DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(08-100)

　　DDR2 SDRAM接口的信號線分為4組，以下以MPC8548命名方式為準(zhǔn)，命名和DDR2 SDRAM芯片資料的區(qū)別在于信號名之前多一個字母”M”【7】：

　　1) 數(shù)據(jù)組：MDQS/MDQS#[8:0], MDM[8:0], MDQ[63:0], MECC[7:0]

　　2) 地址組：MBA[2:0], MA[15:0], MRAS#, MCAS#, MWE#

　　3) 命令組：MCS#[3:0], MCKE[3:0], MODT[3:0]

　　4) 時鐘組：MCK/MCK#[5:0]

　　PCB設(shè)計時，建議布線順序依次為：數(shù)據(jù)組，地址組，控制組，時鐘組，電源。

　　對于單端信號線，阻抗控制在50～60歐姆內(nèi)。對于差分信號線，阻抗控制在100～120歐姆內(nèi)。

　　如果使能了ODT功能，數(shù)據(jù)組無需外部匹配電阻，走線直接從MPC8548連接到內(nèi)存條即可。而地址組和命令組需要在內(nèi)存條末端利用外部電阻RTT上拉到VTT電平實現(xiàn)匹配，電阻值需要經(jīng)過仿真確定。如圖6，考慮到最佳的信號完整性，RTT應(yīng)該放在內(nèi)存條之后，即地址/命令組信號走線從MPC8548出來，應(yīng)該先到內(nèi)存條的引腳，然后再走到RTT電源平面實現(xiàn)終端匹配。對于時鐘組，一般而言，內(nèi)存條上都包含了100～120歐姆的差分終端電阻，所以在PCB上無需外加匹配。

　　圖6 MPC8548和DDR2 SDRAM內(nèi)存條硬件接口設(shè)計

　　由于本設(shè)計采用8位的DDR2 SDRAM芯片，因此，對數(shù)據(jù)組可以分為9個小組：MDQS/MDQS#[0],MDQ[7:0],MDM0為第一組;MDQS/MDQS#[1], MDQ[15:8],MDM1為第二組;依次類推;MDQS/MDQS#[8],MECC[7:0],MDM8為第九組。對這九小組數(shù)據(jù)線，要求各小組之內(nèi)，走線在同一層并擁有相同數(shù)目的過孔，走線長度差異控制在20mil之內(nèi)，所有的信號線走線必須以完整的地層作為參考。不同小組之間，走線長度差異控制在500mil之內(nèi)。對每一小組，小組內(nèi)的8根MDQS信號線的線序可以根據(jù)走線方便的目的進行調(diào)整。需要注意，在本設(shè)計中，采用的內(nèi)存條上的存儲芯片是8位的(即內(nèi)存條上每片DDR SDRAM芯片有8根DQ數(shù)據(jù)線)，因此每8位MDQ信號歸為一個小組，市場上還有許多4位，16位的內(nèi)存條，如果需要兼容這些內(nèi)存條，硬件設(shè)計中需要注意應(yīng)該以每4位MDQ信號歸為一個小組。數(shù)據(jù)組的信號線和其他組的信號線間距要求在25mil以上，數(shù)據(jù)組內(nèi)信號線間距要求在10mil以上。對于差分的MDQS和MDQS#信號，走線長度差異應(yīng)該控制在10mil之內(nèi)。

　　對地址/命令組，該組內(nèi)信號線長度差異應(yīng)控制在100mil之內(nèi)。走線以1.8V電源平面或完整的地層作為參考層。走線和其他組的信號線間距保證在25mil以上。該組內(nèi)信號線間距保證在10mil以上。

　　對時鐘組，差分信號對內(nèi)走線長度差異控制在10mil內(nèi)，盡量在同一層內(nèi)走線，如果需要換層，兩根差分信號應(yīng)該一起換層。與其他組的信號間距在25mil以上。在MPC8548一側(cè)，一共提供了6對相位相同的時鐘對，即MCK/MCK#[5:0]，其目的是為了兼容內(nèi)存條設(shè)計和分立的內(nèi)存芯片設(shè)計。例如在本設(shè)計中，如果選用分立的8位存儲芯片，一共需要9片，如果MPC8548只提供一對時鐘對，其驅(qū)動能力顯然無以滿足9片存儲芯片，因此需要由MPC8548提供更多的時鐘對輸出。如果選用內(nèi)存條，需要根據(jù)內(nèi)存條的不同種類來決定需要使用多少對時鐘對。根據(jù)對MCK/MCK#信號是否提供驅(qū)動，內(nèi)存條可以分為Buffered DIMM(緩沖驅(qū)動式內(nèi)存條)和Unbuffered DIMM (非緩沖驅(qū)動式內(nèi)存條)，對于前者而言，由于MCK/MCK#在內(nèi)存條上需要經(jīng)過緩沖再送到DDR2 SDRAM芯片，即在內(nèi)存條上利用緩沖器(通常是帶鎖相環(huán)的緩沖器)保證了該信號的驅(qū)動能力，所以只需要MPC8548提供一對時鐘對(例如MCK/ MCK#[0])送到內(nèi)存條即可。對于后者而言，內(nèi)存條上不提供對時鐘對的驅(qū)動，通過計算可以知道從MPC8548提供的每對時鐘對，能可靠驅(qū)動3個DDR2 SDRAM芯片作為負載。因此需要使用MPC8548輸出的3對時鐘對以驅(qū)動內(nèi)存條上的9片DDR2 SDRAM芯片。對于沒有使用到的時鐘對，可以通過配置MPC8548的內(nèi)部寄存器DDRCLKDR進行關(guān)閉。

　　在電源設(shè)計方面，需要仔細計算VTT電源發(fā)生器及其電源平面是否能滿足設(shè)計所需要的功耗;需要仔細對VTT, VDDQ, VREF進行去耦濾波;VTT電源平面應(yīng)該和內(nèi)存條緊緊相鄰;VREF走線寬度建議為20～25mil并和同層的其他電源或信號有至少20mil的間距，VREF必須能跟隨VDDQ的變化，建議VREF通過電阻分壓網(wǎng)絡(luò)從VDDQ直接得到，分壓電阻精度要求為1%;

　　設(shè)計時，還需要仔細考慮信號時序的要求。數(shù)據(jù)組信號的時序需要參考本小組的MDQS/MDQS#信號，并利用這對差分對的交叉點采樣;地址和命令組信號的時序需要參考對應(yīng)的時鐘組信號，并利用其上升沿采樣。對于DDR2 SDRAM，建立時間和保持時間需要考慮由于信號邊沿不單調(diào)造成的時序降額，計算公式如下：

　　tSETUP = tSETUP(base) + tSETUP(derating)

　　tHOLD = tHOLD(base) + tHOLD(derating)

　　其中，tSETUP和tHOLD是總的建立時間和保持時間要求;tSETUP(base)和tHOLD(base)是從芯片文檔能直接得到的建立時間和保持時間的基本要求;tSETUP(derating)和tHOLD(derating)是根據(jù)信號及其參考時鐘的真實爬升速率查表得出的降額值，該表格可以從芯片文檔得到。

　　這種查表計算降額值的方法，將造成很大的工作量。在實際設(shè)計中，一般是利用Hyperlynx等仿真軟件直接得到降額值，從而確定信號的時序裕量。特別需要注意的是地址組，由于地址組信號的負載數(shù)目一般都比相應(yīng)的時鐘信號多，因此需考慮負載對時序造成的影響。

　　結(jié)語

　　存儲芯片在電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色，其性能的高低直接決定著產(chǎn)品的性能。相比DDR SDRAM，DDR2 SDRAM在多方面進行了技術(shù)提升，其必將在電子產(chǎn)品市場中發(fā)揮越來越重要的作用。