安森美半導(dǎo)體推出新雙緣(Dual-Edge) PWM控制器

　　2005年10月10日 – 電源管理產(chǎn)品全球領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，    美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào): ONNN) 宣布成功開(kāi)發(fā)創(chuàng)新雙緣 (dual-edge) 脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器硅芯片產(chǎn)品，并開(kāi)始為取得VR11電源授權(quán)廠商提供工程樣品。

　　安森美半導(dǎo)體高性能模擬產(chǎn)品部副總裁Bill Schromm說(shuō): “客戶(hù)的反饋相當(dāng)正面，從客戶(hù)的反應(yīng)中我們知道，新推出的雙緣PWM解決方案提供了最佳的性能與成本組合?！?/P>

　　功能更加豐富、性能更加提升以及配備日益普及的無(wú)線(xiàn)連通等各種功能需求將持續(xù)推動(dòng)計(jì)算與數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展。安森美半導(dǎo)體新推出的直流─直流轉(zhuǎn)換控制器，特別針對(duì)必須具備高轉(zhuǎn)換效率之高度穩(wěn)定低電壓電源供應(yīng)電路的有源應(yīng)用提出解決方案，以符合VR11嚴(yán)格的規(guī)格。

　　安森美半導(dǎo)體模擬產(chǎn)品部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理施禮賢(Larry Sims)說(shuō): “安森美半導(dǎo)體成功開(kāi)發(fā)這直流─直流控制器將能夠大幅強(qiáng)化高性能CPU主板上的電源子系統(tǒng)，這產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在年底推出面市，更進(jìn)一步加強(qiáng)我們現(xiàn)有的DDR控制器、通用控制器、MOSFET與分立器件等計(jì)算應(yīng)用產(chǎn)品的組合?！?/P>

雙緣(Dual-Edge)技術(shù)

　　安森美半導(dǎo)體的雙緣PWM技術(shù)為業(yè)界第一個(gè)應(yīng)用于計(jì)算CPU電源。

　　具有比現(xiàn)今業(yè)界產(chǎn)品速度大幅提高的瞬變負(fù)載響應(yīng)，安森美半導(dǎo)體的雙緣PWM技術(shù)將能夠讓電源管理子系統(tǒng)對(duì)使用者所進(jìn)行的高效能計(jì)算進(jìn)行快速反應(yīng)。和安森美半導(dǎo)體的新雙緣PWM技術(shù)比較，業(yè)界現(xiàn)有的單緣解決方案需要用高于最優(yōu)的頻率運(yùn)作，或者使用大量的電容保持電路，這些選擇需要更加復(fù)雜并且體積更大的電源管理子系統(tǒng)。通過(guò)在多相位電源波形上所有相位的同時(shí)轉(zhuǎn)換，安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新解決方案能夠提供比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)單緣控制更快的反應(yīng)速度。這項(xiàng)改進(jìn)和現(xiàn)有的前緣或后緣方案比較，將能夠讓電源管理子系統(tǒng)在更低的頻率運(yùn)作，同時(shí)使用更少的保持電容。

產(chǎn)品特性

　　雙緣PWM對(duì)瞬變負(fù)載快速初始響應(yīng)

　　專(zhuān)利申請(qǐng)中的動(dòng)態(tài)參考注入(Dynamic Reference Injection)

　　+0.5%系統(tǒng)電壓精確度

　　VR11遠(yuǎn)程溫度傳感功能

　　逆向兼容VR10規(guī)格

　　無(wú)耗損差動(dòng)式電感電流傳感

 
目標(biāo)應(yīng)用

　　Pentium IV處理器

　　VRM模塊

　　圖形顯示適配卡

　　低電壓高電流電源應(yīng)用