TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲(chǔ)卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤(pán)

　　TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開(kāi)始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè)
用CompactFlash（CF）存儲(chǔ)卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤(pán)
（SSD），最大容量高達(dá)16 Gbyte。

　　這些產(chǎn)品將TDK獨(dú)創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫(xiě)
入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性
能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺(tái)階。

　　此外，在高速訪問(wèn)方面，讀訪問(wèn)速度高達(dá)50 MB/秒，寫(xiě)訪問(wèn)速度高達(dá)30 MB/秒；這些
產(chǎn)品提供了強(qiáng)大的ECC糾錯(cuò)功能（可達(dá)15 bit/扇區(qū)），具有較高的數(shù)據(jù)可靠性。由于
大大降低了反復(fù)讀取數(shù)據(jù)可能出現(xiàn)誤碼和寫(xiě)入數(shù)據(jù)掉電造成數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)，這些高
可靠性的CF存儲(chǔ)卡和SSD將成為工業(yè)和嵌入式應(yīng)用的最佳選擇。

　　這些產(chǎn)品還采用了TDK研發(fā)的先進(jìn)靜態(tài)損耗均衡功能，可使數(shù)據(jù)均勻地寫(xiě)入閃存的所有
存儲(chǔ)區(qū)，極大地提高了CompactFlash存儲(chǔ)卡和SSD的寫(xiě)壽命。此外還對(duì)SMART（自動(dòng)監(jiān)
測(cè)分析報(bào)告技術(shù)）進(jìn)行了改進(jìn)，可獲取TDK所特有的關(guān)于各存儲(chǔ)塊擦寫(xiě)次數(shù)的SMART數(shù)
據(jù)，因而能夠進(jìn)行系統(tǒng)量化評(píng)估并有助于操作和管理。

　　基本規(guī)格
 

　　主要用途

　　主要用于多功能打印機(jī)（MFP）、數(shù)控機(jī)床設(shè)備、程控裝置與PLC、工廠自動(dòng)化觸摸工
控機(jī)、觸屏顯示系統(tǒng)、嵌入式CPU板、銷售點(diǎn)（POS）終端、金融業(yè)務(wù)終端、ATM機(jī)及自
助服務(wù)機(jī)終端、火車站設(shè)備、通信與廣播設(shè)備、安全與火災(zāi)檢測(cè)設(shè)備、數(shù)字標(biāo)牌、安
全識(shí)別系統(tǒng)、成像與其他醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)用PC、藥物熔點(diǎn)（POM）系統(tǒng)、行車記錄儀、汽
車數(shù)據(jù)記錄器（如數(shù)字轉(zhuǎn)速表）、分析與測(cè)量?jī)x器，以及其他各種工業(yè)設(shè)備、醫(yī)學(xué)設(shè)
備、汽車與嵌入式設(shè)備及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。

　　主要特性

　　1. 采用獨(dú)創(chuàng)的TDK GBDriver RA8 NAND閃存控制器IC

　　內(nèi)存控制器IC采用TDK研發(fā)的GBDriver RA8系列，確保了CompactFlash和SSD的性能和
數(shù)據(jù)可靠性。通過(guò)采用最新的NAND規(guī)范和改進(jìn)控制器設(shè)計(jì)，TDK提高了NAND閃存盤(pán)的性
能并確保各閃存版本兼容。這意味著同一個(gè)產(chǎn)品系列可滿足業(yè)界和嵌入式應(yīng)用的閃存
需求，也可作為理想的升級(jí)換代成品。

　　2. 搭載SLC 閃存

　　通過(guò)采用高速、耐用的SLC NAND，TDK打造出專為工業(yè)用途和嵌入式應(yīng)用優(yōu)化的
CompactFlash存儲(chǔ)卡和閃存盤(pán)，適用于高速數(shù)據(jù)寫(xiě)訪問(wèn)和高頻數(shù)據(jù)寫(xiě)入。還可根據(jù)客
戶需要提供采用多層單元（MLC）閃存的CF存儲(chǔ)卡和閃盤(pán)。

　　3. 高速訪問(wèn)

　　兼容PIO模式0–6、多字節(jié)DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。這些高速NAND存儲(chǔ)設(shè)備
支持高達(dá)50 MB/秒的讀訪問(wèn)速度和高達(dá)30 MB/秒的寫(xiě)訪問(wèn)速度。

　　4. 對(duì)所有塊進(jìn)行靜態(tài)損耗均衡

　　TDK創(chuàng)造了一種全新的靜態(tài)損耗均衡算法，可計(jì)算出所有內(nèi)存塊中各內(nèi)存塊的擦寫(xiě)次
數(shù)。此外定期對(duì)固定塊（如OS區(qū)和FAT區(qū)）進(jìn)行調(diào)整，以盡量延長(zhǎng)板載閃存的壽命，這
也極大地增加了閃存存儲(chǔ)的重寫(xiě)壽命。

　　5. 斷電耐受性增強(qiáng)

　　TDK獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行錯(cuò)誤，例如在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生斷電的情況下不讓錯(cuò)亂的數(shù)
據(jù)寫(xiě)入。

　　6. 糾錯(cuò)和恢復(fù)

　　通過(guò)ECC校驗(yàn)（8 bit/扇區(qū)ECC和15 bit/扇區(qū)）提供糾錯(cuò)能力，并為將來(lái)的NAND閃存預(yù)
留了空間?？刂破骺瑟?dú)立選擇8 bit/扇區(qū)或15 bit/扇區(qū)的ECC校驗(yàn)。自動(dòng)恢復(fù)功能包
括在反復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位錯(cuò)誤（讀干擾錯(cuò)誤）。

　　7. 其他功能

　　(a) 簇總數(shù)設(shè)置功能

　　可定制分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過(guò)減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)提高閃
存的可寫(xiě)入次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不需要長(zhǎng)壽命，可通過(guò)增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)
加大存儲(chǔ)容量?？蓪HS設(shè)為任何值，以便于將其引入現(xiàn)有系統(tǒng)。

　　(b) 保護(hù)（密碼）功能
　　
　　采用ATA標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，用戶可設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。

　　(c) SMART命令支持
　　
　　可通過(guò)SMART命令確定所有內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)寫(xiě)入（和擦除）次數(shù)，以便于確定NAND閃存狀
態(tài)和相關(guān)管理。

　　8. 解決方案支持

　　TDK自2000年開(kāi)始自主研發(fā)和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器IC，并依托其先進(jìn)技術(shù)
為日本和國(guó)外客戶提供全面技術(shù)支持，包括派遣FAE——現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（Field
Application Engineer）和實(shí)施可靠性監(jiān)控工作，以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)在此方面的
強(qiáng)烈需求。