用于準(zhǔn)諧振反激式變換器的新型數(shù)字系統(tǒng)解決方案(08-100)
—— 用于準(zhǔn)諧振反激式變換器的新型數(shù)字系統(tǒng)解決方案
作者：Mao Mingping、He Yi和Jeoh Meng Kiat 英飛凌科技亞太有限公司
時(shí)間：2009-03-05
來源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
在滿載和輕載工作條件下，MOSFET分別在電壓Vds的第一個(gè)和第七個(gè)波谷的谷底導(dǎo)通，如圖1所示。在輕載工作條件下，開關(guān)頻率被有效地降低到一個(gè)相當(dāng)?shù)偷乃?，同時(shí)谷底的開關(guān)動(dòng)作仍可有效進(jìn)行，從而確保了輕載時(shí)的高效率。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/92121.htm(a) 在第一個(gè)過零信號(hào)點(diǎn)的谷底導(dǎo)通
(b) 在第七個(gè)過零信號(hào)點(diǎn)的谷底導(dǎo)通
圖 1 數(shù)字降頻使MOSFET在不同的過零信號(hào)點(diǎn)導(dǎo)通
圖1還清楚地顯示了數(shù)字降頻策略的實(shí)施結(jié)果，即：不僅開關(guān)頻率被降低至相當(dāng)?shù)偷乃剑疫€確保在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)，開關(guān)動(dòng)作均在谷底進(jìn)行。
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