GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
加入技術(shù)交流群
在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預(yù)計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設(shè)備。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/98663.htm據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2011年前開始采用，所以留給GlobalFoundries公司的時間應(yīng)該是足夠的。
GlobalFoundries公司的這種32nm SOI制程工藝中啟用了HKMG(High-k+金屬門結(jié)構(gòu))技術(shù)，同時采用的是“Gate First”工藝(金屬門積淀過程排在漏源級高溫處理工步之前)，而他們的32nm Bulk HKMG制程也將采用“GATE First"工藝進行制作。有趣的是，不久前GlobalFoundries的東家ATIC又收購了新加坡特許半導體公司，這家公司也是”Gate first“工藝的堅定擁護者。
而Intel則自采用金屬門結(jié)構(gòu)后，一直都在采用”Gate last“技術(shù);另外一家大廠臺積電則屬于騎墻派，兩種技術(shù)皆有采用，但現(xiàn)階段以“Gate first”為主。
除了主力的SOI工藝之外，在Bulk工藝部分，GlobalFoundries也宣稱他們已經(jīng)制出首片28nm制程的SRAM芯片，并稱這種芯片內(nèi)部的SRAM存儲單元尺寸為業(yè)界最小，僅0.12平方納米.
評論