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宏力半導體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程

作者: 時間:2009-08-11 來源:SEMI 收藏

  上海半導體制造有限公司 (半導體),專注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,發(fā)布其先進的0.13微米制程。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/97055.htm

  半導體的新0.13微米制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸小,編程效率高和無過度擦除的優(yōu)點,顯著減少了模塊的面積,在市場上極具競爭力。與此同時,此新技術(shù)具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性,可重復擦寫10萬次,數(shù)據(jù)可保留100年。

  該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程,易于技術(shù)遷移。此兼容特性可確保讓客戶購買的標準單元庫和IP效益最大化,從而降低成本。

  另外,宏力半導體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件,因此可以節(jié)省光罩層數(shù)。

  “宏力正在進行獨立閃存芯片的大批量運行生產(chǎn),這使我們具有明顯的優(yōu)勢來確保穩(wěn)定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導體市場服務(wù)單位副總裁衛(wèi)彼得博士表示,“該新技術(shù)可廣泛應(yīng)用于、USB 密鑰、、等領(lǐng)域,并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”



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