安森美半導(dǎo)體推出低VCE(sat)雙極結(jié)晶體管

安森美半導(dǎo)體推出全新系列的高性能VCE(sat) 雙極結(jié)晶體管（BJT），該產(chǎn)品降低電路總成本，并為各種便攜式應(yīng)用如手機(jī)、PDA、媒體播放器、筆記本電腦和數(shù)碼相機(jī), 提供更高的電源效率和更長的電池壽命。

此類創(chuàng)新的低VCE(sat) BJT為微型的表面貼裝器件，具有超低飽和電壓（VCE(sat)）和高電流增益能力的特性，專為負(fù)擔(dān)得起且能效控制要求高的低壓高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。理想的應(yīng)用包括電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振蕩器電機(jī)、LED背光、電池管理、磁盤驅(qū)動(dòng)器控制和照相機(jī)閃光燈。 

為協(xié)助一直處于削減其設(shè)計(jì)各個(gè)方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無線產(chǎn)品制造商，安森美半導(dǎo)體在模擬集成電路以外，把目光轉(zhuǎn)向分立元件，以期獲得可能的成本節(jié)約。采用經(jīng)加強(qiáng)的硅技術(shù)和先進(jìn)封裝，公司開發(fā)了這全新系列的小型、高性價(jià)比BJT，其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的 RDS(on) 性能相當(dāng)。 

安森美半導(dǎo)體集成電源產(chǎn)品部小信號(hào)產(chǎn)品市場經(jīng)理Wes Reid說：“采用新型低VCE(sat) BJT，我們已成功幫助一些客戶實(shí)現(xiàn)了每個(gè)電路0.1美元的成本節(jié)約。安森美半導(dǎo)體工程小組也正加快開發(fā)新一代低VCE(sat) BJT 器件，它們可將等效RDS(on) 再降低50％，為更多的用戶和其應(yīng)用提供這種成本節(jié)約型技術(shù)?！?

安森美半導(dǎo)體新型VCE(sat) BJT的抗靜電放電（ESD）能力很強(qiáng)，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并最終節(jié)約電池電能。通過減少特定應(yīng)用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進(jìn)一步縮減材料單（BOM）。如在提供低于1.0伏（V）的低導(dǎo)通電壓后，就無需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。
 
PNP 器件
NSS12200WT1G   12 V,  3.0 A,  163 milliohm  (SC-88)
NSS30070MR6T1G    30 V,  0.7 A,  320 milliohm  (SC-74) 
NSS35200CF8T1G   35 V,  7.0 A,  78 milliohm  (Chip-FET) 
NSS40400CF8T1G   40 V,  7.0 A,  78 milliohm  (Chip-FET)
NSS20300MR6T1G   20 V,  5.0 A,  78 milliohm  (TSOP-6)
NSS30100LT1G    30 V,  2.0 A,  200 milliohm  (SOT-23) 
NSS35200MR6T1G   35 V,  5.0 A,  100 milliohm  (TSOP-6)

NPN 器件
NSS20201MR6T1G   20 V,  3.0 A,  100 milliohm  (TSOP-6)
NSS30101LT1G    30 V,  2.0 A,  100 milliohm  (SOT-23) 
NSS30071MR6T1G   30 V,  0.7 A,  200 milliohm  (SC-74) 
NSS30201MR6T1G   30 V,  3.0 A,  100 milliohm  (TSOP-6)

封裝與價(jià)格 
低VCE(sat) BJT 系列采用多種業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的封裝，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6 和 ChipFET，每10,000件的批量單價(jià)為0.07美元至0.16美元。