安森美半導體推出最新GreenPoint? ATX參考設計，超越80 PLUS?臺式個人電腦銀級能效標準

        最新255 W ATX電源公開參考設計實現真實世界極寬范圍工作中的85%能效

 

        2009年2月4日– 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出最新的ATX電源公開參考設計。這款255瓦(W)參考設計超越美國80 PLUS銀級、“能源之星”(ENERGY STAR ®) 5.0版及計算產業(yè)拯救氣候行動計劃(CSCI)第三階段臺式個人電腦(PC)電源能效標準。這新的參考設計在真實世界工作條件下提供更高的能效，并且它的配置可立即被投入生產。這設計為電源制造商提供一個藍圖，使他們能以現有高性價比的技術把高能效電源上市。

 

        安森美半導體的參考設計在50%負載、230和240 Vac條件下實現最高達90%的能效，并在50%負載、100和115 Vac條件下提供高于88%的能效。這參考設計在20%和100%負載、100、115、230或240 Vac條件下的能效高于85%。所有這些能效測量數據都是在41厘米(16英寸)長線纜的末端所獲得的，確保這設計可照原樣用于所有標準的臺式PC配置。此外，安森美半導體的ATX參考設計符合IEC 61000-3-2標準的功率因數要求，在100、115、230和240 Vac條件下的功率因數高于0.95。

 

        安森美半導體計算及消費產品部高級副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：“我們的客戶指出，雖然能效標準殊為重要，但真實世界工作條件(諸如擴展輸入范圍和實際線纜長度等)對在終端設備中實際應用電源同等重要。我們除了確保符合相關全球能效標準，還解決客戶實際工作條件下的設計挑戰(zhàn)。”

 

        美國Ecos Consulting及80 PLUS項目渠道經理Jason Boehlke說：“安森美半導體自2005年成為第一家半導體公司獲80 PLUS認證公開參考設計以來，不斷穩(wěn)步地提升其ATX參考設計的性能。安森美半導體的最新參考設計達到80 PLUS銀級性能水準，且其配置可立即用以生產臺式PC。”

        這參考設計提供ATX電源的全部功能模塊，包括功率因數校正(PFC)、開關電源控制及穩(wěn)壓、后穩(wěn)壓和待機電源。這設計采用了數款安森美半導體最新電源管理器件，并利用公司領先的分立元器件系列，實現了優(yōu)異的能效性能。

 

        安森美半導體提供這ATX參考設計的完整文檔，包括參考設計描述、原理圖、物料單(BOM)、Gerber文件和評估指導，請訪問www.onsemi.com.cn/powersupplies，該網頁還提供相關行業(yè)信息和其它信息的鏈接。

 

        這參考設計中的關鍵產品包括：

        NCP1654連續(xù)導電模式(CCM)功率因數控制器：適合ATX電源等CCM PFC應用的極佳解決方案。這器件將PFC納入ATX電源之前端，結合功能以簡化設計，提供強固、高性價比的前端，不需頻寬切換開關。NCP1654采用SOIC-8封裝，每2,500片批量的單價為0.66美元。

 

        NCP1396諧振模式控制器，帶高端和低端驅動器：集成的諧振儲能(tank)解決方案，即變壓器的泄漏電感充當諧振電感。NCP1396采用SOIC-8封裝，每2,500片批量的單價為0.85美元。

        NCP1027 65 kHz脈寬調制(PWM)控制器集成700 V MOSFET：可調節(jié)斜坡補償特性支持深度CCM工作，優(yōu)化滿載能效。跳周期模式工作優(yōu)化輕載能效。NCP1027采用PDIP-7封裝，每1,000片批量的單價為0.97美元。

 

        NCP4302同步整流控制器：高集成度次級端控制器簡化開關電源中同步整流(SR)技術的應用，提升總體系統能效2%至4%。這器件除了具有SR控制特性，還集成TL431功能于一個高精度分流穩(wěn)壓器內，既減小電路板空間，也降低系統成本。NCP4302采用SOIC-8封裝，每2,500片批量的單價為0.74美元。

 

        NCP1587同步降壓控制器：內置非重疊時序控制功能，防止整流MOSFET的交叉導電。NCP1587采用SOIC-8封裝，每2,500片批量的單價為0.33美元。

 

        MBR20L45 L系列20 A、45 V雙肖特基整流器：正向電壓降令電能損耗減至最低。MBR20L45采用TO-220封裝，每50片批量的單價為0.60美元。

 

        NTD4809N單N溝道30 V、58 A功率MOSFET：低導通阻抗(RDS(ON))使導電損耗減到最低；低電容使驅動器損耗減到最??；優(yōu)化的門電荷使開關損耗減到最小。NTD4809N采用DPAK和IPAK封裝，每2,500片批量的單價為0.19美元。