SanDisk與索尼聯(lián)合開發(fā)TB級閃存技術

　　據(jù)存儲在線報道，在近期的CES展會上，SanDisk與索尼共同宣布了一項計劃，雙方打算聯(lián)合開發(fā)兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級以上。

　　這兩款新產(chǎn)品目前被暫時定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴展目前索尼所用的"Memory Stick PRO"格式，它將是一種大容量存儲格式，數(shù)據(jù)存儲量最高可達2TB。

　　而"HG Micro"格式則專注于高速數(shù)據(jù)傳輸技術，它的傳輸速度可以高達60Mbps，它將是目前傳輸速率最快的小型存儲卡。

　　記憶棒通常會應用于各種消費電子產(chǎn)品，比如高清數(shù)碼相機、數(shù)字單反相機以及攝像機等等。如果將閃存記憶棒的容量提升到TB級以上，索尼和SanDisk就可以將它們應用到其他的領域。

　　但是低容量記憶棒仍是當前的主流產(chǎn)品，高容量記憶棒可能還需若干年才能問世。 SanDisk發(fā)言人表示，更高容量的驅(qū)動器不會在今年問世。

　　雖然將NAND閃存的容量一下子從32GB提升到2TB看似有些冒進，但是Convergent Semiconductors的首席分析師Bob Merritt表示，NAND的發(fā)展速度實際上比標準DRAM內(nèi)存的發(fā)展速度要快一些。

　　他表示："NAND的單元結構的生產(chǎn)工藝比DRAM單元結構的生產(chǎn)工藝要簡單一些，現(xiàn)在DRAM單元結構的生產(chǎn)工藝還停留在50納米水平，而NAND單元結構的生產(chǎn)工藝已經(jīng)達到30到40納米水平，并正向光刻技術級邁進。從單位比特成本的角度來說，NAND的成本下降速度比標準DRAM要快得多，這樣就推動了NAND技術的更快發(fā)展和應用。"

　　Merritt相信，從長遠的角度來說，NAND技術將走向更高容量等級并進入數(shù)據(jù)中心應用領域。三星和其他許多廠商一直在通過固態(tài)盤的方式向這個方向努力。 Merritt引述IBM學報的內(nèi)容稱，硬盤存儲已經(jīng)跟不上半導體的發(fā)展速度，因此非易失性存儲技術在整個市場上的份額將越來越大。

　　雖然閃存固態(tài)盤技術有可能成為今年的主流技術，但是這項技術今后還需接受更多的實踐檢驗。

　　Merritt解釋說："在占空度有限的情況下，數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存是無法滿足需求的。"隨機存儲可以無限使用，但是NAND閃存的使用時間是有限的。 他說："因此業(yè)內(nèi)從未給OEM定義過要求。因此這個問題看起來才會比實際上更為嚴重。 OEM廠商們并不能確定它對支持客戶有什么意義。"

　　這對于它們來說是個壞消息。如果客戶在臨界任務環(huán)境下使用固態(tài)盤產(chǎn)品，那么OEM廠商就會因為銷售不成熟產(chǎn)品而遭到指責或起訴，內(nèi)存廠商也會因那些產(chǎn)品而遭到指責或起訴。

　　Merritt表示："閃存硬盤的問題在于用戶可以擦除單個單元中的數(shù)據(jù)的次數(shù)。這個領域需要解決的問題很多，但是如果我們說的是更換巨大的硬盤驅(qū)動器，那么半導體行業(yè)面臨的問題就主要是一個驅(qū)動器可以擦除和復寫數(shù)據(jù)的次數(shù)。"