應(yīng)用材料公司推出Extensa PVD系統(tǒng)

　　近日，應(yīng)用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理氣相沉積）系統(tǒng)，這是業(yè)界唯一在亞55納米存儲芯片銅互聯(lián)的關(guān)鍵阻擋層薄膜沉積工藝中具有量產(chǎn)價值的系統(tǒng)。Extensa系統(tǒng)獨(dú)特的Ti/TiN工藝技術(shù)使擴(kuò)散阻擋薄膜具有高水準(zhǔn)的階梯覆蓋率，整塊硅片上薄膜厚度的不均勻性<3%。同其他同級別競爭對手的系統(tǒng)相比，它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。

　　應(yīng)用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品部總經(jīng)理Prabu Raja表示：“由于存儲單元的高電壓和高密集度封裝要求，在存儲器件中使用銅材料需要應(yīng)對在薄膜整合方面獨(dú)特的挑戰(zhàn)。制造廠商正在使用新的襯墊/阻擋層方案，以最具成本效益的方式充分利用銅材料的優(yōu)點。Extensa以其經(jīng)過驗證的單系統(tǒng)解決方案實現(xiàn)了這些關(guān)鍵的新型擴(kuò)散阻擋層的高性能整合，幫助存儲器制造廠商在32納米及更小技術(shù)節(jié)點上實現(xiàn)較高的生產(chǎn)良率。”

　　應(yīng)用材料公司的Extensa系統(tǒng)具有杰出的性能，并且已經(jīng)在多個客戶的工廠內(nèi)得到驗證。這些優(yōu)秀性能來源于Ti/TiN沉積反應(yīng)腔所采用的多項PVD（物理氣相沉積）技術(shù)創(chuàng)新。新型雙磁體PVD（化學(xué)氣相沉積）源極的側(cè)向電磁器具有磁通量整形功能，可以提供無與倫比的階梯覆蓋率，并能將≥0.12μm的微?？刂圃?0個以下。擁有專利的源極技術(shù)也提高了沉積材料的使用效率，并將靶材的使用壽命延長了30%。此外，反應(yīng)腔的工具套件包括擁有專利的CleanCoat™技術(shù)，可以方便地進(jìn)行維護(hù)工作和微?？刂?。

　　Extensa技術(shù)整合在非常成功的應(yīng)用材料公司Endura平臺上，它能提供Ti/TiN沉積解決方案，為存儲器的兩個技術(shù)轉(zhuǎn)型提供支持：一個是在銅阻擋層/晶種層應(yīng)用中用鈦基電介質(zhì)阻擋層取代鉭；另一個是采用銅-鋁和銅-鎢擴(kuò)散阻擋層來實現(xiàn)銅和鋁層以及鎢孔道的最具成本效益的整合。

　　更多的應(yīng)用包括存儲器件的接觸孔襯墊，以及邏輯芯片的金屬柵極和硅化物覆蓋阻擋層沉積。Endura架構(gòu)獨(dú)特的靈活性使其成為業(yè)內(nèi)唯一能在單獨(dú)系統(tǒng)中提供整合的銅-鋁阻擋層和鋁填充解決方案的系統(tǒng)。