新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > 利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲

利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲

作者: 時間:2008-06-11 來源:Maxim公司 Ben Smith 收藏

  采用的大多數(shù)設(shè)備還需要某種機(jī)制來存儲在斷電時仍要被記住的那些設(shè)置數(shù)據(jù)。例如,在更換電池后記不住預(yù)設(shè)電臺的收音機(jī)肯定不會在市場上取得很大的成功。用戶希望喜愛的電臺、預(yù)設(shè)溫度、參數(shù)選擇和其他永久性信息能長久保存下來供每次開機(jī)時直接取用。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/84016.htm

  為了滿足這種用戶需求,設(shè)計師一般使用串行。這些器件又小又便宜,具有很長的歷史,設(shè)計工程師用起來得心應(yīng)手。但在今天對成本極其敏感的市場下,即使這樣一個廉價的器件也可能突破成本預(yù)算。因此許多設(shè)計師試圖尋求并利用已經(jīng)包含在芯片中的資源:程序中剩余的空間。

  過去,許多使用ROM或可紫外線擦除的EPROM來存儲程序指令。但現(xiàn)在越來越多的微控制器轉(zhuǎn)用技術(shù)存儲代碼。選擇的主要理由是,如果在程序代碼中發(fā)現(xiàn)錯誤,閃存數(shù)據(jù)很容易被擦除和更新。

  大多數(shù)微控制器具有讀取程序空間中存儲數(shù)據(jù)的機(jī)制?;隈T·諾伊曼架構(gòu)的處理器,如TI MSP430,可以使用任何尋址模式讀取程序閃存。哈佛架構(gòu)處理器一般利用特殊的機(jī)制將數(shù)據(jù)從程序空間傳送到數(shù)據(jù)空間。具有閃存管理功能的其他包括:

  1. 包含MOVEC(移動常數(shù))指令的非常流行的8051處理器系列;

  2. 包含TBLRD和TBLWR(表讀和表寫)指令的Microchip PIC18系列;

  3. 具有偽馮·諾伊曼架構(gòu)的美信MAXQ微控制器系列,它們允許通過簡單的MOVE指令訪問閃存程序存儲空間(見圖1)。

圖1:在像美信MAXQ2000這樣的偽馮·諾伊曼中采用的數(shù)據(jù)交換允許任何存儲器塊被用作代碼或數(shù)據(jù)存儲器。

  但即使能夠從隨機(jī)閃存位置讀取數(shù)據(jù),完整的非易失性存儲器子系統(tǒng)也必須能夠隨機(jī)修改閃存中的數(shù)據(jù)。這意味著需要解決兩個問題:首先,一旦某個閃存位置被寫入,那個位置的數(shù)據(jù)只能通過擦除整個閃存塊(通常128字節(jié)或以上)進(jìn)行修改;其次,閃存的讀寫次數(shù)非常有限。

  本文將介紹如何構(gòu)建一個能夠解決這些問題、并使用閃存塊模擬隨機(jī)寫入的機(jī)制。雖然本文的用例是MAX2000,但原理適用于支持讀寫和擦除閃存的用戶代碼的任何處理器。本文討論的方案已經(jīng)被用于采用MAXQ3180三相模擬前端和MAXQ2000的三相電表參考設(shè)計。

  閃存管理的基本知識

  閃存是一種電可擦除的存儲器,通常主要用于讀操作,也就是說,雖然是可寫的,但它不希望很頻繁地更新數(shù)據(jù),因此對這種存儲器的操作大部分是讀操作。大多數(shù)閃存器件是以字(word)為單位寫入數(shù)據(jù)的,但一次只能擦除整個塊。這使得它們不適用于頻繁變化的存儲應(yīng)用,只適合存儲那些永遠(yuǎn)不變的常數(shù)表。

  一共有兩種閃存:NAND閃存和NOR閃存。NAND閃存經(jīng)常用于存儲卡和閃盤。一般來說,從NAND器件讀取數(shù)據(jù)需要幾個周期,并且大部分是用串行方式完成的。

  因此NAND閃存不適于存儲程序代碼,因?yàn)榇嫒r間太長。而NOR閃存更像是傳統(tǒng)的字節(jié)或字寬的存儲器??梢韵褡xROM器件那樣讀NOR閃存中的數(shù)據(jù):使片選和地址線有效,然后等待一段訪問時間后從總線上讀取數(shù)據(jù)。

  閃存塊通常被擦除到“1”狀態(tài),因此經(jīng)過擦除后,塊中的每個位置都是0xFFFF。“編程”一個閃存位置是把某些位從“1”狀態(tài)改變?yōu)?ldquo;0”狀態(tài)。為了使編程過的位返回到“1”狀態(tài),整個塊必須被擦除。

  任何電可擦除的存儲器件都面臨壽命的問題。根據(jù)所用技術(shù)的不同,一個閃存單元在永久失效以前可以承受的擦除-編程次數(shù)少則1000次,多則100萬次。使用閃存存儲數(shù)據(jù)的任何方案都必須確保寫入次數(shù)在整個單元陣列上獲得均勻分布,沒有一個位置會出現(xiàn)太多的擦除和編程次數(shù)。

  大多數(shù)閃存器件都允許將前次編程中那些未被編程的位從“1”改為“0”狀態(tài)。例如,大多數(shù)器件允許用0xFFFE編程過的那個位置再用0x7FFE進(jìn)行編程,因?yàn)檫@種操作不會將任何位從“0”改變到“1”。然而如圖1所示的處理器架構(gòu)中使用的閃存不允許這樣做。這種寫入操作的結(jié)果是失敗,內(nèi)存中的數(shù)據(jù)仍然是0xFFFE。

  理由很簡單:因?yàn)橐痪幊痰拇鎯K主要用作代碼空間,通常禁止對前面寫過的位置作任何寫操作。因?yàn)橹噶?xFFFF代表的是無效的源子譯碼(source sub-decode),不可能出現(xiàn)在有效的代碼塊中。這樣,阻止向以前編過程的位置寫入數(shù)據(jù)有助于保持代碼塊的完整性。

  提供非易失性存儲器服務(wù)

  以下是提供非易失性存儲器服務(wù)的兩種方案。第一種方案側(cè)重于簡單性,第二種方案比較靈活,但代價是較復(fù)雜。


上一頁 1 2 3 下一頁

關(guān)鍵詞: 閃存 MCU 微控制器 EEPROM

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉