ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅(qū)動能效

　　意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時，封裝的額定功率為300W。

　　新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設計多個并聯(lián)的MOSFET，達到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標準驅(qū)動閾壓還有助于簡化驅(qū)動電路的設計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設備。

　　高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設備，如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過100%的雪崩測試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達到汽車級產(chǎn)品質(zhì)量標準。

　　在同一個產(chǎn)品系列，ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A，源極連線配置為4線。

　　STV250N55F3樣片即刻上市銷售，預計2008年第三季度開始量產(chǎn)。