22納米設(shè)備傳難產(chǎn)　延后進(jìn)駐臺(tái)積電

　　22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper傳出設(shè)備進(jìn)度遞延，Mapper目前是與臺(tái)積電在新世代半導(dǎo)體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進(jìn)度遞延已經(jīng)讓原本預(yù)期進(jìn)駐臺(tái)積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。臺(tái)積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競(jìng)爭(zhēng)的曝光技術(shù)，Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸，將為臺(tái)積電技術(shù)進(jìn)程埋下未知數(shù)。

　　據(jù)了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響，因而對(duì)于先進(jìn)半導(dǎo)體曝光技術(shù)的進(jìn)展有所減緩，原本預(yù)期2009年第1季原型機(jī)臺(tái)將正式進(jìn)駐臺(tái)積電，不過目前已經(jīng)遞延了1季左右。臺(tái)積電內(nèi)部目前仍與Mapper維持緊密的合作關(guān)系，不過也憂心未來的發(fā)展。

　　半導(dǎo)體制程世代進(jìn)入22納米以后，深紫外光與多重電子束何者將成為下一世代的曝光主流技術(shù)，半導(dǎo)體圈內(nèi)目前仍莫衷一是。深紫外光由于光源能(Power Source)目前仍未達(dá)到可以大量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，成本過高，已經(jīng)遇到技術(shù)瓶頸;而多重電子束則為外界懷疑電子束直接書寫效率仍過慢，同樣也未能符合量產(chǎn)效率。

　　在此情況下，深紫外光、多重電子束技術(shù)都未臻于成熟，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者認(rèn)為，較可行的方向是將目前過渡性45納米浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Lithography)持續(xù)延續(xù)壽命，不是朝向雙重曝光演進(jìn)，就是未來將浸潤(rùn)式介質(zhì)從純水轉(zhuǎn)換到高曝光的另類液體。但不論是深紫外光、多重電子束技術(shù)都已經(jīng)遇到技術(shù)障礙。

　　Mapper目前的主要股東包括創(chuàng)投業(yè)者Capital-C Ventures，以及包括設(shè)備大廠科磊(KLA-Tencor)的旗下創(chuàng)投KT Venture Group以及KBC Private Equity N.V.、Quest for Growth等，其余還包括私人投資者與學(xué)術(shù)單位。