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摩爾定律“拯救者”？爆紅的Chiplet究竟是一種什么技術(shù)

　　通用互連的Chiplet要真正實(shí)現(xiàn)可能還需要幾年時(shí)間，但不管怎樣，這代表了未來芯片發(fā)展的一個(gè)方向　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全線上漲之際，Chiplet概念引發(fā)市場(chǎng)熱議?！　?月9日，Chiplet概念股在尾盤階段經(jīng)歷資金的明顯回流，板塊個(gè)股中，大港股份(002077)已經(jīng)歷六連板，通富微電(002156)三連板，深科達(dá)當(dāng)天漲幅超10%，蘇州固锝(002079)、文一科技(600520)、氣派科技漲停，芯原股份、晶方科技(603005)、寒武紀(jì)、中京電子(002579)漲超5%?！　hiplet并不是一個(gè)新鮮的
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GAAFET，是什么技術(shù)？

美國(guó)計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國(guó)大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu)，溝槽寬度越小，漏極到源極距離越小，載流子流動(dòng)跨越溝道導(dǎo)通時(shí)間減小，工作頻率越高；同時(shí)，溝道完全開通所加?xùn)艠O電壓越低，開關(guān)損耗越低；而且，溝道導(dǎo)通電阻降低，導(dǎo)通損
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ST和GlobalFoundries在法國(guó)Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營(yíng)的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì)，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬片300毫米晶圓。法國(guó)東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長(zhǎng)期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現(xiàn)FinF
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美國(guó)實(shí)施EDA軟件禁令，中國(guó)或?qū)㈠e(cuò)過下一代芯片技術(shù)

美國(guó)試圖鎖死中國(guó)下一代芯片技術(shù)注意，這里說的是下一代，是下一代！與現(xiàn)在的EDA軟件無關(guān)，這項(xiàng)EDA軟件的禁令只是針對(duì)GAA架構(gòu)制程，這項(xiàng)工藝目前只有三星利用在了3nm的芯片生產(chǎn)上，而不出意外的話，臺(tái)積電也會(huì)在今年量產(chǎn)同代的芯。中國(guó)目前的最先進(jìn)的工藝來自中芯國(guó)際，中芯在前不久被發(fā)現(xiàn)“偷偷”用DUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了7nm工藝的量產(chǎn)。但即使進(jìn)步如此神速，中芯國(guó)際和三星、臺(tái)積電之間，至少還隔著一個(gè)7nm+（EUV版的7nm工藝）、5nm兩代，對(duì)中芯來說，GAA至少是下下代才用到的東西，而目前中芯連7nm+的可能性都看
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美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈限制持續(xù)加碼，中信證券：關(guān)注半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化

來源：金融界　　新材料｜產(chǎn)業(yè)鏈限制再加碼，關(guān)注半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化　　近期美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈限制持續(xù)加碼，凸顯半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應(yīng)體系中的材料龍頭企業(yè)有望充分受益，加速其在國(guó)內(nèi)晶圓廠的產(chǎn)品導(dǎo)入速度，提升市占率。中長(zhǎng)期看，半導(dǎo)體材料需求持續(xù)增長(zhǎng)，我們看好產(chǎn)業(yè)內(nèi)技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先，存在放量邏輯，有望充分受益國(guó)產(chǎn)化的龍頭公司?！　〃吤绹?guó)對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)鏈限制再加碼，涉及設(shè)計(jì)軟件及超寬禁帶半導(dǎo)體材料?！　「鶕?jù)聯(lián)邦公報(bào)，8月12日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定，對(duì)4項(xiàng)“新興和基
關(guān)鍵字： GAAFET EDA 市場(chǎng)分析

“美國(guó)斷供EDA軟件”事件剖析：對(duì)中國(guó)影響到底有多大？

8月12日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布了臨時(shí)最終規(guī)則。在規(guī)則中，對(duì)四種新興和基礎(chǔ)技術(shù)建立了新的出口管制，管制理由是國(guó)家安全。im間最終規(guī)則（IFR）指的是聯(lián)邦機(jī)構(gòu)發(fā)布的規(guī)則，在發(fā)布后生效，無需首先征求公眾對(duì)規(guī)則實(shí)質(zhì)內(nèi)容的意見。IFR用于緊急情況和其他需要，以幫助加快監(jiān)管流程，快速實(shí)施具有約束力的監(jiān)管要求。今后，是否調(diào)整將根據(jù)效果決定，并有一定的時(shí)限。根據(jù)一位資深律師的分析，這項(xiàng)暫行最終規(guī)則可以被視為中國(guó)的一項(xiàng)暫行規(guī)定。“在這四種技術(shù)中，EDA軟件是最受外界關(guān)注的一種。該規(guī)則規(guī)定，用于開發(fā)全柵場(chǎng)效
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美國(guó)斷供這一軟件，欲將中國(guó)芯片扼殺在“3納米”

　美國(guó)對(duì)中國(guó)企業(yè)和機(jī)構(gòu)斷供工具軟件有跡可循?！　　?月28日，工作人員在2022全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)大會(huì)展館上介紹運(yùn)用在交通、金融、能源等領(lǐng)域的人工智能加速芯片及系統(tǒng)。圖/IC photo　　文 | 付偉　　美國(guó)商務(wù)部上周五發(fā)布最終規(guī)定，對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料；燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒（PGC）等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制?！　∠嚓P(guān)禁令生效日期為2022年8月15日。　　1　　為什么
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美國(guó)EDA禁令：揮舞大棒遠(yuǎn)比綏靖政策威脅要大得多

對(duì)EDA產(chǎn)業(yè)來說，美國(guó)真要玩大棒政策，可能會(huì)適得其反，迫使日本、歐洲或者中國(guó)的EDA新公司快速搶占市場(chǎng)，嚴(yán)重影響三大EDA公司的全球統(tǒng)治力。
關(guān)鍵字：美國(guó)EDA GAAFET

美國(guó)全面卡死2nm？設(shè)計(jì)GAA技術(shù)芯片的EDA，不準(zhǔn)賣到中國(guó)大陸

眾所周知，三星在3nm芯片時(shí)，采用了GAAFET晶體管技術(shù)，這是相對(duì)于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)。GAAFET晶體管技術(shù)為何更先進(jìn)？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的靜電特性，在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 的溝道控制能力強(qiáng)化，尺寸可以進(jìn)一步微縮，同時(shí)電壓降低。這就使得GAAFET晶體管，可以密度更高，同時(shí)電壓更低，這樣性能更強(qiáng)，功耗降低。雖然目前在3nm技術(shù)上，三星使用GAAFET技術(shù)，而臺(tái)積電使用FinFET技術(shù)，但到2nm時(shí)，不管是臺(tái)積電，還是三星，或者intel都會(huì)使用GAAFET技術(shù)，因
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“芯片之母”遭殃！美國(guó)對(duì)中國(guó)封殺EDA：沒這么簡(jiǎn)單

當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月12日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）在《聯(lián)邦公報(bào)》中披露了一項(xiàng)新增的出口限制臨時(shí)最終規(guī)則，涉及先進(jìn)半導(dǎo)體、渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)等領(lǐng)域。該禁令對(duì)具有GAAFET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)的集成電路所必需的EDA/ECAD軟件、以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料、包括壓力增益燃燒（PGC）在內(nèi)的四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施了新的出口管制。GAAFET相關(guān)EDA軟件EDA/ECAD指的是用于設(shè)計(jì)、分析、優(yōu)化和驗(yàn)證集成電路或印刷電路板性能的電子計(jì)算機(jī)輔助軟件。早在8月3日，芯智訊就報(bào)道了“美國(guó)將對(duì)華斷供GAAFE
關(guān)鍵字： EDA GAAFET

力拚臺(tái)積電押寶3納米GAAFET技術(shù)，三星3年內(nèi)良率成關(guān)鍵

韓國(guó)媒體表示，韓國(guó)三星計(jì)劃3年內(nèi)創(chuàng)建GAAFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)，成為芯片代工業(yè)界的游戲規(guī)則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺(tái)積電。《BusinessKorea》指出，GAAFET技術(shù)是新時(shí)代制程，改善半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術(shù)生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。市場(chǎng)研究調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce報(bào)告指出，2021年第四季臺(tái)積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達(dá)52.1%市場(chǎng)占有率狠甩韓國(guó)三星，為了追上臺(tái)積電，三星押注GAAFET技術(shù)，并首先用于3納米
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GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是納米線溝道設(shè)計(jì)，溝道整個(gè)外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對(duì)溝道的控制性更好。相比之下，傳統(tǒng)的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構(gòu)的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 的溝道控制能力強(qiáng)化，尺寸可以進(jìn)一步微縮。 [ 查看詳細(xì) ]

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