也是具有時(shí)代性的重要象征，而在電源接口也需要具有過(guò)電流的自我保護(hù)功能，展現(xiàn)目前汽車電子產(chǎn)業(yè)體系所導(dǎo)入的電源標(biāo)準(zhǔn)，并針對(duì)汽車電源的部分進(jìn)行自我保護(hù)，以防止各種類型的故障發(fā)生，如：接觸不良的電纜或接頭插入到商品時(shí)，產(chǎn)生短路或造成車上其它電子設(shè)備的損壞。由此可見(jiàn)，未來(lái)微機(jī)電在汽車上的應(yīng)用還會(huì)持續(xù)的發(fā)展，包括：微電子技術(shù)、電力技術(shù)等運(yùn)用到汽車上的電力、電子組件中，才能開(kāi)發(fā)出更多且適合用在汽車上的電力、電子組件自我保護(hù)系統(tǒng)。

　　車上的電流限制可以透過(guò)使用電阻、保險(xiǎn)絲、開(kāi)關(guān)或MOSFET組件技術(shù)來(lái)加以實(shí)現(xiàn)。目前很少采用電阻保護(hù)方案，因?yàn)樗鼤?huì)在正常電流狀態(tài)下產(chǎn)生過(guò)大的電壓降。有可能采用一次性保險(xiǎn)絲方 案，但是這種保護(hù)易于損壞，而且必須在產(chǎn)生故障后予以更換。雙金屬開(kāi)關(guān)的局限性在于它存在反復(fù)接通，并有可能導(dǎo)致觸點(diǎn)熔連故障。在很多汽車應(yīng)用中，最好的保護(hù)方案為MOSFET組件技術(shù)，這種組件在正常工作狀態(tài)下呈現(xiàn)低阻抗，而在產(chǎn)生故障時(shí)呈現(xiàn)高阻抗；如此一來(lái)，便能使汽車電力自我保護(hù)系統(tǒng)呈現(xiàn)最佳化的狀態(tài)。