防止ESD引起器件閂鎖的電源斷路器

在某些情況下，ESD（靜電放電）事件會毀壞數(shù)字電路，造成閂鎖效應。例如，受到 ESD 觸發(fā)時，通常構成 CMOS 器件中一部分的寄生晶體管會表現(xiàn)為一個 SCR（可控硅整流器）。一旦 ESD 觸發(fā)， SCR 會在 CMOS 器件的兩部分之間形成一個低阻通道，并嚴重導電。除非立即切斷電路的電源，否則器件就會被損壞。人體交互產(chǎn)生的 ESD 是手機和醫(yī)療設備中遇到的大問題。為了有足夠的 ESD 防護，多數(shù)醫(yī)療設備和工業(yè)設備都需要為 ESD 電流設置一個接地回路。而在實際生活中，移動設備可以對付沒有合適的電源接地引出線的使用環(huán)境。
　　為了在沒有 ESD接地的情況下也能防止昂貴的設備遭受閂鎖故障，可以增加一個如圖顯示的電源斷路電路，防止由ESD引起的閂鎖而造成的損害。正常情況下，易受ESD影響的器件所吸收的電流會在電阻器R6上產(chǎn)生一個小壓降。R4和R5構成的電壓分壓器規(guī)定了一個光隔離器IC1 LED端口的復位電流閾值，在正常工作電流消耗下，LED是不亮的。
　　IC₁的輸出控制著加在MOSFET Q₁上的柵極偏置，Q₁通常是導通的。當出現(xiàn)閂鎖時，電源電流會快速增大一至多個數(shù)量級。R₆上產(chǎn)生的高電壓降正向偏置IC₁的LED ，于是 IC₁的光電晶體管導通，從而關斷Q₁，直流電源向受 ESD 影響器件的供電被中斷數(shù)毫秒。另外，系統(tǒng)的固件設計必須能夠達到允許從電源中斷狀態(tài)自動恢復。

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　　下式描述了復位電流閾值與R4和R5值之間的關系：(R₄+R₅)/R₄=(I_T

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