三維電子晶體制造新工藝問世

　　日本京都大學大學院工學研究科的一個研究小組發(fā)布消息稱,他們開發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片,在下一代量子計算機的開發(fā)、新型人造衛(wèi)星和飛機制造等方面有著廣闊的應(yīng)用前景.

　　據(jù)介紹,三維電子晶體的構(gòu)造是將微小的硅反射板立體的、整齊的排列在一起,具有可自由反射光并實時調(diào)節(jié)發(fā)光強弱的特性.不過這種新型材料以往制造起來十分麻煩,必須要使用特制的半導體制造儀器,并通過顯微鏡進行人工精密制造.而以往要制造一個8層結(jié)晶、1厘米見方、2微米厚的晶體大約需要1個月左右的時間.

　　日本的研究小組使用了在原料硅板上放置金屬板,再用等離子依據(jù)金屬板上排列整齊的傾斜狀孔洞進行挖掘的方法,大大節(jié)省了三維電子晶體的制造時間.利用這種新方法,制造一塊8層1厘米見方的晶體只需要4天至5天時間.研究人員稱,這種新工藝也將會大大促進超小型光集成電路片等技術(shù)的進步.